SU396124A1 - Способ получения бездислокационных монокристаллов кремния - Google Patents
Способ получения бездислокационных монокристаллов кремнияInfo
- Publication number
- SU396124A1 SU396124A1 SU1726137A SU1726137A SU396124A1 SU 396124 A1 SU396124 A1 SU 396124A1 SU 1726137 A SU1726137 A SU 1726137A SU 1726137 A SU1726137 A SU 1726137A SU 396124 A1 SU396124 A1 SU 396124A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- single crystals
- obtaining
- disdlocated
- silicon single
- growth
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
1
Изобрете.п.ие относитс к метал.турги) no.iyпро ;одннко ; .
Известны способы получени бездн елокаЦИОШ1Ы .Х монокристаллов полупроиоднцко;; выт гн;ваннем из расплава по -1охральскому, в которых после затра вливаин выраиишают участок мо:гокристалла с диаметров, меньшим диаметра затравкн, п поддержи вают плоский фронт крнсталлизаци1И.
Известные снособы позвол ют вьмюднть дисЛокацн .п на поверх ность .растущего монокрнста-лла на началь}1ой стадии его роста. Это условие вл етс необходи.мым, по недостаточным дл уСТОЙЧНВОЙ БООПрОНЗВОДНМОСТН
бездн€ло-кацпон11ых монокристаллов с учетом оеоюенностей их роста в разлдчлых кристаллографических направлени х. Та-к, например, лри выращива«ии монокристалло.в в направле:нии 110, в которых имеетс группа плоскостей (1 И}, параллельных оси выращнванн , под действием термичаоких ,напр жен.й .легко происходит зарождение и размножение дислокаций на нх коннческой и цилиндрической част х.
Цель изобретени - создание тепловых , обе Снечи,вающ:их устойчивый рост бездислокационных монокристаллов кремни в направлении 110.
Дл -/гого ирн выраш,1сваНн.ц бездн-лчокацнoiiHbix .o:loлp:lгcтaллoв указанной ориентации величину oceiiOfi тем;нературного градиента в твердой фазе ноддержи.вают не больше 5 50°С/г.. При этом предотвращаетс зарождение днсюкаций, в св зи с чем увеличиваетс иро.нзводите.1ьнасть нроцесса.
П р и м о р . МонокрнстаЛчТЫ к.ремнн . орне-птнрОВанные в направлен 1и ПО, выращн-вают
) из pac:i,. по 4oxpa,ibCKON y с нсно.чьзова1|ием тен.ювой системы, состо щей из нагрелател - сопротивлени цилиндрической формы высотой 118 мм и днаметром 140 мм, п ти боковых н двух ното/ючлых экрааю), располоГ ) женныч IK1 высоте 50 и ЮО .ILU от ;НОверхносги расплава. Скорость выт гиашнии пр.н выращлва-нин монохр;гсталло.в дна метром 35 мм линейно намен ют от 1.5 до 1,0 мм/мин. Выход бездислоканл1ои:11)1х мо1 ОКристалло.5 состав0 л ет 80%.
П
р с д м е г н 3 о о р е т е н н
СНособ по.тучен}1 безднс.токаиионных мо-нокристаллов крэмни выт гиванием из расилава по Чохрал1 скому с выранишанием участка монокристалла с диаметро м, меньшим диаметра затравк), и по.ддержанием в процессе выт тнванн нлоско1о фронта кристаллизации, or.iuMatoiujiucn тем, что. с целью обеспечени 3 безлислокаиионного .роста монокристаллов в направлении ПО, величину Осевого темпера4 турлого градиент.а в твердой фазе поддерл.ивают не больше 50°С/СуИ.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU1726137A SU396124A1 (ru) | 1971-12-09 | 1971-12-09 | Способ получения бездислокационных монокристаллов кремния |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU1726137A SU396124A1 (ru) | 1971-12-09 | 1971-12-09 | Способ получения бездислокационных монокристаллов кремния |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU396124A1 true SU396124A1 (ru) | 1973-08-29 |
Family
ID=20496598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU1726137A SU396124A1 (ru) | 1971-12-09 | 1971-12-09 | Способ получения бездислокационных монокристаллов кремния |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU396124A1 (ru) |
-
1971
- 1971-12-09 SU SU1726137A patent/SU396124A1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3245760A (en) | Apparatus for growing crystals | |
| DE69509678D1 (de) | Epitaktische züchtung von silizium carbidund so hergestellte silizium carbid-strukturen | |
| JPH01119598A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| SU396124A1 (ru) | Способ получения бездислокационных монокристаллов кремния | |
| FR2271868A1 (en) | Crystals grown from hydrothermal solns - in autoclave with separate individually temp-controlled double walled sections | |
| GB1336672A (en) | Methods of epitaxially depositing a semiconductor compound | |
| US2562325A (en) | Apparatus for producing artificial crystals | |
| Pandian et al. | TGS crystal growth below and above Curie temperature (Tc) | |
| FR2669510B1 (fr) | Procede discontinu de cristalisation d'un sirop et appareil pour la mise en óoeuvre de ce procede. | |
| JPH0725638B2 (ja) | 光学用方解石単結晶の製造方法 | |
| GB963158A (en) | Improvements in or relating to methods of producing monocrystals | |
| Ramseier | Zone-melting apparatus for growing ice monocrystals | |
| US3453088A (en) | Traversing a molten zone in a crystalline bar by direct current reversal | |
| US4728388A (en) | Process for producing a monocrystal of a compound by crystallizing a polycrystal of said compound by transferring a solvent zone | |
| SU132200A1 (ru) | Способ получени эфиров альфа, бета-дифторакриловой кислоты | |
| SU141629A1 (ru) | Устройство дл получени монокристаллов, например, германи | |
| Wolff et al. | PRINCIPLES OF SOLUTION AND TRAVELLING SOLVENT GROWTH OF SILICON CARBIDE | |
| SU1555402A1 (ru) | Способ получени монокристаллов твердого раствора германий-кремний | |
| RU2130978C1 (ru) | Способ выращивания кристаллов в домашних условиях | |
| CS269286B1 (cs) | Ampule pro růst monokrystalů halogenidů jednomocné rtuti | |
| JPS62256792A (ja) | 化合物半導体単結晶の気相成長方法 | |
| SU445462A1 (ru) | Установка дл выращивани кристаллов | |
| RU1431391C (ru) | Способ выращивания монокристаллов теллурида кадмия | |
| Authier et al. | Crystal growth by precipitation under microgravity | |
| GB761050A (en) | Improvements in or relating to methods and means for producing phosphors |