SU1675953A1 - Прецизионный низкоомный резистор - Google Patents

Прецизионный низкоомный резистор Download PDF

Info

Publication number
SU1675953A1
SU1675953A1 SU884362274A SU4362274A SU1675953A1 SU 1675953 A1 SU1675953 A1 SU 1675953A1 SU 884362274 A SU884362274 A SU 884362274A SU 4362274 A SU4362274 A SU 4362274A SU 1675953 A1 SU1675953 A1 SU 1675953A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
resistive element
resistor
current leads
connections
low
Prior art date
Application number
SU884362274A
Other languages
English (en)
Inventor
Евгений Михайлович Быстров
Original Assignee
Предприятие П/Я Г-4493
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Г-4493 filed Critical Предприятие П/Я Г-4493
Priority to SU884362274A priority Critical patent/SU1675953A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1675953A1 publication Critical patent/SU1675953A1/ru

Links

Landscapes

  • Non-Adjustable Resistors (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к радиоэлектронной технике и может быть использовано при создании низкоомных прецизионных резисторов, предназначенных дл  работы в цеп х посто нного тока низкого напр жени . Целью изобретени   вл етс  повышение стабильности и точности резистора путем уменьшени  его термоЭДС. Прецизионный низкоомный резистор содержит резистивный элемент 1, размещенный на диэлектрическом основании 3, и токоотводы 2, расположенные с возможностью теплового контакта между собой и имеющие смежно размещенные одноименные концы дл  внешних соединений и соединений с резистивным элементом 1. Особенностью резистора  вл етс  то, что токоотводы выполнены в виде однослойной намотки на внешнюю поверхность пленочного рези- стивного элемента по всей его площади, причем токоотводы выполнены из круглой медной проволоки, покрытой слоем диэлектрика . 2 табл.. 1 ил. СП С о VJ ел ю ел со

Description

Изобретение относитс  к радиоэлектронной технике и может быть использовано при создании низкоомных резисторов, предназначенных дл  работы в цеп х посто нного тока низкого напр жени .
Целью изобретени   вл етс  повышение стабильности и точности путем уменьшени  термоЭДС.
На чертеже изображен предлагаемый резистор.
Устройство в соответствии с изобретением позвол ет получить термоЭДС около 1 нВ/К, т.е. более чем на пор док меньше чем у известного технического решени .
Пример. Резистор содержит фольго- вый резистивный элемент 1 и токоотводы 2, размещенные на диэлектрическом основании 3. Токоотводы выполнены из медного провода марки ПЭВ, намотаны на внешнюю поверхность резистивного элемента 1 и электрически соединены с этим элементом. Одноименные концы токоотводов 2 дл  внешних соединений и соединений с рези- стивным элементом расположены смежно.
Прецизионный низкоомный резистор работает следующим образом.
При подключении резистора к электрической цепи в приборе между концами токо- отводов 2 дл  внешних соединений возникает градиент температур. Благодар  наличию теплового контакта между токоот- водами 2 на концах, соединенных с рези- стивных элементом 1, градиент температур будет весьма незначителен, Внешнее расположение токоотводов 2, образующих пас- сивный термостат, исключает наличие теплового потока между токоотводами и окружающей средой, проход щего через резистивный элемент, а также способствует
(
0
5 0
5
0 5
0
сосредоточению температурных градиентов резистора от теплового воздействи  окружающей среды, конструкции прибора, в токоотводах,  вл ющихс  наименее чувствительной в термоэлектрическом отношении частью прецизионного резистора.
Таким образом, за счет охвата пленочного резистивного элемента токоотводами с тепловым контактом между ними со смежно расположенными одноименными концами дл  внешних соединений и соединений с резистивным элементом предлагаемый резистор обладает более низкой по сравнению с известным термоЭДС,
В табл. 1 представлены сравнительные результаты испытаний прецизионных низкоомных резисторов.
В табл. 2 представлены сведени  о сравнении низкоомных резисторов на дифференциальную термоЭДС.

Claims (1)

  1. Формула изобретени 
    Прецизионный низкоомный резистор, содержащий резистивный элемент, размещенный на диэлектрическом основании, и токоотводы, расположенные с возможностью теплового контакта между собой со смежно размещенными одноименными концами дл  внешних соединений и соединений с резистивным элементом, отличающийс , тем, что, с целью повышени  стабильности и точности путем уменьшени  термоЭДС, резистивный элемент выполнен пленочным, а токоотводы выполнены в виде Однослойной намотки, охватывающей внешнюю поверхность пленочного резистивного элемента по всей его площади, причем токоотводы выполнены из круглой медной проволоки, покрытой слоем диэлектрика .
    Таблица 1
SU884362274A 1988-01-12 1988-01-12 Прецизионный низкоомный резистор SU1675953A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884362274A SU1675953A1 (ru) 1988-01-12 1988-01-12 Прецизионный низкоомный резистор

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884362274A SU1675953A1 (ru) 1988-01-12 1988-01-12 Прецизионный низкоомный резистор

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1675953A1 true SU1675953A1 (ru) 1991-09-07

Family

ID=21349154

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU884362274A SU1675953A1 (ru) 1988-01-12 1988-01-12 Прецизионный низкоомный резистор

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1675953A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Павлов Б.П. Термоэлектрическа неоднородность электродов термопар. - М.: Изд-во стандартов, 1979. Авторское свидетельство СССР № 1119085, кл. Н 01 С 1/146, 1984. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3745508A (en) Selectable fixed impedance device
KR950001975A (ko) 탐색기
US4301439A (en) Film type resistor and method of producing same
CA1043910A (en) Resistance reference junction compensator
KR910010163A (ko) 저항 온도 센서
ATE39395T1 (de) Ueberbrueckungselement.
US3995249A (en) Resistors
SU1675953A1 (ru) Прецизионный низкоомный резистор
JP5579180B2 (ja) センサ装置及びその製造方法
US6121766A (en) Current sensor assemblies
US1146592A (en) Resistance.
JP2810467B2 (ja) 主として温度測定用に意図されたサーミスターおよびサーミスターの製造方法
US2878355A (en) Electrical temperature sensing element
JPH0476943A (ja) 半導体素子
SU1364168A1 (ru) Многоэлементный термоэлектрический преобразователь
JP3395361B2 (ja) 充電導体支持装置
GB2179746A (en) Method of manufacturing liquid level probe
CN113660769B (zh) 电路板及电子设备
KR970051490A (ko) 고전압용 저항기유닛 및 고전압용 가변저항기유닛
JPS5678148A (en) Resistance temperature compensation circuit
RU2079210C1 (ru) Резисторная тонкопленочная микросхема для поверхностного монтажа
SU613417A1 (ru) Устройство дл защиты электрических цепей
US6487064B1 (en) Bypass circuit with buried isolated electrode
JPS6020923Y2 (ja) Cr回路素子
SU708179A1 (ru) Устройство дл измерени тепловых потоков