SU1829818A1 - Способ получения высокотемпературных сверхпроводящих пленок - Google Patents

Способ получения высокотемпературных сверхпроводящих пленок

Info

Publication number
SU1829818A1
SU1829818A1 SU4936942/25A SU4936942A SU1829818A1 SU 1829818 A1 SU1829818 A1 SU 1829818A1 SU 4936942/25 A SU4936942/25 A SU 4936942/25A SU 4936942 A SU4936942 A SU 4936942A SU 1829818 A1 SU1829818 A1 SU 1829818A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
sputtering unit
sputtering
superconducting films
manufacture
distance
Prior art date
Application number
SU4936942/25A
Other languages
English (en)
Inventor
Ю.Е. Григорашвили
И.Л. Сотников
А.А. Фомин
Original Assignee
Московский институт электронной техники
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Московский институт электронной техники filed Critical Московский институт электронной техники
Priority to SU4936942/25A priority Critical patent/SU1829818A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1829818A1 publication Critical patent/SU1829818A1/ru

Links

Landscapes

  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)

Abstract

Сущность изобретения: способ включает осаждение сверхпроводниковых пленок путем распыления керамической мишени в катодном распылительном узле. Подложки размещают параллельно оси симметрии катодного распылительного узла между входным отверстием вакуумной откачкой системы и выходным отверстием системы напуска аргонаи кислорода на расстоянии l (4 - 20) D от катодного распылительного узла, где D расстояние между осью симметрии распылительного узла и распыляемой мишенью. Осаждение пленки проводят при величине газового потока через зону распыления 0,2 150 мм рт.ст.л./с. 1 ил.
SU4936942/25A 1991-05-20 1991-05-20 Способ получения высокотемпературных сверхпроводящих пленок SU1829818A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4936942/25A SU1829818A1 (ru) 1991-05-20 1991-05-20 Способ получения высокотемпературных сверхпроводящих пленок

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4936942/25A SU1829818A1 (ru) 1991-05-20 1991-05-20 Способ получения высокотемпературных сверхпроводящих пленок

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1829818A1 true SU1829818A1 (ru) 1995-07-09

Family

ID=60537412

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU4936942/25A SU1829818A1 (ru) 1991-05-20 1991-05-20 Способ получения высокотемпературных сверхпроводящих пленок

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1829818A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7858558B2 (en) 2006-05-19 2010-12-28 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Superconducting thin film material and method of manufacturing the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7858558B2 (en) 2006-05-19 2010-12-28 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Superconducting thin film material and method of manufacturing the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2965330D1 (en) Sputtering cathode and system for sputter-coating large area substrates
AU2047083A (en) Cathodic sputtering in a reactive gas
UA18259A (ru) StarWriter!! # / + ! "% ##
KR890002286A (ko) 플라즈마 향상된 산화규소 부착방법 및 진공시스템
DE3371797D1 (en) Rapid rate reactive sputtering of metallic compounds
Kadlec et al. Influence of the pumping speed on the hysteresis effect in the reactive sputtering of thin films
ES8708093A1 (es) Un aparato para la deposicion en continuo de material de aleacion semiconductora
SU1829818A1 (ru) Способ получения высокотемпературных сверхпроводящих пленок
SG40883A1 (en) Apparatus for coating substrates in a vacuum
EP0388957A3 (en) Process for depositing tantalum oxide film and chemical vapor deposition system used therefore
JPS5727079A (en) Manufacture of josephson element of oxide superconductor
CN112281126B (zh) 一种反应磁控溅射分离式布气法
JPS5741370A (en) Continuous sputtering device
JPS5569257A (en) Low-temperature sputtering unit
CN109576678B (zh) 一种金属-高分子多层复合薄膜的制备方法
JPS62220814A (ja) 液化ガスの蒸発量測定方法
Tzaneva et al. Effect of Substrate Temperature on the Morphology and Microstructure of Sputtered Cu--Sn Coatings
Weissman et al. Diagnostics of a low-pressure plasma spray[LPPS] deposition system
JPS63257130A (ja) 超電導薄膜の製造方法
Nakamura et al. Discharge Property and Thickness Uniformity of Facing Targets Sputtering System
Hoshi et al. Preparation of Ba-ferrite films for perpendicular magnetic recording by RF targets facing type of sputtering
JP3291566B2 (ja) 透明安定被膜形成方法
JPS649889A (en) Apparatus for molecular beam growth
Mr Commercial News
Grigorev et al. Electrophysical Properties of Niobium Films Obtained by Magnetron Sputtering