SU369748A1 - METHOD OF CULTIVATION OF MONOCRYSTALS OF NIOBATE AND TANTALATES OF ALKALINE METALS - Google Patents

METHOD OF CULTIVATION OF MONOCRYSTALS OF NIOBATE AND TANTALATES OF ALKALINE METALS

Info

Publication number
SU369748A1
SU369748A1 SU17449A SU17449A SU369748A1 SU 369748 A1 SU369748 A1 SU 369748A1 SU 17449 A SU17449 A SU 17449A SU 17449 A SU17449 A SU 17449A SU 369748 A1 SU369748 A1 SU 369748A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
cultivation
oxygen
tantalates
niobate
monocrystals
Prior art date
Application number
SU17449A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Хайни Грэнихер Швейцари Иностранец
Original Assignee
Иностранна фирма Циба Гейги Швейцари
Publication of SU369748A1 publication Critical patent/SU369748A1/en

Links

Description

1one

Изобретение относитс  к области получени  монокристаллов ниобатов и танталатов щелочных металлов, используемых дл  изготовлени  электрооптических элементов.The invention relates to the field of producing single crystals of alkali metal niobates and tantalates used for the manufacture of electro-optical elements.

Известен способ выращивани  манокристаллов ниобатов ,и танталатов щелочных металлов выт гиванием по Чохральскому в атмосфере воздуха. Однако такой способ не обеспечивает получени  бесцветных монокристаллов , не имеющих внутренних напр жеиий.There is a known method of growing niobate man-crystals, and alkali metal tantalates by Czochralski drawing in an atmosphere of air. However, this method does not provide for obtaining colorless single crystals with no internal stress.

Отличием предлагаемого способа  вл етс  осуществление выращивани  В атмосфере, содержащей не менее 50 об. % кислорода (В частности не менее 80 об. % кислорода или чистый кислород), влажность которой соответствует давлению насыщенного вод ного пара при температуре 22-28° С (в частных случа х ври температуре 24-26°С и 25°С). Это позвол ет получать бесцветные кристаллы, не имеющие тенденции к растрескиванию.The difference of the proposed method is the implementation of growing in an atmosphere containing at least 50 vol. % oxygen (in particular, at least 80% by volume of oxygen or pure oxygen), the humidity of which corresponds to the pressure of saturated water vapor at a temperature of 22-28 ° C (in particular cases, the temperature is 24-26 ° C and 25 ° C). This allows colorless crystals to be formed without cracking tendencies.

По описываемому способу выращивание монокристаллов производ т на установке Чохральского ,с нагревом тигл  при помощи нагревател  сопротивлени . Исходный .материал в виде -порошка /помещают в платиновый тигель и расплавл ют в проточной атмосфере, представл ющей собой влажный кислород или влажную смесь кислорода с инертными газами . Дл  создани  требуемой степени влажности поток газа пропускают перед входом в камеру через наполненный водой сосуд при температуре 22-28° С. Скорость протекани  газа должна обеспечивать его .насыщение вод ным паром при данной температуре и выбираетс According to the described method, monocrystals are grown on a Czochralski installation, with the heating of the crucible using a resistance heater. The starting material is in the form of an α-powder / placed in a platinum crucible and melted in a flowing atmosphere, which is a wet oxygen or a wet mixture of oxygen with inert gases. In order to create the required degree of moisture, the gas stream is passed before entering the chamber through a vessel filled with water at a temperature of 22-28 ° C. The gas flow rate must ensure its saturation with water vapor at a given temperature and is chosen

в пределах 0,3-3,0 л/час, предпочтительно 0,5-1 л/час.in the range of 0.3-3.0 l / h, preferably 0.5-1 l / h.

В процессе выт гивани  между затравкой и расплавом создают короткое замыкание дл  стекани  пол ризационных зар дов, возникающих при переходе в ферроэлектрнческуюIn the process of drawing between the seed and the melt, a short circuit is created to drain the polarization charges that occur during the transition to the ferroelectric

фазу. Выт гивание производ т со скоростьюphase. Washout done at speed.

1-2 см/час, скорость вращени  затратаки1-2 cm / hour, rotational speed

0,2-1,0 об/сек.0.2-1.0 rev / sec.

При получении легированных монокристаллов в тигель добавл ют 0,1-2,0 ат. % Нелли Рг в форме NdoOg или Рг20з.In the preparation of doped single crystals, 0.1-2.0 atm is added to the crucible. % Nelly Pr in the form of NdoOg or Prg20z.

По достижении кристаллом требуемой длины тигель опускают дл  отсоединени  кристалла от расплава и осуществл ют термообработку кристалла при температуре, на 50- 80° С меньшей температуры плавлени , в течение 12 час также в потаке вл.ажной окислительной атмосферы. Температуру снижаютWhen the crystal reaches the required length, the crucible is lowered to detach the crystal from the melt and the crystal is heat treated at a temperature 50–80 ° C lower than the melting point, for 12 hours also in the sweat of the important oxidizing atmosphere. Temperature is reduced

до комнатной в течение 36 час.to room for 36 hours.

По описываемому способу были выращены бесцвет1ные монокристаллы ниобата лити  диаметром 15-18 мм и длиной 30-50 мм, не имеющие тенденции к растрескиванию.According to the described method, colorless niobate lithium single crystals with a diameter of 15–18 mm and a length of 30–50 mm were grown without any tendency to cracking.

33

Предмет изобретени Subject invention

Claims (3)

1. Способ выращивани  монокристаллюв ниобатов и тантал-атов щелочных металлов выт гиванием из .расплава по Чохральскому в атмосфере, содержащей кислород и влагу, отличающийс  тем, что, с целью получени  бесцветных монокристаллов, не имеющих тенденции к растрескиванию, выращивание осуществл ют В атмосфере, содержащей не менее 50 об. % кислорода, влажность которой1. A method of growing single crystals of alkali metal niobates and tantalum atoms by drawing from a Czochralski melt in an atmosphere containing oxygen and moisture, characterized in that in order to obtain colorless single crystals that do not have a tendency to crack, the growth is carried out in atmosphere containing at least 50 vol. % of oxygen whose humidity соответствует давлению насыщенного вод ного пара при 22-28° С.corresponds to the pressure of saturated water vapor at 22-28 ° C. 2.Способ по п. 1, отличающийс  тем, что выращивание осуществл ют в атмосфере, содержащей не менее 80 об. % кислорода, влажность которой соответствует давлению насыщенного вод ного пара при 24-26° С.2. A method according to claim 1, characterized in that the cultivation is carried out in an atmosphere containing at least 80 vol. % oxygen, the humidity of which corresponds to the pressure of saturated water vapor at 24-26 ° C. 3.Способ по п. 1, отличающийс  тем, что выращивание осу.щест(вл ют в атмосфере кислорода , влажлость которого соответствует давлению насыщенного вод ного пара при 25° С.3. The method according to claim 1, characterized in that the cultivation of the host (is in an oxygen atmosphere, the humidity of which corresponds to the pressure of saturated water vapor at 25 ° C.
SU17449A METHOD OF CULTIVATION OF MONOCRYSTALS OF NIOBATE AND TANTALATES OF ALKALINE METALS SU369748A1 (en)

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU61210A Addition SU22765A1 (en) 1929-12-27 1929-12-27 Electric thermometer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU369748A1 true SU369748A1 (en)

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2004106597A1 (en) Indium phosphide substrate, indium phosphide single crystal and process for producing them
JP2002293693A (en) Terbium-aluminum-garnet single crystal and method of manufacturing for the same
SU369748A1 (en) METHOD OF CULTIVATION OF MONOCRYSTALS OF NIOBATE AND TANTALATES OF ALKALINE METALS
JPH10167898A (en) Production of semi-insulative gaas single crystal
JP2001226196A (en) Terbium aluminum garnet single crystal and its producing method
US4483735A (en) Manufacturing process of semi-insulating gallium arsenide single crystal
Jackson et al. Periodic regrowth during crystal growth
RU2818932C1 (en) Method of producing gallium arsenide (gaas) monocrystals
US4728388A (en) Process for producing a monocrystal of a compound by crystallizing a polycrystal of said compound by transferring a solvent zone
RU2108418C1 (en) Method for growing single crystals of lanthanum-gallium silicate
JPS63195198A (en) Production of lithium niobate single crystal thin film
JP3532245B2 (en) Method for producing mixed crystal single crystal
JP2739546B2 (en) Method for producing lithium borate single crystal
JPS59131597A (en) Production of high-quality gallium arsenide single crystal
US4234376A (en) Growth of single crystal beryllium oxide
RU1431391C (en) Process of growing monocrystals of cadmium telluride
KR960031657A (en) High pressure Nd: YVO_4 single crystal growth apparatus and method
RU2114221C1 (en) Method of growing lithium triborate monocrystals
RU2156327C2 (en) Method of preparing charge for growing lanthanum-gallium silicate monocrystals
EP0100453A1 (en) Method for growing a GaAs single crystal by pulling from GaAs melt
JPH10212200A (en) Production of semi-insulating gallium arsenide single crystal
JPH01215799A (en) Semi-insulating gaas compound semiconductor single crystal and production thereof
JP2000327496A (en) Production of inp single crystal
JPS63176398A (en) Method for growing compound semiconductor single crystal
RU2152462C1 (en) Method of growing complex rare-earth gallium-containing oxides