SU344033A1 - Способ нанесения покрытий из карбидов металлов - Google Patents

Способ нанесения покрытий из карбидов металлов

Info

Publication number
SU344033A1
SU344033A1 SU1407557A SU1407557A SU344033A1 SU 344033 A1 SU344033 A1 SU 344033A1 SU 1407557 A SU1407557 A SU 1407557A SU 1407557 A SU1407557 A SU 1407557A SU 344033 A1 SU344033 A1 SU 344033A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
metal
hydrogen
temperature
product
coating
Prior art date
Application number
SU1407557A
Other languages
English (en)
Inventor
А. И. Тютюнников В. В. Косухин Н. С. Ямсков Ф. Функе
А. А. Клементьев
Publication of SU344033A1 publication Critical patent/SU344033A1/ru

Links

Description

Изобретение относитс  к области получени  покрытий из карбидов металлов термическим разложением паро-газовой смеси.
Известен способ получени  покрытий из карбидов металлов термическим разложением паро-газовой смеси, содержащей га.тогеиид металла , водород, углеродсодержащий и инертный газы.
Предложенный способ отличаетс  от известного тем, что перед осаждением карбидного покрыти  осуществл ют активационную обработку издели  смесью водорода, галогенида металла и четыреххлористого углерода при температуре 300-1000°С с последующим повыщением до 1500-1800°С и одновременным введением в реакционную смесь углеводорода. Это позвол ет повысить прочность сцеплени  покрыти  с основой и предотвращает ее охрупчивание .
Процесс осаждени  карбида осуществл ют при атомарном отнощении металла галогенида к углероду углеводорода от 1 до 12.
Согласно предложенному способу, реакционное пространство предварительно вакуумируют , продувают водородом, нагревают покрываемые издели  в токе водорода до 300- 1000°С, после чего ввод т в водород газообразный хлорид металла покрыти . Дл  более интенсивного травлени  и очистки покрываемой металлической поверхности от окислов в
паро-газовую смесь ввод т не более 5 мол. % четыреххлористого углерода. Активационную обработку осуществл ют в течение 15-20иш . Затем, не прерыва  подачи паро-газовой смеси , издели  нагревают до 1500-1800°С и ввод т газообразный углеводород, например метан , в количестве, обеспечивающем атомарное отнощение металла галогенида к углероду углеводорода от 1 до 12. В этих услови х процесс ведут не более 5 мин дл  того, чтобы получить тонкий барьерный слой карбида толщиной до 5-7 мк., прочно св занный с основой . При этом не происходит насыщени  подложки углеродом и водородом и не успевает
начатьс  рост дендритов карбида металла.
После этого температуру процесса понижают
до температуры осаждени  мелкозернистого
карбида.
Дл  карбидов циркони  и гафни  это
1300-1600°С, дл  карбидов ниоби  и тантала - 800-1400Т.
После нанесени  покрытий издели  вместе
с печью охлаждают в потоке инертного газа.
Предложенным способом можно наносить
покрыти  толщиной до 300 мк из карбидов циркони , гафни , ниоби  и тантала на издели  различной конфигурации из вольфрама, молибдена, ниоби , тантала, рени  и др. Пример 1, Дл  нанесени  покрыти  из
трубок из сплава ВН-2АЭ вакуумируют рабочее пространство до мм рт. ст., затем 30 мин лродувают водородом дл  удалени  остатков воздуха, после чего температуру издели  поднимают до 1000°С и обрабатывают его смесью водорода и 5 мол. % тетрахлорида циркони  в течение 15 мин.
После этого температуру издели  повышают до и ввод т в паро-газовую смесь 2 мол. % метана.
После выдержки в течение 1 мин температуру понижают до 1420°С, довод т концентрацию метана до 3 мол. % и выдерживают изделие в потоке паро-газовой смеси 30-45 мин. Затем прекращают подачу хлорида металла и метана, водород замен ют аргоном и в токе аргона охлаждают покрытое изделие вместе с печью до комнатной температуры.
В результате на поверхности издели  образуетс  плотно сцепленное с основой мелкозернистое покрытие карбида циркони  серебристого цвета, толщиной 30-60 мк.
Пример 2. Дл  нанесени  покрыти  из карбида ниоби  на ниобиевую пластинку после вакуумировани  и продувки реакционного пространства водородом изделие нагревают до 600°С и обрабатывают в токе водорода, содержащего 4 мол. % пентахлорида ниоби  и 4 мол. % четыреххлористого углерода в течение 15 мин, после чего температуру издели  повышают до 1500°С, предварительно прекратив подачу четыреххлористого углерода и заменив водород на аргон с введением в парогазовую смесь 2 мол. % метана. Подложку выдерживают в этих услови х 1-2 мин. Затем температуру понижают до 1000°С и ведут процесс 30 мин в потоке паро-газовой смеси, содержащей аргон с 16 мол. % пентахлорида ниоби  и 10 мол. % метана.
При этом получают покрытие из карбида ниоби , толщиной 50-90 мк.
Пример 3. Дл  нанесени  покрыти  из монокарбида тантала на наружную поверхность молибденовой трубки активационную обработку осуществл ют при 450-500°С в парогазовой смеси на основе водорода, содержащей 2 мол. % пентахлорида тантала, 5 мол. % четыреххлористого углерода в течение 20 мин. Затем водород замен ют аргоном, прекращают подачу четыреххлористого углерода, подпимают температуру подложки до 1500°С и и ввод т 1 мол. % метана. После выдержки 5 лшн температуру понижают до 1200°С, довод т концентрацию пептахлорида тантала и метана до 20 мол. % каждого и выдерживают покрываемое изделие в этих услови х 30 мин. После окончани  процесса изделие охлаждают в токе аргона. В результате на поверхности молибдена получаетс  плотное мелкозернистое покрытие из карбида тантала,
прочно сцепленное с основой.
Предмет изобретени 

Claims (2)

1.Способ нанесени  покрытий из карбидов металлов путем термического разложени  паро-газовой смеси, содержащей галогенид металла , водород, углеродсодержащий и инертный газы, отличающийс  тем, что, с целью повыщени  прочности сцеплени  покрыти  с поверхностью издели  и предотвращени  ее охрупчивани , провод т активационную обработку изделий смесью водорода, хлорида металла и четыреххлористого углерода при температуре 300-1000°С, затем в паро-газовую смесь ввод т углеводород и выдерживают изделие при температуре 1500-1800°С с последующим ее снижением до температуры осаждени -карбида металла.
2.Способ по п. 1, отличающийс  тем, что осаждение карбида металла осуществл ют при
атомарном отношении металла галогенида к углероду углеводорода от 1 до 12,
SU1407557A Способ нанесения покрытий из карбидов металлов SU344033A1 (ru)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU344033A1 true SU344033A1 (ru)

Family

ID=

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9322113B2 (en) 2009-12-28 2016-04-26 Toyo Tanso Co., Ltd. Tantalum carbide-coated carbon material and manufacturing method for same
RU2746518C1 (ru) * 2020-08-24 2021-04-14 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.) Способ формирования покрытия на штамповых сталях
RU2763358C1 (ru) * 2021-04-26 2021-12-28 Общество с ограниченной ответственностью "НПО "Защитные покрытия" (ООО "НПО "Защитные покрытия") Способ газофазного осаждения карбида тантала на поверхности изделий

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9322113B2 (en) 2009-12-28 2016-04-26 Toyo Tanso Co., Ltd. Tantalum carbide-coated carbon material and manufacturing method for same
RU2746518C1 (ru) * 2020-08-24 2021-04-14 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.) Способ формирования покрытия на штамповых сталях
RU2763358C1 (ru) * 2021-04-26 2021-12-28 Общество с ограниченной ответственностью "НПО "Защитные покрытия" (ООО "НПО "Защитные покрытия") Способ газофазного осаждения карбида тантала на поверхности изделий

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7033650B2 (en) Method of producing a nanotube layer on a substrate
EP1008553B1 (en) Surface functionalized diamond crystals and methods for producing same
US6350191B1 (en) Surface functionalized diamond crystals and methods for producing same
WO1996018756A1 (en) A PA-CVD PROCESS FOR DEPOSITION OF A SOLID METAL-CONTAINING FILM ONTO A SUBSTRATE CONTAINING AT LEAST 50 % of Fe or WC
US10883171B2 (en) CVD reactor and method for cleaning a CVD reactor
JP3779314B1 (ja) 炭化タンタル被覆炭素材料およびその製造方法
JP3498363B2 (ja) ダイヤモンドの合成方法
CN115584486A (zh) 一种碳化钽涂层制品及制备方法
SU344033A1 (ru) Способ нанесения покрытий из карбидов металлов
TWI735750B (zh) 由原子層沉積法所形成的含氧化釔薄膜的製造方法
JP4312357B2 (ja) 金属アルミニウム含有基体の窒化処理方法
JP4312356B2 (ja) 金属アルミニウム含有基体の窒化処理方法および装置
RU2391358C2 (ru) Способ получения металлоуглеродных нанопокрытий
Kobayashi et al. Catalyst effect for diamond nucleation in the low pressure process
EP3514258B1 (en) Method for the hydrophobization of a substrate
US20240286117A1 (en) Method for preparing carbon nanotube-producing catalyst
JP6797068B2 (ja) 原子層堆積法による炭化チタン含有薄膜の製造方法
JP2006219362A (ja) 液相中への気相導入によるカーボンナノチューブ膜の合成方法および合成装置
Hukka et al. Low Pressure Diamond Growth Using a Secondary Radical Source
CN116988040A (zh) 一种过渡性膜层及其制备方法
CN112553600A (zh) 一种原子层沉积技术生长VxC纳米材料的方法
JPH09235163A (ja) 熱処理用治具およびその製造方法
WO2021034214A1 (ru) Изделие с покрытием из карбида кремния и способ изготовления изделия с покрытием из карбида кремния
NARUMI et al. PRETREATED INN,-C, PLAsMA
JP2010050252A (ja) ホットワイヤー法による基材表面の窒化方法