SU1840194A1 - Способ изготовления приборов с зарядовой связью с виртуальной фазой - Google Patents
Способ изготовления приборов с зарядовой связью с виртуальной фазойInfo
- Publication number
- SU1840194A1 SU1840194A1 SU4523296/28A SU4523296A SU1840194A1 SU 1840194 A1 SU1840194 A1 SU 1840194A1 SU 4523296/28 A SU4523296/28 A SU 4523296/28A SU 4523296 A SU4523296 A SU 4523296A SU 1840194 A1 SU1840194 A1 SU 1840194A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- windows
- alloyed
- alloying
- manufacturing
- oxidizing
- Prior art date
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
Изобретение относится к способам изготовления интегральных схем и полупроводниковых приборов и может быть использовано в производстве интегральных схем и полупроводниковых приборов различного назначения. Сущность: способ включает операции окисления, фотолитографии, ионного легирования и термического отжига. При этом после окисления наносят высокоомный поликремний, в котором последовательно вскрывают окна над легируемыми областями, начиная с области с максимальным уровнем легирования. После каждого вскрытия окон проводят ионное легирование, затем проводят одновременный термический отжиг легированных областей. После этого формируют проводящий слой, вскрывают окна над областью виртуальной фазы и легируют примесью противоположного типа проводимости с последующим активирующим отжигом. Технический результат: повышение эффективности производства при одновременном упрощении процесса изготовления, увеличении степени интеграции и процента выхода годных. 1 ил.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4523296/28A SU1840194A1 (ru) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | Способ изготовления приборов с зарядовой связью с виртуальной фазой |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4523296/28A SU1840194A1 (ru) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | Способ изготовления приборов с зарядовой связью с виртуальной фазой |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1840194A1 true SU1840194A1 (ru) | 2006-08-10 |
Family
ID=60537821
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU4523296/28A SU1840194A1 (ru) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | Способ изготовления приборов с зарядовой связью с виртуальной фазой |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1840194A1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110223998A (zh) * | 2019-06-14 | 2019-09-10 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 具有超薄铂硅虚相栅电极的ccd像元结构及制作方法 |
-
1989
- 1989-11-27 SU SU4523296/28A patent/SU1840194A1/ru active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110223998A (zh) * | 2019-06-14 | 2019-09-10 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 具有超薄铂硅虚相栅电极的ccd像元结构及制作方法 |
CN110223998B (zh) * | 2019-06-14 | 2021-07-27 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 具有超薄铂硅虚相栅电极的ccd像元结构及制作方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3590471A (en) | Fabrication of insulated gate field-effect transistors involving ion implantation | |
US4463491A (en) | Method of fabricating a monolithic integrated circuit structure | |
KR870010625A (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
ATE54227T1 (de) | Verfahren zum herstellen von stabilen, niederohmigen kontakten in integrierten halbleiterschaltungen. | |
JPS5736844A (en) | Semiconductor device | |
US4033027A (en) | Dividing metal plated semiconductor wafers | |
KR890008988A (ko) | 전하저지층을 갖는 반도체 기억장치 및 그 제조방법 | |
ATE33323T1 (de) | Verfahren zum herstellen von aus doppelschichten aus hochschmelzenden metallsiliziden und dotiertem polykristallinem silizium bestehenden gate-elektroden. | |
EP0572214A3 (en) | Method for fabricating an interconnect structure in an integrated circuit | |
JP3382588B2 (ja) | 超伝導−通常−超伝導ジョセフソン接合中に通常層を作製するためのイオン注入の使用 | |
EP0263287A3 (en) | Forming a capacitor in an integrated circuit | |
SU1840194A1 (ru) | Способ изготовления приборов с зарядовой связью с виртуальной фазой | |
KR940010240A (ko) | 표면적이 극대화된 도전층 제조 방법 | |
TW362240B (en) | Forming process of capacitors in semiconductor and forming process of capacitors and gates in semiconductor | |
WO1996030940A3 (en) | METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE WITH BiCMOS CIRCUIT | |
KR970030333A (ko) | 반도체소자의 도전 배선 콘택 제조방법 | |
JPS63175420A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US3537920A (en) | Process for the production of diodes by electric pulses | |
EP0225224A3 (en) | After oxide metal alloy process | |
SU1176774A1 (ru) | Способ формирования диффузионных областей и контактов к ним | |
JPS647518A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
JPS6489371A (en) | Manufacture of semiconductor storage device | |
JPH07221300A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS6437056A (en) | Semiconductor device | |
KR910013496A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 |