SU1726452A1 - Шихта сегнетокерамического материала дл термостабильных конденсаторов - Google Patents
Шихта сегнетокерамического материала дл термостабильных конденсаторов Download PDFInfo
- Publication number
- SU1726452A1 SU1726452A1 SU894774398A SU4774398A SU1726452A1 SU 1726452 A1 SU1726452 A1 SU 1726452A1 SU 894774398 A SU894774398 A SU 894774398A SU 4774398 A SU4774398 A SU 4774398A SU 1726452 A1 SU1726452 A1 SU 1726452A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- dielectric constant
- barium
- titanyl oxalate
- thermally decomposed
- niobium oxide
- Prior art date
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
Сущность изобретени : шихта включает (мае. %) термически разложенный титанил- оксалат бари 99,11-99,35; пентоксид ниоби 0,57-0,73; оксид кобальта 0,08-0,16. Материал готов т по обычной керамической технологии, перед смешиванием компонентов шихты провод т прокалку титанил-окса- лата бари при температуре 1100°С. Материал, полученный из предложенной шихты, имеет следующие характеристики: епри 20°С 2900-3700, Де /Ј20°с ± 10% в интервале - 60 + 125°С. 1 табл, сл и диэлектрической проницаемостью 1500- 2000. Известен керамический материал, содержащий титанат бари , (V) оксид ниоби и другие добавки, диэлектрическа проницаемость которого составл ет 2960-3100 при ее изменении в интервале температур от-60 до 125°С, равном ±14%. Наиболее близкой по технической сущности к предлагаемому изобретению вл етс шихта сегнетокерамического материала, включающа термически разложенный титанил-оксалат бари , (V) оксид ниоби и добавки оксидов редкоземельных элементов. Материал имеет следующие электрические свойства: диэлектрическа проницаемость 3000, относительное изменение диэлектрической проницаемости в интерваVI го CS сл ю
Description
ле температур от -60 до 125°С по группе Н20,т.е. ДЈ/Ј20°с не превышает+20%.
Однако така шихта характеризуетс недостаточно высокой температурной стабильностью диэлектрической проницаемости .
Цель изобретени - повышение температурной стабильности материала при сохранении высокой диэлектрической проницаемости, а также обеспечение высокой эластической прочности и малого изменени диэлектрической проницаемости при воздействии посто нного электрического пол .
Поставленна цель достигаетс тем, что шихта сегнетокерамического материала, включающа термически разложенный титанил-оксалат бари , (V) оксид ниоби и добавку , содержит в качестве добавки оксид кобальта при следующем соотношении компонентов , мас.%:
Титанил-оксалат бари
ВаТЮ(С2СМ)2.4Н2099,11-99,35
Оксид ниоби (V) Nb20s 0,57-0,73
Оксид кобальта СозО 0,08-0,16
Предлагаемый материал готов т по обычной керамической технологии как путем сухого помола и смешени в вибромельнице в течение 4 ч, так и мокрым помолом в шаровой мельнице в течение 24 ч. Рекомендуема удельна поверхность готовой шихты материала 2 м /ч.
Предварительно перед смешением компонентов провод т прокалку титанил-окса- лата бари при 1100°С, в результате чего образуетс титанат бари ВаТЮз, к которому добавл ютс оксиды ниоби и кобальта в количествах, обеспечивающих за вл емое отношение. Свойства материала провер ют на дисках, оформленных методом прессовани , обжиг заготовок провод т в электропечах при 1360-1460°С, в качестве электродов используют серебро.
Электрические свойства предлагаемого материала и материала-прототипа представлены в таблице. Относительное изменение диэлектрической проницаемости в интервале температур от - 60 до 125°CAf/ Ј20°с определ ют следующим образом: измер ют температурную зависимостью и вычисл ют относительное ее изменение по формулам:
Де -бо°с
Ј20°С ДЈ.+125°С
. Ј -60°С - Ј 20°С .
Ј 20°С Ј +125°С - Ј 20°С
Ј20°СЈ20°С
Аналогично определ ют Де /Ј20°с в других точках температурного интервала.
Расчет относительного изменени диэлектрической проницаемости при воздействии посто нного электрического пол Де/е о проводитс следующим образом: измер ют диэлектрическую проницаемость образцов без приложени посто нного напр жени (Ј ) и с приложением посто нного электрического пол Ео ( 8 о). Изменение диэлектрической проницаемости вычисл ют по формуле Ае Ј о - Ј Ј оКо
Claims (1)
- Формула изобретениШихта сегнетокерамического материала дл термостабильных конденсаторов, включающа термически разложенный ти- танил-оксалат бари (V) оксид ниоби и добавку , отличающа с тем, что, с целью повышени температурной стабильности материала при сохранении высокой диэлектрической проницаемости, она содержит в качестве добавки оксид кобальта при следующем соотношении компонентов, мас.%: Термически разложенный титанил-оксалат бари 99,11-99,35(V) оксид ниоби 0,57-0,73Оксид кобальта0,08-0,16Диэлектрическа проницаемость при 20°С, tjtfc 29Относительное изменение диэлектрической проницаемости в интервале температур от-60 до 125 С, дЈ/его«с (не более)ЮОтносительное изменение диэлектрической проницаемости при воздействии посто нного электрического пол напр женностью3100-3600 3200-3700 1900-2500 2700-11500 3000+ 10 -12+ 10 -АО+10 -5020
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU894774398A SU1726452A1 (ru) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | Шихта сегнетокерамического материала дл термостабильных конденсаторов |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU894774398A SU1726452A1 (ru) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | Шихта сегнетокерамического материала дл термостабильных конденсаторов |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1726452A1 true SU1726452A1 (ru) | 1992-04-15 |
Family
ID=21487393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU894774398A SU1726452A1 (ru) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | Шихта сегнетокерамического материала дл термостабильных конденсаторов |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1726452A1 (ru) |
-
1989
- 1989-12-26 SU SU894774398A patent/SU1726452A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| OCf 11.0309-86. Материалы керамические дл изделий электронной техники. 1986. Авторское свидетельство СССР № 1258825, кл. С 04 В 35/46, Н 01 G 4/12, опублик. 1986. Балакишиева Т.А. и др. II Всесоюзна конференци по физико-химическим основам технологии сегнетоэлектрических и родственных материалов. Звенигород, 24- 28 окт., 1988. - Тезисы доклада, М., 1988, с.98. Изобретение относитс к радиоэлектронной технике и может быть использовано в производстве керамических конденсаторов низкого и высокого напр жени . Известны сегнетокерамические материалы диэлектриков на основе соединений бари и титана (ВаТЮз), дл которых характерны высокие значени диэлектрической проницаемости, ее высока температурна стабильность и относительно слаба зависимость от напр женности посто нного пол , а также высока электрическа прочность. Так, керамические материалы Т-1000 и Т-2000 характеризуютс величиной относительного изменени диэлектрической проницаемости в интервале температур от -60 до 125°С Ае /Ј20°с не более ±1 * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0256405B1 (en) | Semiconductive ceramic composition | |
| SU1726452A1 (ru) | Шихта сегнетокерамического материала дл термостабильных конденсаторов | |
| KR980009198A (ko) | 유전체 세라믹 조성물 | |
| US4338403A (en) | Dielectric ceramics | |
| JPS6256361A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| SU785273A1 (ru) | Керамический конденсаторный материал | |
| US2624709A (en) | Ceramic bodies | |
| JPH0237045B2 (ru) | ||
| JP2977707B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
| SU692812A1 (ru) | Сегнетокерамический материал | |
| JPH0571538B2 (ru) | ||
| JPH06309926A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| KR940003969B1 (ko) | 적층칩 lc필터제조용 자기조성물 | |
| SU927785A1 (ru) | Керамический материал дл изготовлени конденсаторов | |
| SU1460057A1 (ru) | Пьезокерамический материал | |
| JPH0670944B2 (ja) | 低損失磁器コンデンサ | |
| JP2950672B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS6031793B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| SU729167A1 (ru) | Сегнетоэлектрический материал | |
| SU1364611A1 (ru) | Шихта сегнетоэлектрического керамического материала | |
| JPH06325620A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS6223405B2 (ru) | ||
| SU928432A1 (ru) | Керамический материал дл высокочастотных конденсаторов | |
| JPS62243207A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| SU1583393A1 (ru) | Шихта сегнетокерамического материала дл конденсаторов |