SU1829818A1 - Способ получения высокотемпературных сверхпроводящих пленок - Google Patents
Способ получения высокотемпературных сверхпроводящих пленокInfo
- Publication number
- SU1829818A1 SU1829818A1 SU4936942/25A SU4936942A SU1829818A1 SU 1829818 A1 SU1829818 A1 SU 1829818A1 SU 4936942/25 A SU4936942/25 A SU 4936942/25A SU 4936942 A SU4936942 A SU 4936942A SU 1829818 A1 SU1829818 A1 SU 1829818A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- sputtering unit
- sputtering
- superconducting films
- manufacture
- distance
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 abstract 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 1
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
Сущность изобретения: способ включает осаждение сверхпроводниковых пленок путем распыления керамической мишени в катодном распылительном узле. Подложки размещают параллельно оси симметрии катодного распылительного узла между входным отверстием вакуумной откачкой системы и выходным отверстием системы напуска аргонаи кислорода на расстоянии l (4 - 20) D от катодного распылительного узла, где D расстояние между осью симметрии распылительного узла и распыляемой мишенью. Осаждение пленки проводят при величине газового потока через зону распыления 0,2 150 мм рт.ст.л./с. 1 ил.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4936942/25A SU1829818A1 (ru) | 1991-05-20 | 1991-05-20 | Способ получения высокотемпературных сверхпроводящих пленок |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4936942/25A SU1829818A1 (ru) | 1991-05-20 | 1991-05-20 | Способ получения высокотемпературных сверхпроводящих пленок |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1829818A1 true SU1829818A1 (ru) | 1995-07-09 |
Family
ID=60537412
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU4936942/25A SU1829818A1 (ru) | 1991-05-20 | 1991-05-20 | Способ получения высокотемпературных сверхпроводящих пленок |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1829818A1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7858558B2 (en) | 2006-05-19 | 2010-12-28 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Superconducting thin film material and method of manufacturing the same |
-
1991
- 1991-05-20 SU SU4936942/25A patent/SU1829818A1/ru active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7858558B2 (en) | 2006-05-19 | 2010-12-28 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Superconducting thin film material and method of manufacturing the same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2965330D1 (en) | Sputtering cathode and system for sputter-coating large area substrates | |
AU2047083A (en) | Cathodic sputtering in a reactive gas | |
UA18259A (ru) | StarWriter!! # / + ! "% ## | |
KR890002286A (ko) | 플라즈마 향상된 산화규소 부착방법 및 진공시스템 | |
DE3371797D1 (en) | Rapid rate reactive sputtering of metallic compounds | |
Kadlec et al. | Influence of the pumping speed on the hysteresis effect in the reactive sputtering of thin films | |
ES8708093A1 (es) | Un aparato para la deposicion en continuo de material de aleacion semiconductora | |
SU1829818A1 (ru) | Способ получения высокотемпературных сверхпроводящих пленок | |
SG40883A1 (en) | Apparatus for coating substrates in a vacuum | |
EP0388957A3 (en) | Process for depositing tantalum oxide film and chemical vapor deposition system used therefore | |
JPS5727079A (en) | Manufacture of josephson element of oxide superconductor | |
CN112281126B (zh) | 一种反应磁控溅射分离式布气法 | |
JPS5741370A (en) | Continuous sputtering device | |
JPS5569257A (en) | Low-temperature sputtering unit | |
CN109576678B (zh) | 一种金属-高分子多层复合薄膜的制备方法 | |
JPS62220814A (ja) | 液化ガスの蒸発量測定方法 | |
Tzaneva et al. | Effect of Substrate Temperature on the Morphology and Microstructure of Sputtered Cu--Sn Coatings | |
Weissman et al. | Diagnostics of a low-pressure plasma spray[LPPS] deposition system | |
JPS63257130A (ja) | 超電導薄膜の製造方法 | |
Nakamura et al. | Discharge Property and Thickness Uniformity of Facing Targets Sputtering System | |
Hoshi et al. | Preparation of Ba-ferrite films for perpendicular magnetic recording by RF targets facing type of sputtering | |
JP3291566B2 (ja) | 透明安定被膜形成方法 | |
JPS649889A (en) | Apparatus for molecular beam growth | |
Mr | Commercial News | |
Grigorev et al. | Electrophysical Properties of Niobium Films Obtained by Magnetron Sputtering |