SU1583393A1 - Шихта сегнетокерамического материала дл конденсаторов - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к материалам радиоэлектронной техники и может быть использовано в производстве многослойных монолитных керамических конденсаторов. Дл  снижени  диэлектрических потерь и повышени  температурной стабильности диэлектрической проницаемости материала шихта сегнетокерамического материала дл  конденсаторов содержит дополнительно Y 2O 3 при следующем соотношении компонентов, мас.%: BATIO 3 88,00-89,90

CAZRO 3 7,50-7,90

ZNO 1,40-1,65

ND 2O 3 0,80-1,40

NB 2O 5 0,30-0,60

MNCO 3 0,05-0,15 и Y 2O 3 0,05-0,30. Полученный из указанной шихты материал имеет следующие характеристики: ε 20 9000-14000

Δε/ε в интервале температур (-60...+85)°С - 48...-84%

TGδ 0,0021-0,0048. 2 табл.

Description

Изобретение относитс  к материалам радиоэлектронной техники и может быть использовано в производстве многослойных монолитных керамических конденсаторов.

Цель изобретени  - снижение диэлектрических потерь и повышение темпет ратурной стабильности диэлектрической проницаемости материала.

Материал приготавливаетс  по обычной керамической технологии: сухой помол в вибромельнице с резиновой футеровкой и стальными шарами в течение 2-4 ч до удельной поверхности не менее 5500 см /г, Загрузку компонентов провод т согласно указанному соотношению компонентов. В полученную массу ввод т св зку (поливиниловый спирт в количестве 8%) и методом прессовани  изготавливают образцы в виде дисков

дл  испытаний. Образцы обжигают в интервале температур 1320-1380 С, затем нанос т электрод методом вжигани  серебр ной пасты при 800 С и измер ют электрические характеристики.

Составы шихты приведены в табл. 1} характеристики материала, полученного из указанных составов, - в табл. 2.

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   Шихта сегнетокерамического материала дл  конденсаторов, включающа  BaTi03 , CaZr03, ZnO, Nd703, и МпСОз, отличающа с  тем, что, с целью снижени  диэлектрических потерь и повышени  температурной стабильности диэлектрической проницаемости материала, она содержит дополнительно YaO з при следующем соотношении компонентов, мас.%:

   сд

   00 ОЭ

   00

   со оэ

   88,00-89,90 7,50-7,90 1,40-1,65 0,80-1,40

   0,30-0,60 0,05-0,15 0,05-0,30

   Компоненты Содержание, мае.%, в составе шихты :-г

   1 3

   BaTiC-з89,98888,9

   CaZr037,57,97,8

   Nd203 0,81,41,2

   NbjO.r0,30,60, 4

   ZnO1,41,651,5

   МпО)э0,050,150,1

   Y2030,050,3 0,1

   Таблица 2

   ХарактеристикиПоказатели дл  состава

   123 I известного

   Диэлектрическа  проницаемость Е при 20°С 13100-14000 9000-9500 12000-13400 10000-14000 Относительное изменение диэлектрической проницаемости /эЈ/Ј в интервале температур (-60)-(+85)°С, % -74-84 -48-71 -68-80 -95-75 Тангенс угла диэлектрических потерь Ю1 . 0,35-0,48 0,21-0,26 0,30-0,45 0,50-0,75

   Таблица 1