SU344546A1 - METHOD OF OBTAINING FLEXIBLE SUPERCONDUCTORS - Google Patents

METHOD OF OBTAINING FLEXIBLE SUPERCONDUCTORS

Info

Publication number
SU344546A1
SU344546A1 SU1604293A SU1604293A SU344546A1 SU 344546 A1 SU344546 A1 SU 344546A1 SU 1604293 A SU1604293 A SU 1604293A SU 1604293 A SU1604293 A SU 1604293A SU 344546 A1 SU344546 A1 SU 344546A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
temperature
superconductors
heat treatment
tin
substrate
Prior art date
Application number
SU1604293A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
В. Н. Трегубов Е. А. Лукь нов В. К. Энман
Original Assignee
Филиал ордена Ленина института химической физики СССР
Publication of SU344546A1 publication Critical patent/SU344546A1/en

Links

Description

Изобретение относитс  к области производства гибких сверхпроводников с интерметаллическим соединением NbsSn методом нанесени  из расплава олова на ниобиевую подложку .This invention relates to the field of the production of flexible superconductors with an NbsSn intermetallic compound by melt-plating a niobium substrate.

Известен диффузионный способ получени  NbsSn, но которому ниобиевую подложку отжигают и очищают в вакууме при температуре 900-1100°С, покрывают тонким слоем олова при температуре 60-750°С. После этого ниобиевую подложку с нанесенным на нее слоем олова подвергают термообработке при температуре 930-1050°С.A known diffusion method for the preparation of NbsSn, but to which the niobium substrate is annealed and purified in vacuum at a temperature of 900-1100 ° C, is coated with a thin layer of tin at a temperature of 60-750 ° C. After that, the niobium substrate coated with a layer of tin is subjected to heat treatment at a temperature of 930-1050 ° C.

Ввиду высокой упругости паров олова при температуре 930-1050°С одновременно с процессом образовани  соединени  NbsSn происходит интенсивное испарение олова с ниобиевой подложки и это в определенный момент приводит к прекращению роста соединени  NbsSn.Due to the high vapor pressure of tin at a temperature of 930-1050 ° C, simultaneously with the process of forming the compound NbsSn, intense evaporation of the tin from the niobium substrate occurs and this at a certain point leads to the termination of the growth of the compound NbsSn.

Цель изобретени  разработка способа получени  гибких сверхнроводников с и-нтерметаллическим соединением Nb.-sSn, улучшение критических параметров сверхпроводника.The purpose of the invention is the development of a method for producing flexible superconductors with the Nb.-sSn intercalation compound, improving the critical parameters of a superconductor.

Это достигаетс  проведением в высоком вакууме (10 °-5-10 5 мм рт. ст.) следующих технологических процессов. Ниобиевую подложку протаскивают через печь предварительной термообработки, в которой при температуре 900-1100°С в течение 3-20 мин происходит отл(иг подложки и удаление с ее поверхности загр знений и адсорбированных газов. Затем подложку протаскивают через расплав олова при температуре 600-970°С вThis is achieved by carrying out the following processes in high vacuum (10 ° -5-10 5 mm Hg). The niobium substrate is dragged through a preliminary heat treatment oven, in which at a temperature of 900-1100 ° C for 3–20 min, a high temperature occurs (the substrate is removed and soils and adsorbed gases are removed from its surface. Then the substrate is dragged through a tin melt at a temperature of 600-970 ° С in

течение 3-30 мин. В зависимости от температуры расплава на подложке образуетс  какой-либо из интерметаллидов ЫЬзЗпа, Nb2Sn3 или Nb;jSn и она покрываетс  избыточным слоем олова толп1иной 3-5 Л1К.for 3-30 minutes Depending on the temperature of the melt, one of the intermetallic compounds B3, Nb2Sn3 or Nb; jSn is formed on the substrate and it is covered with an excess tin layer of 3-5 L1K.

Далее провод т ступенчатую термообработку в печах отжига. Сначала проводник подвергают термообработке при температуре 800-900°С в течение 4-20 мин. (перва  ступень ) . При этом за счет избыточного сло Next, a step heat treatment is performed in the annealing furnaces. First, the conductor is subjected to heat treatment at a temperature of 800-900 ° C for 4-20 minutes. (first stage). At the same time due to excess

олова образуетс  соединение NbgSng. В результате последующей термообработки (втора  ступень) при температу ре 950-1050°С в течение 5-20 дмн интерметаллид ЫЬз5п2 преобразуетс  в соединение NbsSn.tin formed compound NbgSng. As a result of subsequent heat treatment (second stage) at a temperature of 950–1050 ° C for 5–20 dm, the intermetallic compound Lb5n2 is converted to the NbsSn compound.

Таким образом, ступенчата  термообработка позвол ет значительно уменьшить испарение олова с подложки и св зать его в соединение 1МЬз5п2, которое при дальнейшей термообработке преобразуетс  в соединение ЫЬзЗп.Thus, the step heat treatment can significantly reduce the evaporation of tin from the substrate and bind it into a compound 1Mb5n2, which upon further heat treatment will be converted into a compound Lb3pn.

2525

Предмет изобретени  3 плав олова при температуре 600-970°С и термообработки при температуре 950-1050°С, отличающийс  тем, что, с целью улучшени  критических параметров оверхпроводпика, пе4 ред термообработкой при температуре 950- 1050°С подложку подвергают термообработке при температуре 800-900°С в течение 4- 20 мин.The subject matter of the invention is 3 tin melts at a temperature of 600-970 ° C and heat treatment at a temperature of 950-1050 ° C, characterized in that, in order to improve the critical parameters of the overhead conductor, before heat treatment at a temperature of 950-1050 ° C, the substrate is heat treated at 800 -900 ° C for 4-20 minutes.

SU1604293A METHOD OF OBTAINING FLEXIBLE SUPERCONDUCTORS SU344546A1 (en)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU344546A1 true SU344546A1 (en)

Family

ID=

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6536096B2 (en) * 1991-01-19 2003-03-25 Sumitomo Electric Industries, Ltd Method of preparing bismuth oxide superconducting wire

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6536096B2 (en) * 1991-01-19 2003-03-25 Sumitomo Electric Industries, Ltd Method of preparing bismuth oxide superconducting wire

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4902642A (en) Epitaxial process for silicon on insulator structure
SU344546A1 (en) METHOD OF OBTAINING FLEXIBLE SUPERCONDUCTORS
JP2000091570A5 (en)
CN113097330B (en) Single crystal diamond ultraviolet detector and preparation method thereof
KR940010240A (en) Method for manufacturing conductive layer with maximum surface area
CN112746263B (en) Method for preparing few-layer graphene film through normal-pressure chemical vapor deposition
JP2002008994A (en) Manufacturing method for thin film
CN111933697A (en) Two-dimensional all-inorganic perovskite transistor and preparation method thereof
JPS6256653B2 (en)
SU344013A1 (en) VACUUM ELECTRICAL HEATING UNIT nATEHTHO-TEXHSilOfi LIBRARY
KR100321702B1 (en) Method for forming tantalum oxide and method for fabricating capacitor by the same
JPS6326541B2 (en)
JPH05121655A (en) Manufacture of semiconductor device
KR0118878B1 (en) Forming method for dielectric film in the capacitor
JPS5994809A (en) Production of semiconductor element
JPH02101157A (en) Production of copper-based material for vacuum vapor deposition
JPS63175420A (en) Manufacture of semiconductor device
JPH03178134A (en) Manufacture of homopolar gate mis transistor
CN117476543A (en) Silicon carbide semiconductor structure, preparation method thereof and silicon carbide semiconductor device
JPS6464340A (en) Semiconductor device and its manufacture
KR910006094B1 (en) Burying layer forming process using revolution-application of extrinsic metal
JPS6294937A (en) Manufacture of semiconductor integrated circuit device
KR100379505B1 (en) Method for Fabricating of Semiconductor Device
JPS6234139B2 (en)
JPH04107918A (en) Manufacture of semiconductor device