SU1732312A1 - Способ получени защитного покрыти на поверхности кремниевых оптических элементов - Google Patents
Способ получени защитного покрыти на поверхности кремниевых оптических элементов Download PDFInfo
- Publication number
- SU1732312A1 SU1732312A1 SU904788642A SU4788642A SU1732312A1 SU 1732312 A1 SU1732312 A1 SU 1732312A1 SU 904788642 A SU904788642 A SU 904788642A SU 4788642 A SU4788642 A SU 4788642A SU 1732312 A1 SU1732312 A1 SU 1732312A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- nitrogen
- gas
- silicon
- coating
- hydrogen
- Prior art date
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к технологии оптических элементов, может быть использовано дл получени защитных покрытий элементов технологических лазеров и позвол ет повысить коррозионную стойкость покрыти . Способ заключаетс в выдерживании кремниевой поверхности в потоке газа , представл ющего собой смесь азота
Description
Изобретение относитс к технологии оптических элементов и может быть использовано дл получени защитных покрытий элементов технологических лазеров.
Создание покрытий, защищающих от коррозии оптические элементы, в том числе и из кремни , вл етс одной из актуальных задач техники лазеров на парах металлов и их галогенидов, так как эксплуатаци оптических элементов в этих приборах осуществл етс при повышенных температурах (700-1000°С).
Известен способ получени покрыти из нитрида кремни , включающий реактивное распыление кремни в активной газовой среде (азота или аммиака) и последующее осаждение образующегос нитрида на поверхность издели . Этот способ не нашел применени в технологии оптических элементов, так как необходимым требованием, предъ вл емым к антикоррозионному покрытию оптического элемента,
вл етс отсутствие дополнительного поглощени и рассеивани на поверхности. Дл покрытий, полученных указанным способом , характерно наличие переходных слоев , кроме того, они имеют большую толщину, что существенно измен ет эксплуатационные характеристики оптического элемента в услови х воздействи мощного лазерного излучени .
Наиболее близким техническим решением к предлагаемому вл етс способ получени защитного покрыти на кремнии, включающий выдерживание кремниевой поверхности в потоке газа на основе азота, активированного в газовом разр де при пониженном давлении. В качестве активных частиц газа в данном способе используютс ионы азота, полученные в газовом разр де низкого давлени и ускоренные до энергии 10 кэВ. Доза ионов составл ет 1-3 х 1015 . В процессе обработки происходит имплантаци ионов в поверхность кремни .
Х|
СО
го со
ю
Дл создани более стойкого покрыти примен етс дополнительный отжиг обработанной ионами поверхности кремни в атмосфере аргона при 1020°С в течение 60 мин.
Недостатками указанного способа вл ютс низкое содержание азота в покрытии , что не дает возможности значительно повысить коррозионную стойкость поверхности кремни при повышенной температуре; нестабильность получаемых покрытий при повышенной температуре, привод ща к резким изменени м оптических и диэлектрических параметров поверхности; сложность оборудовани , используемого дл создани потока высокоэнергетических ионов; необходимость создани высокого вакуума; невозможность создани равномерных покрытий на издели х сложной конфигурации .
Цель изобретени - повышение коррозионной стойкости поверхности кремниевых оптических элементов.
Поставленна цель достигаетс тем, что в способе, включающем выдерживание кремниевой поверхности в потоке газа на основе азота, активированного в газовом разр де при пониженном давлении, в состав газа дополнительно введен водород при следующем содержании компонентов, об.%:
азот75-80
водород 20-25,
активацию газа осуществл ют импульсным электрическим разр дом в газовой среде при давлении газа 0,7-3,6 ГПа, скорости потока 0,5-2 л/ч до достижени концентрации атомов азота в зоне послесвечени 6 х х 10 15-1,5х 1016см 2, а выдерживание производ т в течение 30-60 мин при температуре 700°С.
При использовании изобретени получают покрыти с более высокой коррозион- ной стойкостью и более высоким содержанием стехиометрического нитрида кремни ; повышаетс стабильность оптических и диэлектрических параметров покрытий при нагревании; упрощаетс получение покрыти ввиду того, что в предлагаемом способе нет необходимости в применении сложного высоковакуумного оборудовани и ионных источников; нанос т покрыти на детали сложной формы.
На чертеже представлена схема установки , реализующей предложенный способ .
Основной частью установки вл етс реактор, в котором в разр дной трубке 1 происходит активаци газов в импульсном конденсированном разр де. Разр дна
трубка 1 представл ет собой модификацию трубки Вуда, в которую на шлифах вставлены алюминиевые электроды 2, охлаждаемые проточной водой. Рассто ние между
электродами 470 мм. Оптический элемент из кремни помещаетс через шлиф 4 на кварцевую платформу 5. Азотна смесь вводитс в реактор через кран 7, пройд систему очистки. Скорость газового потока
0 измер етс ротаметром 8, регулировка скорости проводитс краном 7. Датчики 9 измерени давлени располагаютс на входе и выходе из реактора. Проточный режим работы реактора обеспечиваетс форвакуум5 ным насосом НВЗ-20. Дл предварительного обезгаживани стенок реактора используетс магниторазр дный насос НОРД-100. Электрическое питание разр да осуществл етс от блока питани
0 БП-5000 и разр дного блока (не показаны). Суммарна емкость конденсаторной батареи 4,17 мкФ, напр жение на электродах 1200-1300 В, длительность импульса 20 мкс, частота 20 Гц.
5Способ осуществл ют следующим образом .
Кремниевый оптический элемент помещают на платформу 5 на рассто ние 10 см от разр да. Рассто ние 10 см от разр да
0 соответствует зоне послесвечени , где наблюдаетс максимальна концентраци атомов азота и водорода и полна дезактиваци ионов. Проводитс откачка реактора. Затем устанавливаетс скорость протока
5 смеси азота и водорода 0,5-2 л/ч и давление в реакторе 0,7-3,6 ГПа. Эти параметры вл ютс оптимальными, так как обеспечивают концентрацию атомов азота от 6 х 10
15 , . a IUIVHJB aju i а и i и л i и
до 1,5 х 10 , необходимую дл осуще0 ствлени реакции образовани покрыти на кремнии с повышенной коррозионной стойкостью .
Дл скорости потока ниже 0,5 л/ч за счет рекомбинации атомов азота снижаетс
5 их концентраци в послесвечении. Увеличение скорости потока выше 2 л/ч ведет к уменьшению степени диссоциации азота в разр де, что также снижает концентрацию атомов азота.
0 Диапазон давлени 0,7-3,6 ГПа обусловлен тем, что при давлении ниже 0,7 ГПа концентраци атомов азота недостаточна дл получени сплошного покрыти на кремнии. Повышение давлени выше 3,6
5 ГПа приводит к росту напр жени горени и нагреву газа, что может вызвать нестабильность параметров импульсного разр да .
С помощью печи сопротивлени осуществл ют нагрев поверхности оптического
элемента в реакторе до 700°С. Данна температура соответствует получению слоев с максимальной концентрацией нитрида кремни . Как при снижении, так и при повышении температуры концентраци нитрида кремни в покрытии убывает.
Затем включают импульсный конденсированный разр д. Врем обработки поверхности кремниевого оптического элемента в зоне послесвечени разр да соответствует времени горени разр да. Оптимальное врем обработки составл ет 30-60 мин. Выдерживание оптического элемента в зоне послесвечени разр да менее 30 мин приводит к образованию тонкой пленки, не обеспечивающей достаточно высокой коррозионной стойкости поверхности кремни . Обработка более 60 мин не приводит к увеличению толщины покрыти .
Оптимальное содержание водорода в азотводородной смеси составл ет 20-25 об.%. При уменьшении содержани водорода резко снижаетс концентраци нитрида кремни в слое. При повышении содержани водорода уменьшаетс концентраци атомов азота в зоне проведени реакции.
Наличие азота в покрыти х подтверждено методом оже-спектроскопии на образцах-свидетел х .
Оптические посто нные и толщина покрытий контролируютс методом эллипсо- метрии на эллипсометре ЛЭФ-ЗМ на длине волны Я 632,8 нм путем многоугловых измерений . Вычислени толщины d и показател преломлени п покрытий по данным эллипсометрических измерений провод т на ЭВМ ЕС-1045 по программе решени обратной задачи эллипсометрии.
Результаты исследований приведены в табл.1.
Эллипсометрические измерени показывают , что покрытие с показателем преломлени , близким по величине к показателю преломлени нитрида кремни
0
х(2,035), т.е. с максимальным содержанием нитрида кремни , получаетс при температуре 700°С, концентрации водорода в азот- водородной смеси 20-25 об.%.
Таким образом, эти услови получени покрыти вл ютс оптимальными. Эллипсометрические измерени также показали, что при получении покрыти в оптимальных услови х (температура 700°С, концентрации водорода в смеси 20-25 об.%) увеличени толщины покрыти практически не происходит при увеличении времени выдерживани поверхности кремни в потоке атомарного азота и водорода более 60 мин. Полученные покрыти испытывают на коррозионную устойчивость при 1020°С во влажном кислороде.
Результаты испытаний приведены в табл. 2.
Из табл. 2 следует, что покрыти вл ютс устойчивыми в этих услови х в течение 430-440 мин. Эта величина выше, чем устойчивость покрытий, полученных известным способом - 370 мин.
Claims (1)
- Формула изобретениСпособ получени защитного покрыти на поверхности кремниевых оптических элементов , включающий выдерживание кремниевой поверхности в потоке газа на основе азота, активированного в газовом разр де при пониженном давлении, отличающий- с тем, что, с целью повышени коррозионной стойкости покрыти , в состав газа дополнительно введен водород при следующем со- 5 держании компонентов, об.%:Азот75-80Водород20-25,активацию газа осуществл ют импульсным электрическим разр дом в газовой среде при давлении газа 0,7-3,6 ГПа и скорости потока050500,5-2 л/ч до достижени концентрации атомов азота в зоне послесвечени 6 - 1015-1,5 10 см , а выдерживание производ т в течение 30-60 мин при температуре 700°С.Т а б л и ц а 1Таблица2AfcИгк насосам3J
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU904788642A SU1732312A1 (ru) | 1990-02-07 | 1990-02-07 | Способ получени защитного покрыти на поверхности кремниевых оптических элементов |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU904788642A SU1732312A1 (ru) | 1990-02-07 | 1990-02-07 | Способ получени защитного покрыти на поверхности кремниевых оптических элементов |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1732312A1 true SU1732312A1 (ru) | 1992-05-07 |
Family
ID=21494770
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU904788642A SU1732312A1 (ru) | 1990-02-07 | 1990-02-07 | Способ получени защитного покрыти на поверхности кремниевых оптических элементов |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1732312A1 (ru) |
-
1990
- 1990-02-07 SU SU904788642A patent/SU1732312A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Технологи тонких пленок. Справочник. /Под ред. Л.Майссела, Р.Гленга, М.: Советское радио, 1977, с. 441. Schott К., Hofmann K.C., Schulz M. Applied Physics, v. A 45, № 73-76, 1988, p. 73. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2690460B2 (ja) | 半導体材料のプラズマ除去法 | |
US4200666A (en) | Single component monomer for silicon nitride deposition | |
US4849081A (en) | Formation of oxide films by reactive sputtering | |
Granier et al. | Diagnostics in helicon plasmas for deposition | |
Zajíčková et al. | Deposition of protective coatings in rf organosilicon discharges | |
DK0605534T3 (da) | Apparatur og fremgangsmåde til hurtige plasmabehandlinger | |
JPH06509142A (ja) | 繊維の処理、装置及び得られる生成物 | |
GB2290087A (en) | Method for forming a ferroelectric film | |
SU1732312A1 (ru) | Способ получени защитного покрыти на поверхности кремниевых оптических элементов | |
Martinů et al. | Monitoring the deposition process of metal-doped polymer films using optical emission spectroscopy | |
Gabriel et al. | Transient and stable species kinetics in pulsed cc-rf CF4/H2 plasmas and their relation to surface processes | |
Zhang et al. | Ultrathin high-quality tantalum pentoxide films grown by photoinduced chemical vapor deposition | |
Brooks et al. | Plasma-enhanced chemical vapor deposition of silicon nitride from 1, 1, 3, 3, 5, 5-hexamethylcyclotrisilazane and ammonia | |
Durrant et al. | PECVD of amorphous hydrogenated oxygenated nitrogenated carbon films | |
Petitjean et al. | SiO2 deposition by direct photolysis at 185 nm of N2O and SiH4 | |
JPH08115912A (ja) | 窒化ケイ素薄膜の作製方法 | |
JPH07118826A (ja) | 金属部材のイオン窒化方法 | |
Gabriel et al. | Time resolved measurements of the CF2 rotational temperature in pulsed fluorocarbon rf plasmas | |
SU1664871A1 (ru) | Способ получени покрыти из нитрида меди на медных оптических элементах | |
Prohaska et al. | Preparation and characterization of plasma polymerized (ethylene+ oxygen) thin films | |
Novopashin et al. | Effect of composition nonstoichiometry on the optical properties of titanium dioxide films | |
Barinov et al. | Kinetics of growth and plasma destruction of polymer films deposited in a glow discharge in methane | |
SU1730202A1 (ru) | Способ очистки поверхности медных зеркал | |
Santos et al. | Diverse amorphous carbonaceous thin films obtained by plasma enhanced chemical vapor deposition and plasma immersion ion implantation and deposition | |
Durrant et al. | Fluorine-containing amorphous hydrogenated carbon films |