SU369748A1 - METHOD OF CULTIVATION OF MONOCRYSTALS OF NIOBATE AND TANTALATES OF ALKALINE METALS - Google Patents
METHOD OF CULTIVATION OF MONOCRYSTALS OF NIOBATE AND TANTALATES OF ALKALINE METALSInfo
- Publication number
- SU369748A1 SU369748A1 SU17449A SU17449A SU369748A1 SU 369748 A1 SU369748 A1 SU 369748A1 SU 17449 A SU17449 A SU 17449A SU 17449 A SU17449 A SU 17449A SU 369748 A1 SU369748 A1 SU 369748A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- cultivation
- oxygen
- tantalates
- niobate
- monocrystals
- Prior art date
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 title 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 title 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical class O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum Chemical group [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 210000004243 Sweat Anatomy 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
Description
1one
Изобретение относитс к области получени монокристаллов ниобатов и танталатов щелочных металлов, используемых дл изготовлени электрооптических элементов.The invention relates to the field of producing single crystals of alkali metal niobates and tantalates used for the manufacture of electro-optical elements.
Известен способ выращивани манокристаллов ниобатов ,и танталатов щелочных металлов выт гиванием по Чохральскому в атмосфере воздуха. Однако такой способ не обеспечивает получени бесцветных монокристаллов , не имеющих внутренних напр жеиий.There is a known method of growing niobate man-crystals, and alkali metal tantalates by Czochralski drawing in an atmosphere of air. However, this method does not provide for obtaining colorless single crystals with no internal stress.
Отличием предлагаемого способа вл етс осуществление выращивани В атмосфере, содержащей не менее 50 об. % кислорода (В частности не менее 80 об. % кислорода или чистый кислород), влажность которой соответствует давлению насыщенного вод ного пара при температуре 22-28° С (в частных случа х ври температуре 24-26°С и 25°С). Это позвол ет получать бесцветные кристаллы, не имеющие тенденции к растрескиванию.The difference of the proposed method is the implementation of growing in an atmosphere containing at least 50 vol. % oxygen (in particular, at least 80% by volume of oxygen or pure oxygen), the humidity of which corresponds to the pressure of saturated water vapor at a temperature of 22-28 ° C (in particular cases, the temperature is 24-26 ° C and 25 ° C). This allows colorless crystals to be formed without cracking tendencies.
По описываемому способу выращивание монокристаллов производ т на установке Чохральского ,с нагревом тигл при помощи нагревател сопротивлени . Исходный .материал в виде -порошка /помещают в платиновый тигель и расплавл ют в проточной атмосфере, представл ющей собой влажный кислород или влажную смесь кислорода с инертными газами . Дл создани требуемой степени влажности поток газа пропускают перед входом в камеру через наполненный водой сосуд при температуре 22-28° С. Скорость протекани газа должна обеспечивать его .насыщение вод ным паром при данной температуре и выбираетс According to the described method, monocrystals are grown on a Czochralski installation, with the heating of the crucible using a resistance heater. The starting material is in the form of an α-powder / placed in a platinum crucible and melted in a flowing atmosphere, which is a wet oxygen or a wet mixture of oxygen with inert gases. In order to create the required degree of moisture, the gas stream is passed before entering the chamber through a vessel filled with water at a temperature of 22-28 ° C. The gas flow rate must ensure its saturation with water vapor at a given temperature and is chosen
в пределах 0,3-3,0 л/час, предпочтительно 0,5-1 л/час.in the range of 0.3-3.0 l / h, preferably 0.5-1 l / h.
В процессе выт гивани между затравкой и расплавом создают короткое замыкание дл стекани пол ризационных зар дов, возникающих при переходе в ферроэлектрнческуюIn the process of drawing between the seed and the melt, a short circuit is created to drain the polarization charges that occur during the transition to the ferroelectric
фазу. Выт гивание производ т со скоростьюphase. Washout done at speed.
1-2 см/час, скорость вращени затратаки1-2 cm / hour, rotational speed
0,2-1,0 об/сек.0.2-1.0 rev / sec.
При получении легированных монокристаллов в тигель добавл ют 0,1-2,0 ат. % Нелли Рг в форме NdoOg или Рг20з.In the preparation of doped single crystals, 0.1-2.0 atm is added to the crucible. % Nelly Pr in the form of NdoOg or Prg20z.
По достижении кристаллом требуемой длины тигель опускают дл отсоединени кристалла от расплава и осуществл ют термообработку кристалла при температуре, на 50- 80° С меньшей температуры плавлени , в течение 12 час также в потаке вл.ажной окислительной атмосферы. Температуру снижаютWhen the crystal reaches the required length, the crucible is lowered to detach the crystal from the melt and the crystal is heat treated at a temperature 50–80 ° C lower than the melting point, for 12 hours also in the sweat of the important oxidizing atmosphere. Temperature is reduced
до комнатной в течение 36 час.to room for 36 hours.
По описываемому способу были выращены бесцвет1ные монокристаллы ниобата лити диаметром 15-18 мм и длиной 30-50 мм, не имеющие тенденции к растрескиванию.According to the described method, colorless niobate lithium single crystals with a diameter of 15–18 mm and a length of 30–50 mm were grown without any tendency to cracking.
33
Предмет изобретени Subject invention
Claims (3)
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU61210A Addition SU22765A1 (en) | 1929-12-27 | 1929-12-27 | Electric thermometer |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU369748A1 true SU369748A1 (en) |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2004106597A1 (en) | Indium phosphide substrate, indium phosphide single crystal and process for producing them | |
JP2002293693A (en) | Terbium-aluminum-garnet single crystal and method of manufacturing for the same | |
SU369748A1 (en) | METHOD OF CULTIVATION OF MONOCRYSTALS OF NIOBATE AND TANTALATES OF ALKALINE METALS | |
JPH10167898A (en) | Production of semi-insulative gaas single crystal | |
JP2001226196A (en) | Terbium aluminum garnet single crystal and its producing method | |
US4483735A (en) | Manufacturing process of semi-insulating gallium arsenide single crystal | |
Jackson et al. | Periodic regrowth during crystal growth | |
RU2818932C1 (en) | Method of producing gallium arsenide (gaas) monocrystals | |
US4728388A (en) | Process for producing a monocrystal of a compound by crystallizing a polycrystal of said compound by transferring a solvent zone | |
RU2108418C1 (en) | Method for growing single crystals of lanthanum-gallium silicate | |
JPS63195198A (en) | Production of lithium niobate single crystal thin film | |
JP3532245B2 (en) | Method for producing mixed crystal single crystal | |
JP2739546B2 (en) | Method for producing lithium borate single crystal | |
JPS59131597A (en) | Production of high-quality gallium arsenide single crystal | |
US4234376A (en) | Growth of single crystal beryllium oxide | |
RU1431391C (en) | Process of growing monocrystals of cadmium telluride | |
KR960031657A (en) | High pressure Nd: YVO_4 single crystal growth apparatus and method | |
RU2114221C1 (en) | Method of growing lithium triborate monocrystals | |
RU2156327C2 (en) | Method of preparing charge for growing lanthanum-gallium silicate monocrystals | |
EP0100453A1 (en) | Method for growing a GaAs single crystal by pulling from GaAs melt | |
JPH10212200A (en) | Production of semi-insulating gallium arsenide single crystal | |
JPH01215799A (en) | Semi-insulating gaas compound semiconductor single crystal and production thereof | |
JP2000327496A (en) | Production of inp single crystal | |
JPS63176398A (en) | Method for growing compound semiconductor single crystal | |
RU2152462C1 (en) | Method of growing complex rare-earth gallium-containing oxides |