SU1663407A1 - Полупроводниковый тензорезистор - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к полупроводниковой тензометрии и может быть использовано дл  измерени  деформаций в лабораторных исследовани х. Цель изобретени  - повышение чувствительности тензорезистора к измер емой деформации - достигаетс  таким расположением токовых и потенциальных электродов, при котором питание подаетс  на токовые электроды 2, 3 в средней части монокристалла 1 соединени  тетрацианхинондиметана и трифенилметилфосфони  общей формулы PH₃MEP(TCNO)₂, а выходной сигнал снимаетс  с потенциальных электродов 4 и 5 на торцах монокристалла 1. Нелинейные эффекты в полупроводнике слоистой игольчатой структуры привод т к увеличению тензочувствительности на 10 - 30%. Тензорезистор позвол ет измер ть деформации в диапазоне, расширенном в сторону малых значений деформаций. 1 ил.

Description

Изобретение относится к полупроводниковой тензометрии и может быть использовано для измерения деформаций в лабораторных исследованиях.

Цель изобретения - повышение чувствительности тензорезистора к измеряемой деформации. Цель достигается таким расположением токовых и потенциальных электродов, при котором питание подается на токовые электроды в средней части монокристалла соединения тетрацианхинондиметана и трйфенилметилфосфония общей формулы РЬз MeP(TCNO)2, а выходной сигнал снимается с потенциальных электродов на торцах монокристалла.

На чертеже представлен общий вид полупроводниковый тензорезистор.

Полупроводниковый тензорезистор содержит тензочувствительный элемент 1, выполненный из монокристалла органического полупроводникового материала - соединения тетрацианхинондиметана и трифенилметилфосфония общей формулы Рбз MeP(TCNO)2, два токовых электрода 2 и 3, закрепленных в средней части монокристалла 1, и два потенциальных электрода 4 и 5, закрепленных на торцах монокристалла 1.

Полупроводниковый тензорезистор работает следующим образом.

Перед измерением тензорезистор наклеивают на поверхность исследуемого объекта и соединяют токовые электроды 2 и 3 с источником питания постоянного тока, а потенциальные электроды 4 и 5 - с регистрирующей аппаратурой.

При нагружении исследуемого объекта деформация его поверхности передается на монокристалл 1. Так как полупроводниковый материал тензочувствительного элемента 1 имеет слоистую игольчатую структуру, то при прохождении тока в нем возникают нелинейные эффекты, связанные с выпрямляющим действием р-п-переходов в точках контакта токопроводящих структур. При этом ток течет по более длинному пути, и величина изменения сопротивления изменяется в зависимости от приложенной деформации более сильно, чем при традиционном включении - подаче питания на торцы кристалла и снятии сигнала с электродов в средней части. Чувствительность повышается при этом на 10-30%.

Использование описанного тензорезистора позволяет измерять деформации в более широком диапазоне в области малых деформаций.

Claims (1)

1. Формула изобретения

   Полупроводниковый тензорезистор, содержащий тензочувствительный элемент, выполненный из монокристалла органического полупроводникового материала - соединения тетрацианхинондиметана и трифенилметилфосфония РЬзМе P(TCNQ)2,' два токовых и два потенциальных электрода, отличающийся тем, что, с целью· повышения чувствительности, два потенциальных электрода установлены на торцах монокристалла, а два токовых - в средней части монокристалла.