SU285707A1

SU285707A1 -

Info

Publication number: SU285707A1
Application number: SU1348474A
Authority: SU
Original assignee: Н. И. Якивчик, Н. П. Молибог , А. Н. Думаневич
Priority date: 1969-07-14
Filing date: 1969-07-14
Publication date: 1974-06-15

Description

Изобретение относитс к конструкци м полупроводниковых приборов.

Дл создани импульсных тиристоров с большой -величиной допуст1и юй скорости нарастани di/dt необходимо обеспечить большую площадь одновременного включени и поБышенную скорость распространени в,ключенного состо ни .

Известен импульсный тиристор да основе многослойной структуры, например, тиша п-р-п-р с выводом, по крайней мере, от одной .из базовых областей и с самовозбуждающим управл ющим электродом, иепосредствен.но к которому примыкает слой эмйттвра, свободный от омического контакта.

Известна конструкци тиристора с самовозбуждающим включением, в которой потенциал полевой части эмиттера в области первоначального В1ключени иапользуетс как управл ющий ои1г.нал больщой амплитуды дл быстрого переноса включенного состо ни в новые области структуры.

Цель предлагаемого изобретени - повышение допустимой величины скорости нарастани анодного тока и повышение рабочей 4iacTOTbi.

Дл эффективного самовозбуждени сигнал полевой части эмиттера должен быть достаточно большим, что и осуществл етс в

предлагаемой конструкции за счет повышени сопротивлени полевой части элшттера.

Свободна от металлического покрыти часть эмиттера выполнена в виде узкой полосы , подход щей к центральной части структуры и охватывающей выход базового сло в обл-асти основного управл ющего электрода , а вспомогательные управл ющие электроды окружены эмиттерной областью. При этом сопротнвлен.и участков эмиттера между металл1ичеаким конта.ктом к нему и вспомогательными упр-авл ющими электродами одинаковы .

На фиг. 1 и 2 представлена предлагаема геометри эмиттерного сло четырехслойной структуры, где 1 - основной управл ющий электрод, 2 - электрод полевой области, 3 - вспомогательный управл ющий электрод.

Дл устранени возможного включени структуры вне области с повыщенным сопротивлением полевой части основной управл ющий электрод расположен так, что он охватываетс свободной от металлического пО|Крыти частью эмиттера. Сопротивление полевой части «-эмиттера при заданном легировании определ етс лишь геометрическими размерами и при заданной глубине тем больше, чем больше отношение длины к ширине. Область