SU370683A1

SU370683A1 - METHOD FOR ASSEMBLING SEMICONDUCTOR DEVICES

Info

Publication number: SU370683A1
Application number: SU1608611A
Authority: SU
Inventors: В. А. Лебига В. М. Кислицын А. Г. Мусин А. А. Россошинский
Original assignee: Институт электросварки Е. О. Патова сзнлй
Priority date: 1970-12-28
Filing date: 1970-12-28
Publication date: 1973-02-15

Description

1one

Изобретение относитс к производству полупроводниковых приборов, в частности к технологии присоединени выводов ,к полупроводниковым элементам электронных устройств .The invention relates to the manufacture of semiconductor devices, in particular, to the technology of connecting leads, to semiconductor elements of electronic devices.

В известном способе сборки полупроводниковых приборов, основаином на укладке элементов Прибора в кассету и их импульсном нагреве при одновременном сжатии двум пуансонами происходит разрушение полупроводиико-вого материала или возникновение остаточиых напр жений вследствие различи коэффициентов термического расширени металлических выводов и полупроводникового Кристалла. ПрИ этом возникающие остаточные напр жени будут тем больше по величине , чем больше усилие сжати пуансонов.In the known method of assembling semiconductor devices, the basis for laying the Instrument elements into a cassette and their pulse heating while compressing with two punches is the destruction of the semiconductor material or the appearance of residual stresses due to the difference in the thermal expansion coefficients of the metal leads and the semiconductor Crystal. However, the resulting residual stresses will be the greater in magnitude, the greater the force of compression of the punches.

Цель изобретени - уменьшение остаточных напр жений в па ном соединении металл-проводник , а следовательно, увеличение Прочности и качества полупроводниковых приборов.The purpose of the invention is to reduce the residual voltages in a metal-conductor joint, and therefore increase the Strength and quality of semiconductor devices.

По предлагаемому способу в процессе пайки изделий, как только начииаетс образование жидкой фазы, а следовательно, происходит и осадка пуансонов, уменьшают усилие сжати таким образом, чтобы к моменту затвердевани припо величина усили составл ла 10-30% от исходного. Такое регулирование величины сжати существенно снижает остаточные напр жени в иолупроводниковом элементе. В результате улучшаютс электрические параметры электронного устройства и повышаетс механическа прочнсх:ть па ного соединени .According to the proposed method, in the process of soldering products, as soon as the formation of the liquid phase starts, and consequently, the sludge pads occur, the compressive force is reduced so that by the time of solidification of the solder, the force is 10-30% of the original. Such regulation of the amount of compression significantly reduces the residual voltages in the semiconductor element. As a result, the electrical parameters of the electronic device are improved and the mechanical strength is improved: the solder connection.

Предмет изобретени Subject invention

Способ сборки полупроводниковых щриборов , осиованный на импульсном «агреве соедин емых элементов прибора с регистрацией осадки пуансонов, сжимающих элементы, отличающийс тем, что, с целью улучшени качества пайки, в момент осадки пуансонов сжимающее усилие у.меньшают до 10-30% от исходного.The method of assembling semiconductor devices, which is based on a pulsed agglome of connected elements of the device with the registration of settlement of punches, compressing elements, characterized in that, in order to improve the quality of soldering, at the time of precipitation of punches, the compressive force decreases to 10-30% from the original.