SU481227A1

SU481227A1 - Полупроводниковый переключающий прибор

Info

Publication number: SU481227A1
Application number: SU7301922997A
Authority: SU
Inventors: Н.М. Беленьков; А.И. Курносов; Е.Е. Малицкий
Original assignee: Предприятие П/Я Х-5594
Priority date: 1973-05-29
Filing date: 1973-05-29
Publication date: 1978-10-05

Description

Изобретение относитс к области полупроводниковой техники.

Известны полупроводниковые переключатели , содержащие выемку в области узкой базы и в ней дополнительную h -область, смыкающуюс с широкой базой. Соотношение концентраций примесей на две-выемки и на поверхности дополнительной области определ ет у этих приборов величину напр жени включени .

Однако известные приборы имеют высокое значение температурного коэффициента напр жени (ТКН) включени , обусловленное наличием значительного сопротивлени .растекани в цепи тока включени из-за низкой концентрации примесей на дне выемки и, как следствие зтого, низкую температурную стабильность и значительный разброс по напр жению переключени от прибора к прибору.

Дл снижени величины ТКН включени и повышени стабильности переключател в предлагаемом приборе в выемку , расположенную в узкой базе, ввод т дополнительную область того же типа проводимости, что и узка база с концентрацией примеси на поверхнос .ти, по крайней мере, на пор док превышающей значение концентрации примеси на дне выемки. Указанна область может иметь,|Концентрацию примеси пор дка. 10 см . Область может иметь на поверхности слой металла.

На чертеже представлена схема предлагаемого полупроводникового переключающего прибора.

Прибор содержит р-эмиттер 1, контакт к нему (злектрод) 2, широкую П-базу 3, узкую р-базу 4,М -эмиттер

5,контакт кп -эмиттеру (электрод)

6,дополнительную область 7 р -типа, выемку 8, локальную область 9 П -типа , защитное покрытие 10.

Прибор работает следующим образом .

Claims

Рабочее напр жение подаетс между электродами 2 и 6 полупроводникового переключател и при его значении, меньшем напр жени перек.таочени , прибор находитс в закрытом состо нии. При превышении величины напр жени на электродах 2 и 6, большей значени напр жени пробо p-h-перехода, образованного базой 4 и областью 9 по цепи 2-1-3-9-4-7-5-6 начинает протекать ток, вл ющийс током управлени четырехслойной структуры по узкой р-базе, под действием которого полупроводниковый переключающий прибор переходит в провод щее состо ние. Наличие дополнительной области 7 на дне выемки и поверхности узкой р-базы с поверхностной концентрацией примеси по крайней мере, на пор до : превьшающей значение концентрации примеси на дне выемки, обеспечивает малые значени динамического сопротивлени вопьтамперной характеристики в области пробо , что и обуславли вает малое значение ТКН включени прибора и малый разброс по напр жени переключени от прибора к прибору в технологической партии. Минимальный разброс указанного параметра получаетс у приборов с предельно высокой (пор дка ) концентрацией примеси на дюверхности дополнительне области 7 р-типа при условии, что эта область частично перекрывает И-экмиттер прибора и ее рассто ние до геометрической границы p-h-перехода , образованного базой 4 и областью 9, не менее ширины обедненной области зтого р-п- перехода. Формула изобретени 1.Полупроводниковый переключающий прибор, содержащий многослойную структуру из чередующихс слоев противоположного типа проводимости, выемку в области узкой базы и область типа проводимости, противоположного узкой базе, смыкающуюс с широкой базой, отличающийс тем, что, с целью снижени температурного коэффициента напр жени включени прибора, в узкой базе между эмиттерным р-п- переходом и областью типа проводимости, противоположного узкой базе, создана приповерхностна область того же типа проводимости, что и узка база, с концентрацией примеси, по крайней мере, на пор док больше чем в базе.
2.Прибор по п.,, о т л и ч а ющ и и с тем, что, указанна об- ласть имеет концентрацию примеси пор дка 10 см .
3.Прибор по п,1, о т л и ч а ющ и и с тем, что область имеет на поверхности слой металла.