SU1192119A1 - Одновибратор - Google Patents

Одновибратор Download PDF

Info

Publication number
SU1192119A1
SU1192119A1 SU833572215A SU3572215A SU1192119A1 SU 1192119 A1 SU1192119 A1 SU 1192119A1 SU 833572215 A SU833572215 A SU 833572215A SU 3572215 A SU3572215 A SU 3572215A SU 1192119 A1 SU1192119 A1 SU 1192119A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
type
resistor
emitter
base
Prior art date
Application number
SU833572215A
Other languages
English (en)
Inventor
Иван Иванович Обод
Original Assignee
Obod Ivan
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Obod Ivan filed Critical Obod Ivan
Priority to SU833572215A priority Critical patent/SU1192119A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1192119A1 publication Critical patent/SU1192119A1/ru

Links

Landscapes

  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)

Abstract

ОДНОВИБРАТОР, содержащий, первый транзистор первого типа проводимости , эмиттер которого соединен с вьрсодом врем задающей RC-цепи, первый вход.которой соединен с коллектором второго транзистора первого типа проводимости и через первый резистор - с базой первого транзистора первого типа проводимости, коллектор которого соединен с базой первого транзистора второго типа проводимости, коллектор которо.го соединен с базой первого транзистора первого типа проводимости и через второй резистор - с базой второго транзистора второго типа проводимости, котора  соединена с входной шиной и через третий резистор - с общей шиной, соединенной с эмиттером второго транзистора второго типа проводимости, коллектор, которого соединен с выходной шиной и через четвертый резистор - с базой второго транзистора первого ти- па проводимости, котора  через п тый резистор соединена с шиной питани , соединенной с эмиттером второго транзистора первого типа проводимости и шиной источника питани , второй вход врем задающей RC-цепи соединен с змиттером первого транзистора S второго типа проводимости, отли (Л чающийс  тем, что, с целью повышени  стабильности длительности выходного импульса, коллектор второго транзистора второго типа проводимости соединен с эмиттером первого транзистора второго типа проводимости .

Description

1
Изобретение относитс  к импульсно технике и может быть использовано в качестве формировател  импульсов в устройствах автоматики и вычислительной техники.
Цель изобретени  - повышение стабильности длительности выходного импульса , кото-ра  достигаетс  за счет устранени  вли ни  остаточного напр жени  на врем задающем конденсаторе .
На чертеже приведена принципиальна  схема одновибратора.
Одновибратор содержит транзистор 1-4, врем задающую цепь, образованную конденсатором 5 и резистором 6, резисторы 7-11, входную шину 12, выходную шину 13, шину 14 источника питани  и выходную шину 15.
Транзисторы 1 и 2 р-п -р-типа проводимости, транзисторы 3 и 4 и п - р - п-типа проводимости .База транзстора 1 соединена с коллектором транзистора 3, база которого соединена с коллектором транзистора 1 . Эмиттер транзистора 1 соединен с одной обкладкой конденсатора 5, а эмиттер транзистора 3 с его другой обкладкой. Эмиттер транзистора 1 также соединен с выводом резистора второй вывод которого соединен с коллектором транзистора 2 и с резистором 7, второй вывод которого соединен с базой транзистора 1 и выводом резистора 8, который вторым выводом соедине с резистором 9 и базой транзистора 4, эмиттер которого соединен с общей шиной.
Резисторы 10 и 11 соединены с базой транзистора 2, входна  шина 12 соединена с базой транзистора 4, а выходна  шина 13 - с вторым выводом резистора 10, с коллектором транзистора 4 и с эмиттером транзистора 3. Шина 14 источника питани  соединена с эмиттером транзистора 2 и с вторым выводом резистора 11. Выходна  шина 15 соединена с коллектором транзистора 2.
Одновибратор работает следующим образом.
В исходном состо нии все транзисторы закрыты, на шине 13 высокий потенциал, практически равный напр жению питани  Е, на шине 15 низкий потенцигал. Конденсатор 5 зар жен практически до напр жени  питани , т.е. на нижней обкладке находитс 
192
11921
потенциал практически равный напр жению питани  Е.
При поступлении на шину 12 входного положительного запускающего импульса транзистор 14 открываетс  потенциал на выходной шине 13 падает практически до нул , и через рез стор 10 открываетс  транзистор 2. Потенциал на выходной шине 15 возратает до напр жени  источника питани , ток через резисторы 7 и 8 удерживает транзистор 4, а следовательно , и транзистор 2 в открытом состо нии. Так как при включении транзистора 4 напр жение на нижней обкладке конденсатора 5 уменьшаетс  практически до нул , а конденсатор мгновенно разр дитьс  не может, то напр жение н верхней обкладке конденсатора 5 становитс  практически равным напр жению источника питани  (с отрицательным знаком ).
Это начальное напр жение на конденсаторе 5 не зависит от остаточного напр жени , величина которого определ етс  как
,„+U5зи Гi 5o/(A-)
где Е - напр жение питани ;
ji - коэффициент усилени  транзисторов ;
и„
напр жение насыщени  перехода . коллектор-эмиттер; Ufi-ац- напр жение насыщени  перехода эмиттер-база транзистора 3; г - распределительные базовые
сопротивлени  транзисторов; R - сопротивление резистора
в цепи коллектора транзистоРа 3 1, ;
поскольку на другой обкладке конденсатора 5 в этот момент времени образуетс  компенсирующее напр жение. I
Конденсатор 5 начинает разр жатьс  до нул , а затем зар жатьс  через резистор 6 от высокого напр жени  на выходной шине 15. Когда напр же-. вне на конденсаторе 5 превышает напр жение на базе транзистора 1, которое определ етс  делителем напр жени  на резисторах 7 и 8, транзисторы 1 и 3 открываютс  и вход т в насыщение . Открытый транзистор 3 шунтирует ток, проход иигй через резистор 8, транзистор 4 закрываетс , что приводит к закрытию транзистора 2. Потенциал на выходе 15 падает практически до нул , а конденсатор 5 снова зар жаетс  до напр жени  питани  Е. Закрывание транзистора 4 приводит к закрыванию транзисторов и 3 и устройство возвращаетс  в исходное состо ние.
1192-1194
Таким образом, удаетс  устранить вли ние остаточного напр жени  на конденсаторе, величина которого не нормирована и может существенно 5 мен тьс  от смены транзисторов, а 1 также от изменени  температуры,
что приводит к повьааению стабильности дпительности выходных импульсов.

Claims (1)

  1. ОДНОВИБРАТОР, содержащий, первый транзистор первого типа проводимости, эмиттер которого соединен с выходом времязадающей RC-цепи, первый вход.которой соединен с коллектором второго транзистора первого типа проводимости и через первый резистор - с базой первого транзистора первого типа проводимости, коллектор которого соединен с базой первого транзистора второго типа проводимости, коллектор которо.го соединен с базой первого транзистора первого типа проводимости и через второй резистор - с базой второго транзистора второго типа проводимости, которая соединена с входной шиной и через третий резистор - с общей шиной, соединенной с эмиттером второго транзистора второго типа проводимости, коллектор, которого соединен с выходной шиной и через четвертый резистор - с базой второго транзистора первого типа проводимости, которая через пятый резистор соединена с шиной питания, соединенной с эмиттером второго транзистора первого типа проводимости и шиной источника питания, второй вход времязадающей RC-цепи соединен с эмиттером первого транзистора с to второго типа проводимости, о т л и чающийся тем, что, с целью повышения стабильности длительности выходного импульса, коллектор второго транзистора второго типа проводимости соединен с эмиттером первого транзистора второго типа проводимости.
    SU .„,1192119
    1 1192119
SU833572215A 1983-04-05 1983-04-05 Одновибратор SU1192119A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833572215A SU1192119A1 (ru) 1983-04-05 1983-04-05 Одновибратор

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833572215A SU1192119A1 (ru) 1983-04-05 1983-04-05 Одновибратор

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1192119A1 true SU1192119A1 (ru) 1985-11-15

Family

ID=21056582

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU833572215A SU1192119A1 (ru) 1983-04-05 1983-04-05 Одновибратор

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1192119A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 832710, кл. Н 03 К 3/284, 1981. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS5832538B2 (ja) 分離型の半導体ゲ−ト制御回路
KR880011920A (ko) 입력보호 회로를 갖춘 반도체집적회로
SU1192119A1 (ru) Одновибратор
SU454671A1 (ru) Ждущий нессиметричный мультивибратор
KR880002864Y1 (ko) 시간 지연회로
KR900019538A (ko) 구동기 회로
SU546015A1 (ru) Формирователь потенциалов дл накопител запоминающего устройства на мдп-транзисторах
SU974555A1 (ru) Ждущий мультивибратор
SU905992A1 (ru) Генератор пилообразного напр жени
SU624366A1 (ru) Электронный переключатель
SU1670774A1 (ru) Устройство дл разр да конденсатора
SU832710A1 (ru) Одновибратор
SU615594A1 (ru) Генератор импульсов
KR840006422A (ko) 전력 공급 조정회로
SU866606A1 (ru) Реле времени
SU790122A1 (ru) Мультивибратор
SU558382A1 (ru) Ждущий мультивибратор
KR870003013Y1 (ko) 바이어스 전압이 필요없는 단안정 멀티 바이브레이터
SU1202035A1 (ru) Реверсивный мультивибратор
SU444329A1 (ru) Ключ с гальванической разв зкой
SU919060A1 (ru) Ждущий многофазный мультивибратор
SU957432A1 (ru) Реле времени
SU1034190A1 (ru) Устройство дл установки логических элементов в исходное состо ние при перерывах напр жени питани
JPH073828Y2 (ja) オンゲ−ト回路
SU741424A1 (ru) Релаксационный генератор