SU1157346A1 - Тензорезисторный датчик - Google Patents

Тензорезисторный датчик Download PDF

Info

Publication number
SU1157346A1
SU1157346A1 SU823498077A SU3498077A SU1157346A1 SU 1157346 A1 SU1157346 A1 SU 1157346A1 SU 823498077 A SU823498077 A SU 823498077A SU 3498077 A SU3498077 A SU 3498077A SU 1157346 A1 SU1157346 A1 SU 1157346A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistors
terminals
resistors
strain
additional
Prior art date
Application number
SU823498077A
Other languages
English (en)
Inventor
Сергей Сергеевич Зверев
Михаил Михайлович Парфенов
Александр Александрович Цывин
Александр Ростиславович Лепорский
Леонид Матвеевич Кузнецов
Original Assignee
Научно-Исследовательский И Конструкторский Институт Испытательных Машин,Приборов И Средств Измерения Масс
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Научно-Исследовательский И Конструкторский Институт Испытательных Машин,Приборов И Средств Измерения Масс filed Critical Научно-Исследовательский И Конструкторский Институт Испытательных Машин,Приборов И Средств Измерения Масс
Priority to SU823498077A priority Critical patent/SU1157346A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1157346A1 publication Critical patent/SU1157346A1/ru

Links

Landscapes

  • Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)

Abstract

1. ТЕНЗОРЕЗИСТОРНЫЙ flATMIiK, содержащий четырехплечий тензорезисторный мост, в два смежных плеча которого последовательно, тензорезисторам включены дополнительные резисторы , два транзистора, источник питани , соединенньй с вершинами диагонали питани  четьфехпдечего тензорезисторного моста, вершины измерительной диагонали которого соединены с индикатором, отличающийс  тем, что, с целью повышени  точности измерени , в него введены управл емый источник напр жени  и два вспомогательных резистора , общие выводы которых соединены с первой вершиной измерительной диагонали четырехплечего тензорезисторного моста и с первым выходом управл емого источника напр жени , второй выход которого соединен с первыми вьшодами транзисторов, вторые выводы которых соединены соответственно с другими выводами вспомогательных резисторов, третьи вьшоды транзисторов соединены соответственно с первыми выводами дополнительных резисторов , вторые вьшоды которых соединены с первой вершиной измерительной диагонали четырехплечего тензорезисторного моста. 2.Датчик по п. I, отличающийс  тем, что первые выводы транзисторов соединеныс затворами, сл вторые выводы транзисторов соединены с истоками, третьи выводы транс: зисторов соединены со стоками полевых транзисторов различного типа проводимости. 3.Датчик по п. 1, отличающийс  тем, что дополнительные и вспомогательные резисторы и полевые транзисторы размещены на упруСП гом элементе на одной подложке с тензорезисторами и вьтолнены по инОд тегральной технологии, 4.Датчик по п. 1, отличаю05 щийс  тем, что сопротивление тензорезисторов и дополнительных резисторов наход тс  в соотношении 1:100, а вспомогательных и дополнительных резисторов - в соотношении не более 25:1.

Description

I Изобретение откоситс  к средствам измерени  механических величин элект рическими методами. Цель изобретени  повьшение точ кости балансировки, На чертеже представлено устройство . Тензорезисторный датчик содержит тензорезисторы 1-4, дополнительные резисторы 5 и.6( вспомогательные резисторы 7 и 8, полевые транзисторы 9 и 10 различного типа проводимости, управл емый источник 11 напр жени , вход 12, выход 13. Тензорезисторы 1-4, составл ют пл чи четырехплечего тензорезисторного моста, последовательно с тензорезис тором 4 включен дополнительный резистор 5, а последовательно с тензорезистором включен дополнительный ре зистор 6, парало ельно каждому дополнительному резистору 5 и 6 включены последовательно соединенные вспомога тельный резистор 7 и 8 и сопротивление канала полевых транзисторов 9 и 10 соответственно. Один выход управл ем го источника 11 напр жени  соединен с вершиной измерительной диагонали четырехплечего тензорезисторного мое та, с которой также соединены общие выводы дополнительных и вспомогательных резисторов, второй выход управл емого источника 11 соединен с затворами полевых транзисторов 9 и 1 вход 1 2 соединен с вершинами диагона- ли питани , а выход 13 - с вершинами измерительной диагонали четырехплечего тензорезисторного моста. Устройство работает следующим образом . При отсутствии воздействи  измер емой величины и подаче питани  на вход 12 сигнал разбаланса мостовой схемы определ етс  величшсой разброса номиналов сопротивлений тензореаисторов 1-4, Дл  сигнала управл емого источника 1 напр жени ,равного нулю, сопротивлени  каналов (.сопротивлени  между истоком и стоком ) полевых транзисторов 9 и 10 одинаковы при посто нной и измен ющейс  температурах и на выходе 13 сигнал определ етс  только разбросом сопротивлени  тензорезисторов 1-4, При по даче сигнала заданной пол рности на затворы полевых транзисторов 9 и 10 происходит изменение сопротивлений каналов в противоположные стороны: 46 у одного - увеличиваетс , а у другого - уменьшаетс , так как в зависимости от типа проводимости один и тот же сигнал дл  одного полевого транзистора будет отпирающим, а дл  другого - запирающим. При одном из напр жений управл емого источника 11 напр жени  дополнительный разбаланс равен первоначальному и противоположен ему по знаку . В результате этого тензорезисторный датчик становитс  сбалансированным с заданной разрешающей способностью . Ввиду симметрии тензорезисторного датчика необходимый сигнал компенсации с источника 11 напр жени  пропорционален разбросу сопротивлений Тензорезисторов 1-4, в св зи с чем этот сигнал имеет достаточно малую величину, а устройство при заданном соотношении сопротивлени  тензорезисторов и дополнительных резисторов 1:100 и вспомогателышх и дополнительных - не б;олее.25:1 - повышенную стабильность балансировки, практически неизмен ющуюс  от температуры . Дл  повышени  температурной стабильности устройство должно быть реализовано в гибридном или интегральном вариантах, В последнем случае интегрируютс  в едином цикле изготовлени  не только пассивные (тензорезисторы , резисторы), но и активные компоненты, а их расположение на едином упругом элементе обеспечивает выравнивание температур элементов компенсации ( дополнительных 5 и 6 и вспомогательных резисторов 7 и 8, полевых транзисторов 9 и 10) с температурой тензорезисторов 1-4, За счет того,, что дополнительные 5 и б и вспомогательные резисто ры 7 и В, а также полевые транзисторы 9 и 10 наход тс  при равных температурах , изменени  их параметров от нагрева тензорезисторов 1-4, а также от изменени  окружающей температуры  вл ютс  одинаковыми и взаимокомпенсирующимис , в результате чего собственна  температурна  нестабильность полевых транзисторов и резисторов оказывает на несколько пор дков меньшее вли ние, чем от одиночного вли ние полевых транзисторов, дополнительных и вспомогательных резисторов,

Claims (4)

1. ТЕНЗОРЕЗИСТОРНЫЙ ДАТЧИК, содержащий четырехплечий тензорезисторный мост, в два смежных плеча которого последовательно, тензорезисторам включены дополнительные резисторы, два транзистора, источник питания, соединенный с вершинами диагонали питания четырехпдечего тензорезисторного моста, вершины измерительной диагонали которого соединены с индикатором, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения, в него введены управляемый источник напряжения и два вспомогательных резистора, общие выводы которых соединены с первой вершиной измерительной диагонали четырехплечего тензорезис торного моста и с первым выходом управляемого источника напряжения, второй выход которого соединен с первыми выводами транзисторов, вторые выводы которых соединены соответственно с другими выводами вспомогательных резисторов, третьи выводы транзисторов соединены соответственно с первыми выводами дополнительных резисторов, вторые выводы которых соединены с первой вершиной измерительной диагонали четырехпдечего тензорезис— торного моста.
2. Датчик по п. 1, отличающийся тем, что первые выводы транзисторов соединены· с затворами, вторые выводы транзисторов соединены с истоками, третьи выводы транзисторов соединены со стоками поле вых транзисторов различного типа проводимости.
3. Датчик поп. 1, отличающийся тем, что дополнительные и вспомогательные резисторы и полевые транзисторы размещены на упругом элементе на одной подложке с тензорезисторами и выполнены по интегральной технологии.
4. Датчик по π. 1, отличающийся тем, что сопротивление тензорезисторов и дополнительных ре зисторов находятся в соотношении
1:ЮС, а вспомогательных и дополнительных резисторов - в соотношении не более 25:1.
1 1157346 2
SU823498077A 1982-09-30 1982-09-30 Тензорезисторный датчик SU1157346A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU823498077A SU1157346A1 (ru) 1982-09-30 1982-09-30 Тензорезисторный датчик

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU823498077A SU1157346A1 (ru) 1982-09-30 1982-09-30 Тензорезисторный датчик

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1157346A1 true SU1157346A1 (ru) 1985-05-23

Family

ID=21031374

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU823498077A SU1157346A1 (ru) 1982-09-30 1982-09-30 Тензорезисторный датчик

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1157346A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH038482B2 (ru)
KR870009495A (ko) 반도체 변형게이지 브리지회로
US4191057A (en) Inversion layer sprain gauge
US4565097A (en) Method and apparatus for transducer error cancellation
US4672853A (en) Apparatus and method for a pressure-sensitive device
SU1157346A1 (ru) Тензорезисторный датчик
US2455883A (en) Electric pressure strain gauge
Peng et al. The temperature compensation of the silicon piezo-resistive pressure sensor using the half-bridge technique
US3490272A (en) Temperature compensated resistance measurement bridge
US3403558A (en) Piezoresistive thermometer
JPH0125425B2 (ru)
JPS6427275A (en) Semiconductor pressure measuring apparatus
SU783573A1 (ru) Интегральный тензодатчик
GB1014829A (en) Arrangements for measuring electrical properties of semiconductors
SU568898A1 (ru) Квазимостовой измеритель сопротивлени
SU1030743A1 (ru) Устройство дл индикации 90-ного сдвига фаз между двум напр жени ми
SU447579A1 (ru) Устройство дл измерени температуры
SU430338A1 (ru) Устройство для измерения электрическихпараметров полупроводниковыхматериалов
SU783730A1 (ru) Устройство дл температурной компенсации датчиков холла
US2944216A (en) Current measuring circuit
SU1052848A1 (ru) Интегральный тензопреобразователь
SU406166A1 (ru) Компенсированный измеритель деформаций
SU808946A1 (ru) Измеритель изменений сопротивлени
JPS6144327A (ja) ロ−ドセル式電子秤の荷重検出回路
SU1566235A1 (ru) Силоизмерительное устройство