SU344546A1 - METHOD OF OBTAINING FLEXIBLE SUPERCONDUCTORS - Google Patents
METHOD OF OBTAINING FLEXIBLE SUPERCONDUCTORSInfo
- Publication number
- SU344546A1 SU344546A1 SU1604293A SU1604293A SU344546A1 SU 344546 A1 SU344546 A1 SU 344546A1 SU 1604293 A SU1604293 A SU 1604293A SU 1604293 A SU1604293 A SU 1604293A SU 344546 A1 SU344546 A1 SU 344546A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- temperature
- superconductors
- heat treatment
- tin
- substrate
- Prior art date
Links
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N tin hydride Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 7
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000009830 intercalation Methods 0.000 description 1
- 230000002687 intercalation Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
Description
Изобретение относитс к области производства гибких сверхпроводников с интерметаллическим соединением NbsSn методом нанесени из расплава олова на ниобиевую подложку .This invention relates to the field of the production of flexible superconductors with an NbsSn intermetallic compound by melt-plating a niobium substrate.
Известен диффузионный способ получени NbsSn, но которому ниобиевую подложку отжигают и очищают в вакууме при температуре 900-1100°С, покрывают тонким слоем олова при температуре 60-750°С. После этого ниобиевую подложку с нанесенным на нее слоем олова подвергают термообработке при температуре 930-1050°С.A known diffusion method for the preparation of NbsSn, but to which the niobium substrate is annealed and purified in vacuum at a temperature of 900-1100 ° C, is coated with a thin layer of tin at a temperature of 60-750 ° C. After that, the niobium substrate coated with a layer of tin is subjected to heat treatment at a temperature of 930-1050 ° C.
Ввиду высокой упругости паров олова при температуре 930-1050°С одновременно с процессом образовани соединени NbsSn происходит интенсивное испарение олова с ниобиевой подложки и это в определенный момент приводит к прекращению роста соединени NbsSn.Due to the high vapor pressure of tin at a temperature of 930-1050 ° C, simultaneously with the process of forming the compound NbsSn, intense evaporation of the tin from the niobium substrate occurs and this at a certain point leads to the termination of the growth of the compound NbsSn.
Цель изобретени разработка способа получени гибких сверхнроводников с и-нтерметаллическим соединением Nb.-sSn, улучшение критических параметров сверхпроводника.The purpose of the invention is the development of a method for producing flexible superconductors with the Nb.-sSn intercalation compound, improving the critical parameters of a superconductor.
Это достигаетс проведением в высоком вакууме (10 °-5-10 5 мм рт. ст.) следующих технологических процессов. Ниобиевую подложку протаскивают через печь предварительной термообработки, в которой при температуре 900-1100°С в течение 3-20 мин происходит отл(иг подложки и удаление с ее поверхности загр знений и адсорбированных газов. Затем подложку протаскивают через расплав олова при температуре 600-970°С вThis is achieved by carrying out the following processes in high vacuum (10 ° -5-10 5 mm Hg). The niobium substrate is dragged through a preliminary heat treatment oven, in which at a temperature of 900-1100 ° C for 3–20 min, a high temperature occurs (the substrate is removed and soils and adsorbed gases are removed from its surface. Then the substrate is dragged through a tin melt at a temperature of 600-970 ° С in
течение 3-30 мин. В зависимости от температуры расплава на подложке образуетс какой-либо из интерметаллидов ЫЬзЗпа, Nb2Sn3 или Nb;jSn и она покрываетс избыточным слоем олова толп1иной 3-5 Л1К.for 3-30 minutes Depending on the temperature of the melt, one of the intermetallic compounds B3, Nb2Sn3 or Nb; jSn is formed on the substrate and it is covered with an excess tin layer of 3-5 L1K.
Далее провод т ступенчатую термообработку в печах отжига. Сначала проводник подвергают термообработке при температуре 800-900°С в течение 4-20 мин. (перва ступень ) . При этом за счет избыточного сло Next, a step heat treatment is performed in the annealing furnaces. First, the conductor is subjected to heat treatment at a temperature of 800-900 ° C for 4-20 minutes. (first stage). At the same time due to excess
олова образуетс соединение NbgSng. В результате последующей термообработки (втора ступень) при температу ре 950-1050°С в течение 5-20 дмн интерметаллид ЫЬз5п2 преобразуетс в соединение NbsSn.tin formed compound NbgSng. As a result of subsequent heat treatment (second stage) at a temperature of 950–1050 ° C for 5–20 dm, the intermetallic compound Lb5n2 is converted to the NbsSn compound.
Таким образом, ступенчата термообработка позвол ет значительно уменьшить испарение олова с подложки и св зать его в соединение 1МЬз5п2, которое при дальнейшей термообработке преобразуетс в соединение ЫЬзЗп.Thus, the step heat treatment can significantly reduce the evaporation of tin from the substrate and bind it into a compound 1Mb5n2, which upon further heat treatment will be converted into a compound Lb3pn.
2525
Предмет изобретени 3 плав олова при температуре 600-970°С и термообработки при температуре 950-1050°С, отличающийс тем, что, с целью улучшени критических параметров оверхпроводпика, пе4 ред термообработкой при температуре 950- 1050°С подложку подвергают термообработке при температуре 800-900°С в течение 4- 20 мин.The subject matter of the invention is 3 tin melts at a temperature of 600-970 ° C and heat treatment at a temperature of 950-1050 ° C, characterized in that, in order to improve the critical parameters of the overhead conductor, before heat treatment at a temperature of 950-1050 ° C, the substrate is heat treated at 800 -900 ° C for 4-20 minutes.
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU344546A1 true SU344546A1 (en) |
Family
ID=
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6536096B2 (en) * | 1991-01-19 | 2003-03-25 | Sumitomo Electric Industries, Ltd | Method of preparing bismuth oxide superconducting wire |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6536096B2 (en) * | 1991-01-19 | 2003-03-25 | Sumitomo Electric Industries, Ltd | Method of preparing bismuth oxide superconducting wire |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4902642A (en) | Epitaxial process for silicon on insulator structure | |
SU344546A1 (en) | METHOD OF OBTAINING FLEXIBLE SUPERCONDUCTORS | |
JP2000091570A5 (en) | ||
CN113097330B (en) | Single crystal diamond ultraviolet detector and preparation method thereof | |
KR940010240A (en) | Method for manufacturing conductive layer with maximum surface area | |
CN112746263B (en) | Method for preparing few-layer graphene film through normal-pressure chemical vapor deposition | |
JP2002008994A (en) | Manufacturing method for thin film | |
CN111933697A (en) | Two-dimensional all-inorganic perovskite transistor and preparation method thereof | |
JPS6256653B2 (en) | ||
SU344013A1 (en) | VACUUM ELECTRICAL HEATING UNIT nATEHTHO-TEXHSilOfi LIBRARY | |
KR100321702B1 (en) | Method for forming tantalum oxide and method for fabricating capacitor by the same | |
JPS6326541B2 (en) | ||
JPH05121655A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
KR0118878B1 (en) | Forming method for dielectric film in the capacitor | |
JPS5994809A (en) | Production of semiconductor element | |
JPH02101157A (en) | Production of copper-based material for vacuum vapor deposition | |
JPS63175420A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
JPH03178134A (en) | Manufacture of homopolar gate mis transistor | |
CN117476543A (en) | Silicon carbide semiconductor structure, preparation method thereof and silicon carbide semiconductor device | |
JPS6464340A (en) | Semiconductor device and its manufacture | |
KR910006094B1 (en) | Burying layer forming process using revolution-application of extrinsic metal | |
JPS6294937A (en) | Manufacture of semiconductor integrated circuit device | |
KR100379505B1 (en) | Method for Fabricating of Semiconductor Device | |
JPS6234139B2 (en) | ||
JPH04107918A (en) | Manufacture of semiconductor device |