SU1732312A1 - Способ получени защитного покрыти на поверхности кремниевых оптических элементов - Google Patents

Способ получени защитного покрыти на поверхности кремниевых оптических элементов Download PDF

Info

Publication number
SU1732312A1
SU1732312A1 SU904788642A SU4788642A SU1732312A1 SU 1732312 A1 SU1732312 A1 SU 1732312A1 SU 904788642 A SU904788642 A SU 904788642A SU 4788642 A SU4788642 A SU 4788642A SU 1732312 A1 SU1732312 A1 SU 1732312A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
nitrogen
gas
silicon
coating
hydrogen
Prior art date
Application number
SU904788642A
Other languages
English (en)
Inventor
Ольга Михайловна Книпович
Валерия Ивановна Воронина
Наталья Ивановна Конюшкина
Александр Михайлович Гаськов
Original Assignee
Научно-производственное объединение "Астрофизика"
МГУ им.М.В.Ломоносова
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Научно-производственное объединение "Астрофизика", МГУ им.М.В.Ломоносова filed Critical Научно-производственное объединение "Астрофизика"
Priority to SU904788642A priority Critical patent/SU1732312A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1732312A1 publication Critical patent/SU1732312A1/ru

Links

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к технологии оптических элементов, может быть использовано дл  получени  защитных покрытий элементов технологических лазеров и позвол ет повысить коррозионную стойкость покрыти . Способ заключаетс  в выдерживании кремниевой поверхности в потоке газа , представл ющего собой смесь азота

Description

Изобретение относитс  к технологии оптических элементов и может быть использовано дл  получени  защитных покрытий элементов технологических лазеров.
Создание покрытий, защищающих от коррозии оптические элементы, в том числе и из кремни ,  вл етс  одной из актуальных задач техники лазеров на парах металлов и их галогенидов, так как эксплуатаци  оптических элементов в этих приборах осуществл етс  при повышенных температурах (700-1000°С).
Известен способ получени  покрыти  из нитрида кремни , включающий реактивное распыление кремни  в активной газовой среде (азота или аммиака) и последующее осаждение образующегос  нитрида на поверхность издели . Этот способ не нашел применени  в технологии оптических элементов, так как необходимым требованием, предъ вл емым к антикоррозионному покрытию оптического элемента,
 вл етс  отсутствие дополнительного поглощени  и рассеивани  на поверхности. Дл  покрытий, полученных указанным способом , характерно наличие переходных слоев , кроме того, они имеют большую толщину, что существенно измен ет эксплуатационные характеристики оптического элемента в услови х воздействи  мощного лазерного излучени .
Наиболее близким техническим решением к предлагаемому  вл етс  способ получени  защитного покрыти  на кремнии, включающий выдерживание кремниевой поверхности в потоке газа на основе азота, активированного в газовом разр де при пониженном давлении. В качестве активных частиц газа в данном способе используютс  ионы азота, полученные в газовом разр де низкого давлени  и ускоренные до энергии 10 кэВ. Доза ионов составл ет 1-3 х 1015 . В процессе обработки происходит имплантаци  ионов в поверхность кремни .
Х|
СО
го со
ю
Дл  создани  более стойкого покрыти  примен етс  дополнительный отжиг обработанной ионами поверхности кремни  в атмосфере аргона при 1020°С в течение 60 мин.
Недостатками указанного способа  вл ютс  низкое содержание азота в покрытии , что не дает возможности значительно повысить коррозионную стойкость поверхности кремни  при повышенной температуре; нестабильность получаемых покрытий при повышенной температуре, привод ща  к резким изменени м оптических и диэлектрических параметров поверхности; сложность оборудовани , используемого дл  создани  потока высокоэнергетических ионов; необходимость создани  высокого вакуума; невозможность создани  равномерных покрытий на издели х сложной конфигурации .
Цель изобретени  - повышение коррозионной стойкости поверхности кремниевых оптических элементов.
Поставленна  цель достигаетс  тем, что в способе, включающем выдерживание кремниевой поверхности в потоке газа на основе азота, активированного в газовом разр де при пониженном давлении, в состав газа дополнительно введен водород при следующем содержании компонентов, об.%:
азот75-80
водород 20-25,
активацию газа осуществл ют импульсным электрическим разр дом в газовой среде при давлении газа 0,7-3,6 ГПа, скорости потока 0,5-2 л/ч до достижени  концентрации атомов азота в зоне послесвечени  6 х х 10 15-1,5х 1016см 2, а выдерживание производ т в течение 30-60 мин при температуре 700°С.
При использовании изобретени  получают покрыти  с более высокой коррозион- ной стойкостью и более высоким содержанием стехиометрического нитрида кремни ; повышаетс  стабильность оптических и диэлектрических параметров покрытий при нагревании; упрощаетс  получение покрыти  ввиду того, что в предлагаемом способе нет необходимости в применении сложного высоковакуумного оборудовани  и ионных источников; нанос т покрыти  на детали сложной формы.
На чертеже представлена схема установки , реализующей предложенный способ .
Основной частью установки  вл етс  реактор, в котором в разр дной трубке 1 происходит активаци  газов в импульсном конденсированном разр де. Разр дна 
трубка 1 представл ет собой модификацию трубки Вуда, в которую на шлифах вставлены алюминиевые электроды 2, охлаждаемые проточной водой. Рассто ние между
электродами 470 мм. Оптический элемент из кремни  помещаетс  через шлиф 4 на кварцевую платформу 5. Азотна  смесь вводитс  в реактор через кран 7, пройд  систему очистки. Скорость газового потока
0 измер етс  ротаметром 8, регулировка скорости проводитс  краном 7. Датчики 9 измерени  давлени  располагаютс  на входе и выходе из реактора. Проточный режим работы реактора обеспечиваетс  форвакуум5 ным насосом НВЗ-20. Дл  предварительного обезгаживани  стенок реактора используетс  магниторазр дный насос НОРД-100. Электрическое питание разр да осуществл етс  от блока питани 
0 БП-5000 и разр дного блока (не показаны). Суммарна  емкость конденсаторной батареи 4,17 мкФ, напр жение на электродах 1200-1300 В, длительность импульса 20 мкс, частота 20 Гц.
5Способ осуществл ют следующим образом .
Кремниевый оптический элемент помещают на платформу 5 на рассто ние 10 см от разр да. Рассто ние 10 см от разр да
0 соответствует зоне послесвечени , где наблюдаетс  максимальна  концентраци  атомов азота и водорода и полна  дезактиваци  ионов. Проводитс  откачка реактора. Затем устанавливаетс  скорость протока
5 смеси азота и водорода 0,5-2 л/ч и давление в реакторе 0,7-3,6 ГПа. Эти параметры  вл ютс  оптимальными, так как обеспечивают концентрацию атомов азота от 6 х 10
15 , . a IUIVHJB aju i а и i и л i и
до 1,5 х 10 , необходимую дл  осуще0 ствлени  реакции образовани  покрыти  на кремнии с повышенной коррозионной стойкостью .
Дл  скорости потока ниже 0,5 л/ч за счет рекомбинации атомов азота снижаетс 
5 их концентраци  в послесвечении. Увеличение скорости потока выше 2 л/ч ведет к уменьшению степени диссоциации азота в разр де, что также снижает концентрацию атомов азота.
0 Диапазон давлени  0,7-3,6 ГПа обусловлен тем, что при давлении ниже 0,7 ГПа концентраци  атомов азота недостаточна дл  получени  сплошного покрыти  на кремнии. Повышение давлени  выше 3,6
5 ГПа приводит к росту напр жени  горени  и нагреву газа, что может вызвать нестабильность параметров импульсного разр да .
С помощью печи сопротивлени  осуществл ют нагрев поверхности оптического
элемента в реакторе до 700°С. Данна  температура соответствует получению слоев с максимальной концентрацией нитрида кремни . Как при снижении, так и при повышении температуры концентраци  нитрида кремни  в покрытии убывает.
Затем включают импульсный конденсированный разр д. Врем  обработки поверхности кремниевого оптического элемента в зоне послесвечени  разр да соответствует времени горени  разр да. Оптимальное врем  обработки составл ет 30-60 мин. Выдерживание оптического элемента в зоне послесвечени  разр да менее 30 мин приводит к образованию тонкой пленки, не обеспечивающей достаточно высокой коррозионной стойкости поверхности кремни . Обработка более 60 мин не приводит к увеличению толщины покрыти .
Оптимальное содержание водорода в азотводородной смеси составл ет 20-25 об.%. При уменьшении содержани  водорода резко снижаетс  концентраци  нитрида кремни  в слое. При повышении содержани  водорода уменьшаетс  концентраци  атомов азота в зоне проведени  реакции.
Наличие азота в покрыти х подтверждено методом оже-спектроскопии на образцах-свидетел х .
Оптические посто нные и толщина покрытий контролируютс  методом эллипсо- метрии на эллипсометре ЛЭФ-ЗМ на длине волны Я 632,8 нм путем многоугловых измерений . Вычислени  толщины d и показател  преломлени  п покрытий по данным эллипсометрических измерений провод т на ЭВМ ЕС-1045 по программе решени  обратной задачи эллипсометрии.
Результаты исследований приведены в табл.1.
Эллипсометрические измерени  показывают , что покрытие с показателем преломлени , близким по величине к показателю преломлени  нитрида кремни 
0
х(2,035), т.е. с максимальным содержанием нитрида кремни , получаетс  при температуре 700°С, концентрации водорода в азот- водородной смеси 20-25 об.%.
Таким образом, эти услови  получени  покрыти   вл ютс  оптимальными. Эллипсометрические измерени  также показали, что при получении покрыти  в оптимальных услови х (температура 700°С, концентрации водорода в смеси 20-25 об.%) увеличени  толщины покрыти  практически не происходит при увеличении времени выдерживани  поверхности кремни  в потоке атомарного азота и водорода более 60 мин. Полученные покрыти  испытывают на коррозионную устойчивость при 1020°С во влажном кислороде.
Результаты испытаний приведены в табл. 2.
Из табл. 2 следует, что покрыти   вл ютс  устойчивыми в этих услови х в течение 430-440 мин. Эта величина выше, чем устойчивость покрытий, полученных известным способом - 370 мин.

Claims (1)

  1. Формула изобретени 
    Способ получени  защитного покрыти  на поверхности кремниевых оптических элементов , включающий выдерживание кремниевой поверхности в потоке газа на основе азота, активированного в газовом разр де при пониженном давлении, отличающий- с   тем, что, с целью повышени  коррозионной стойкости покрыти , в состав газа дополнительно введен водород при следующем со- 5 держании компонентов, об.%:
    Азот75-80
    Водород20-25,
    активацию газа осуществл ют импульсным электрическим разр дом в газовой среде при давлении газа 0,7-3,6 ГПа и скорости потока
    0
    5
    0
    5
    0
    0,5-2 л/ч до достижени  концентрации атомов азота в зоне послесвечени  6 - 1015-1,5 10 см , а выдерживание производ т в течение 30-60 мин при температуре 700°С.
    Т а б л и ц а 1
    Таблица2
    Afc
    Иг
    к насосам
    3
    J
SU904788642A 1990-02-07 1990-02-07 Способ получени защитного покрыти на поверхности кремниевых оптических элементов SU1732312A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU904788642A SU1732312A1 (ru) 1990-02-07 1990-02-07 Способ получени защитного покрыти на поверхности кремниевых оптических элементов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU904788642A SU1732312A1 (ru) 1990-02-07 1990-02-07 Способ получени защитного покрыти на поверхности кремниевых оптических элементов

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1732312A1 true SU1732312A1 (ru) 1992-05-07

Family

ID=21494770

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU904788642A SU1732312A1 (ru) 1990-02-07 1990-02-07 Способ получени защитного покрыти на поверхности кремниевых оптических элементов

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1732312A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Технологи тонких пленок. Справочник. /Под ред. Л.Майссела, Р.Гленга, М.: Советское радио, 1977, с. 441. Schott К., Hofmann K.C., Schulz M. Applied Physics, v. A 45, № 73-76, 1988, p. 73. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2690460B2 (ja) 半導体材料のプラズマ除去法
US4200666A (en) Single component monomer for silicon nitride deposition
US4849081A (en) Formation of oxide films by reactive sputtering
JP3192655B2 (ja) 繊維の処理、装置及び得られる生成物
DK0605534T3 (da) Apparatur og fremgangsmåde til hurtige plasmabehandlinger
Zajíčková et al. Deposition of protective coatings in rf organosilicon discharges
GB2290087A (en) Method for forming a ferroelectric film
SU1732312A1 (ru) Способ получени защитного покрыти на поверхности кремниевых оптических элементов
Schoenholtz et al. Plasma-enhanced deposition of silicon oxynitride films
Belyung et al. The AlO+ O2 reaction system over a wide temperature range
US4303635A (en) Zinc sulfide body for optical purposes
Gabriel et al. Transient and stable species kinetics in pulsed cc-rf CF4/H2 plasmas and their relation to surface processes
Zhang et al. Ultrathin high-quality tantalum pentoxide films grown by photoinduced chemical vapor deposition
Brooks et al. Plasma-enhanced chemical vapor deposition of silicon nitride from 1, 1, 3, 3, 5, 5-hexamethylcyclotrisilazane and ammonia
JP4546675B2 (ja) 多段型の放電プラズマ処理方法及び装置
Mendez et al. Preparation of cubic boron nitride films by plasma-enhanced chemical vapour deposition of BF3, N2 and H2 gas mixtures
Biederman Deposition of polymer films in low pressure reactive plasmas
Kamisugi et al. Behavior of F atoms and CF2 radicals in fluorocarbon plasmas for SiO2/Si etching
Petitjean et al. SiO2 deposition by direct photolysis at 185 nm of N2O and SiH4
JPH08115912A (ja) 窒化ケイ素薄膜の作製方法
Klotzbücher et al. Structure and chemical composition of BN thin films grown by pulsed-laser deposition (PLD)
JPH07118826A (ja) 金属部材のイオン窒化方法
Gabriel et al. Time resolved measurements of the CF2 rotational temperature in pulsed fluorocarbon rf plasmas
SU1664871A1 (ru) Способ получени покрыти из нитрида меди на медных оптических элементах
McFall et al. Use of in situ ellipsometry to observe phase transitions during boron nitride thin film deposition