SU1670774A1

SU1670774A1 - Устройство дл разр да конденсатора

Info

Publication number: SU1670774A1
Application number: SU884610409A
Authority: SU
Inventors: Владимир Ильич Турченков
Original assignee: В.И.Турченков
Priority date: 1988-11-28
Filing date: 1988-11-28
Publication date: 1991-08-15

Abstract

Изобретение относитс к импульсной технике, к устройствам автоматики, и может быть использовано в цеп х разр да конденсаторов. Целью изобретени вл етс увеличение скорости и линейности разр да конденсаторов. Устройство содержит операционный усилитель 1, источник 2 зар дного тока, конденсатор 3, транзисторы 4, 9 и 10, резисторы 5 и 11, источник 8 питани , источник 12 посто нного напр жени . При этом в устройстве начальные услови зар да конденсатора 3 всегда одинаковы и стабильны при любых временных интервалах между тактовыми импульсами. Это обеспечивает получение более точного соответстви амплитуды напр жени на конденсаторе от величины интервалов между тактовыми импульсами. 1 ил.

Description

ел

С

ш

11

о

4 О

4Ьь

Изобретение относитс к импульсной технике и устройствам автоматики и предназначено дл разр да конденсатора.

Целью изобретени вл етс увеличение скорости и линейности разр да.

На чертеже изображена электрическа принципиальна схема предлагаемого устройства .

Устройство содержит операционный усилитель 1, источник 2 зар дного тока, конденсатор 3, перва обкладка которого соединена с источником 2 зар дного тока, инвертирующим входом операционного усилител 1 и первым электродом первого транзистора 4, первый резистор 5, шину 6 сброса, выходную шину 7, подключенную к выходу операционного усилител 1, источник 8 питани , второй транзистор 9 того же типа проводимости, что и первый транзистор 4. третий транзистор 10 противоположного типа проводимости, второй резистор 11, источник 12 посто нного напр жени , а первым электродом первого транзистора 1 вл етс эмиттер, шина 6 сброса через первый резистор 5 соединена с эмиттером второго транзистора 9, база которого подключена к общей шине источника 8 питани , а коллектор через второй резистор 11 соединен с базой третьего транзистора 10, эмиттер которого подключен к выходу операционного усилител 10, а коллектор - к базе первого транзистора 4, коллектор которого соединен с источником 12 посто нного напр жени , втора обкладка конденсатора 3 подключена к общей шине источника 8 питани , а неинвертирующий вход операционного усилител 1 соединен с шиной 13 установки начального уровн .

Устройство работает следующим образом .

Происходит нарастание напр жени на конденсаторе 3 из-за его зар да током с источника 2. При этом на инвертирующем входе операционного усилител 1 напр жение положительной пол рности, на его выходе напр жение отрицательной пол рности, транзисторы 10 и 9 закрыты. В следующий момент времени на шину 6 пришел передний фронт тактового импульса, транзисторы 9 и 4 вошли в режим насыщени и конденсатор 3 начал разр жатьс большим током коллектора транзистора 4. Достоинством данной схемы вл етс то, что параметры используемых транзисторов практически никакого вли ни на уровень разр да конденсатора 3 не вли ют. Когда напр жение на конденсаторе 3 достигло начального уровн , даваемого величиной напр жени на шине 13, например равного - нулю, на выходе операционного усилител

1 будет сформировано положительное напр жение , которое смещает переход транзистора 4 в обратном направлении, транзистор 4 призакрываетс настолько,

что ток через его коллектор оказываетс равным тику IDX с источника 2, т.е. на инвертирующем входе операционного усилител 1 образуетс виртуальный ноль, отличный от нул на неинвертирующем входе только на

0 величину смещени операционного усилител 1. В св зи с тем, что современные операционные усилители в интегральном исполнении имеют очень большие коэффициенты усилени (106 и более), то за счет

5 глубокой обратной св зи, изменение параметров транзисторов, например увеличение падени напр жени на переходе, не вызовут изменени величины виртуального нул . Начина с этого момента времени на0 пр жение на конденсаторе будет равным величине напр жени виртуального нул .

В следующий момент времени на шину 6 пришел задний фронт тактового импульса, транзисторы 12 и 4 заперлись и конденса5 тор 3 вновь начнет зар жатьс .

Далее процессы аналогичны рассмотренным .

Чем меньше времени между тактовыми импульсами, тем меньше максимальна ам0 плитуда зар да конденсатора 3. В предлагаемом устройстве начальные услови зар да конденсатора 3 всегда одинаковы и стабильны при любых временах между тактовыми импульсами, а это означает получение

Claims

5 более точного соответстви амплитуды напр жени на конденсаторе от величины времени между тактовыми импульсами. Формула изобретени Устройство разр да конденсатора, со0 держащее операционный усилитель, источник зар дного тока, конденсатор, перва обкладка которого соединена с источником зар дного тока, инвертирующим входом операционного усилител и первым элект5 родом первого транзистора, первый резистор , шину сброса, выходную шину, подключенную к выходу операционного усилител , источник питани , отличающеес тем, что, с целью увеличени

0 скорости и линейности разр да, в него введены второй транзистор того же типа проводимости , что и первый транзистор, третий транзистор противоположного типа проводимое ги, второй резистор, источник посто5 нного напр жени , а первым электродом первого транзистора вл етс эмиттер, шина сброса через первый резистор соединена с эмиттером второго транзистора, база которого подключена к обыей шине источника питань л, а коллектор через второй резистор

51670774б

соединен с базой третьего транзистора,жени , втора обкладка конденсатора под- эмиттер которого подключен к выходу one-ключена к общей шине источника питани , рационного усилител , в коллектор - к базеа неинвертирующий вход операционного первого транзистора, коллектор которогоусилител соединен с шиной установки на- соединен с источником посто нного напр -5 чального уровн .