SU427612A1 - Устройство дл нанесени покрытий в выкууме - Google Patents

Устройство дл нанесени покрытий в выкууме

Info

Publication number
SU427612A1
SU427612A1 SU1485361A SU1485361A SU427612A1 SU 427612 A1 SU427612 A1 SU 427612A1 SU 1485361 A SU1485361 A SU 1485361A SU 1485361 A SU1485361 A SU 1485361A SU 427612 A1 SU427612 A1 SU 427612A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
substrates
evaporator
rotation
substrate
axis
Prior art date
Application number
SU1485361A
Other languages
English (en)
Inventor
А.Г. Жиглинский
Э.С. Путилин
Original Assignee
Ленинградский Ордена Ленина И Ордена Трудового Красного Знамени Государственный Университет Им.А.А.Жданова
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ленинградский Ордена Ленина И Ордена Трудового Красного Знамени Государственный Университет Им.А.А.Жданова filed Critical Ленинградский Ордена Ленина И Ордена Трудового Красного Знамени Государственный Университет Им.А.А.Жданова
Priority to SU1485361A priority Critical patent/SU427612A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU427612A1 publication Critical patent/SU427612A1/ru

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

I
Изобретение касаетс  нанесени  нокрытий в вакууме.
Известно устройство дл  нанесени  покрытий в вакууме, содержащее камеру, внутри которой расположены плоский испаритель и подложкодержатели. Однако в таком устройстве невозможно получать идентичные слои на всех напыл емых одновременно подложках .
Цель изобретени  - получение идентичных слоев на всех напыл емых одновременно подложках. Это достигаетс  тем, что подложкодержатели выполнены в виде расположенных друг под другом колец, параллельных испарителю и имеющих с ним общую ось вращени , а положение центров подложек задано формулой:
(/г- 1,056)2 + v 1,0562, где h - рассто ние от испарител  до нодложкодержател ;
V - рассто ние от оси вращени  подложкодержателей до оси вращепи  подложек.
На фиг. 1 показано предлагаемое устройство , общий вид; на фиг. 2 - сплощна  кри-ва  - геометрическое место точек, в которых должны быть расположены центры подложек .
Устройство включает камеру /, внутри которой наход тс  плоский испаритель 2 и подложкодержатели 5, выполненные в виде расположенных друг под другом колец, параллельных испарителю и имеющих с ним общую ось вращени . Положение центров подложек 4 задано формулой:
(/г- 1,056)2 + u2 1,0562, где h - рассто ние от испарител  до подложкодержател ;
V - рассто ние от оси вращени  подложкодержателей до оси вращени  подложек.
При таком расположении испарител  и подложкодержателей толщина сло  в центре подложек не зависит от ее местоположени  в момент начала и конца испарени . При обычной геометрии толщина сло  в центре разных подложек может отличатьс  на BevnH4HHy до
1
где п - число оооротов подложкодерЗп
жател  за врем  напылени  сло . Обычно величина п равн етс  300-500 оборотам. Поэтому полосы пропускани  интерференционных фильтров, полученных на существующих установках, могут отличатьс  на величину
о
4-6 А дл  области спектра 600 нм.
На ЭВМ был выполнен расчет толщины слоев, полученных при новой геометрии испарительной установки. Результаты расчета приведены на фиг. 2. Из рассмотрени  этого
чертежа видно, что равнотолщинное покрытие (у которого различие толщины сло  на краю подложки от толщины сло  в центре 0,1%) может быть получено на подложках , расположенных в два и более  русов (в зависимости от диаметра колпака испарительной установки и необходимого диаметра подложки). На фиг. 2 видно, что нри диаметре колпака 600 мм и диаметре подложки 60 мм оказываетс  возможным расположить подложки в два  руса и получить равнотолщинное (с точностью до 0,1%) покрытие на 45 подложках.
Предмет изобретени  Устройство дл  нанесени  покрытий в вакууме , содержащее камеру, внутри которой расположены плоский испаритель и подложкодержатели , отличающеес  тем, что, с целью получени  идентичных слоев на всех напыл емых одновременно подложках, подложкодержатели выполнены в виде расположенных друг под другом колец, параллельных испарителю и имеющих с ним общую ось вращени , а положение центров подложек задано
формулой:
(h- 1.056)2 |- у2 1,0562,
h рассто ние от испарител  до подложкодержател ; V
рассто ние от оси вращени  нодложкодержателей до оси вращени  подложек.
3
К ,
1,2 1, 1,6 1,8 г
SU1485361A 1970-11-03 1970-11-03 Устройство дл нанесени покрытий в выкууме SU427612A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1485361A SU427612A1 (ru) 1970-11-03 1970-11-03 Устройство дл нанесени покрытий в выкууме

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1485361A SU427612A1 (ru) 1970-11-03 1970-11-03 Устройство дл нанесени покрытий в выкууме

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU427612A1 true SU427612A1 (ru) 1975-07-05

Family

ID=20458761

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1485361A SU427612A1 (ru) 1970-11-03 1970-11-03 Устройство дл нанесени покрытий в выкууме

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU427612A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA1021207A (en) Chemical vapor deposition of coatings
BE808676A (fr) Procede pour l'augmentation de la vitesse de depot de revetements a partir de reactifs vaporises
CA959355A (en) Process for forming external multi-layer resinous coating on cylindrical surface at ambient temperature
FR2332338A1 (fr) Procede pour revetir par depot ionique reactif un substrat isolant d'une couche d'oxyde d'au moins un metal
IT1075610B (it) Procedimento per rivestire substrati mediante deposizione al plasma
SU427612A1 (ru) Устройство дл нанесени покрытий в выкууме
GB1117009A (en) Improvements in and relating to depositing thin layers by vapour deposition or cathode sputtering
IT1058510B (it) Procedimento per fabbricare un condensatore a strato sottile di tantalio
CA955508A (en) Process for etching organic coating layers
ES448927A1 (es) Procedimiento para el tratamiento de vidrio.
BE808675A (fr) Depot en phase vapeur, par voie chimique, de revetements
IL39865A0 (en) A process for forming a metal oxide coating on a substrate
GB1217863A (en) Coating process, e.g. for making interference filters
FR2171877A1 (en) Semiconductor coating appts - giving improved uniformity of coating
GB770077A (en) Method and apparatus for the production of films having a plurality of components
GB1199006A (en) Arrangements for Depositing Interference Layers onto Concavely Curved Surfaces of Rotation
US2428043A (en) Method of manufacturing metal electric rectifiers
FR2352066A1 (fr) Revetement formant masque pour le depot de couches dielectriques sur des substrats, par vaporisation sous vide ou pulverisation cathodique
DK140429B (da) Fremgangsmåde til dannelse af en metaloxidbelægning på et i det mindste delvis glasagtigt underlag.
CA956187A (en) Method of depositing a coating by vapor deposition
SE396620B (sv) Forfarande for etsning av en polyimidysta, varigenom okad adhesion erhallers pa ytan for vissa emnen, t ex en metall som avsatts elektrodfritt
JPS5260989A (en) Manufacturing of dielectric thin film
SU813132A1 (ru) Устройство дл автоматического нанесени диэлЕКТРичЕСКиХ СлОЕВ
SU466300A1 (ru) Испаритель
CA889265A (en) Method of coating substrates by vapour deposition