SU1474488A1 - Датчик высокого давлени - Google Patents

Датчик высокого давлени Download PDF

Info

Publication number
SU1474488A1
SU1474488A1 SU874309027A SU4309027A SU1474488A1 SU 1474488 A1 SU1474488 A1 SU 1474488A1 SU 874309027 A SU874309027 A SU 874309027A SU 4309027 A SU4309027 A SU 4309027A SU 1474488 A1 SU1474488 A1 SU 1474488A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
high pressure
kbar
strain
single crystal
pressure
Prior art date
Application number
SU874309027A
Other languages
English (en)
Inventor
Дионисие Дионисиевич Балла
Александр Владимирович Бондаренко
Виталий Дмитриевич Запорожский
Михаил Александрович Оболенский
Ханан Борисович Чашка
Original Assignee
Харьковский государственный университет им.А.М.Горького
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Харьковский государственный университет им.А.М.Горького filed Critical Харьковский государственный университет им.А.М.Горького
Priority to SU874309027A priority Critical patent/SU1474488A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1474488A1 publication Critical patent/SU1474488A1/ru

Links

Landscapes

  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к измерительной технике, может быть использовано дл  измерени  давлени  в установках высокого давлени  с повышенной чувствительностью и расширенным интервалом рабочих температур. Тензочувствительный элемент 1, выполненный из монокристалла дихалькогенида ниоби , легированного железом (FE1/3NBS2),помещаетс  в контейнер высокого давлени , где возможны изменени  температуры. С помощью пары токовых омических контактов 2 через тензочувствительный элемент 1 пропускают измерительный ток, а с пары потенциальных омических контактов 3 снимаетс  напр жение, пропорциональное электросопротивлению. Регистриру  температуру, соответствующую скачку электросопротивлени  тензочувствительного элемента 1, по градуировочной кривой определ ют величину давлени .

Description

Фие,1
Изобретение относитс  к измери-1 тельной технике и может быть использовано дл  измерени  давлени  в установках высокого давлени .
Цель изобретени  - повышение чувствительности и расширение интервала рабочих температур.
На фиг. приведен датчик высокого давлени , общий вид; на фиг.2 - зависимость температуры, соответствующей скачку электросопротивлени , от давлени .
Датчик содержит тензочувствитель- ный элемент 1 с токовыми 2 и потенциальными 3 омическими контактами. Тензочувствительный элемент 1 выполнен из монокристалла дихалькогенида ниоби , легированного железом (Ре,и NbS).
Датчик работает следующим образом
Дл  определени  давлени  используетс  линейна  зависимость темпера2о пределах 4-12 кбар в температурном интервале от 4,2 до 300 К, причем дл  измерени  необходима проста  аппаратура , так как смещение температуры скачка сопротивлени  равно
туры, соответствующей скачку электросопротивлени , от приложенного давле-25 16/К/кбар. ни . Дл  этого датчик высокого дав лени  помещаетс  в контейнер высокого давлени , где возможны изменени  температуры от 4,2 до 300 К. Сопротивление измер етс  по стандартной 4-зон- зо жаЩий Тензочувствительный элемент, довой схеме. При этом через пару кон- выполненный из халькогенида металла, тактов 2 и чувствительный элемент,

Claims (1)

  1. Формула изобретени  Датчик высокого давлени , содерс электроконтактами, отличающийс  тем, что, с целью повышени  чувствительности и расширени  ин тервала рабочих температур, в нем 5 тензочувствительнй элемент выполнен из монокристалла соединени  Fe }NbS4.
    выполненный из монокристалла Fe,(5NbS2, пропускаетс  измерительный ток, а с пары 3 снимаетс  падение напр жени , пропорциональное электросопротивлению . Регистриру  температуру, соот-
    ветствующую скачку электросопротивлени , по градуировочной зависимости определ ют величину давлени . е Монокристалы Ре,/, NbSa выращивают методом газотранспортной реакции в трехзонной печи. Омические контакты получают нанесением расплавленного инди  на поверхность кристалла. Максимальное давление равное 12,6 кбар,  вл етс  предельным дл  используемого контейнера высокого давлени , а не верхним граничным давлением дл  предлагаемого датчика. Многократное
    циклирование давлени  и температуры не вли ет на характеристики датчика. Таким образом, предлагаемый датчик высокого давлени  позвол ет измерить величину высокого давлени  в
    пределах 4-12 кбар в температурном интервале от 4,2 до 300 К, причем дл  измерени  необходима проста  аппаратура , так как смещение температуры скачка сопротивлени  равно
    16/К/кбар. жаЩий Тензочувствительный элемент, выполненный из халькогенида металла,
    16/К/кбар. жаЩий Тензочувствительный элемент, выполненный из халькогенида металла,
    Формула изобретени  Датчик высокого давлени , содер16/К/кбар . жаЩий Тензочувствительный элемент, выполненный из халькогенида металла,
    с электроконтактами, отличающийс  тем, что, с целью повышени  чувствительности и расширени  интервала рабочих температур, в нем тензочувствительнй элемент выполнен из монокристалла соединени  Fe }NbS4.
    в
    Фие.2
    10 Л кЪар
SU874309027A 1987-09-22 1987-09-22 Датчик высокого давлени SU1474488A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874309027A SU1474488A1 (ru) 1987-09-22 1987-09-22 Датчик высокого давлени

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874309027A SU1474488A1 (ru) 1987-09-22 1987-09-22 Датчик высокого давлени

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1474488A1 true SU1474488A1 (ru) 1989-04-23

Family

ID=21328864

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU874309027A SU1474488A1 (ru) 1987-09-22 1987-09-22 Датчик высокого давлени

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1474488A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2614197C2 (ru) * 2015-06-15 2017-03-23 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" Способ определения статического давления в некалиброванной камере высокого давления

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Патент US № 4459855, кл. 73-727, 1984. Авторское свидетельство СССР № 520523, кл. G 01 L 11/00, 1975. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2614197C2 (ru) * 2015-06-15 2017-03-23 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" Способ определения статического давления в некалиброванной камере высокого давления

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4884453A (en) Strain gauge
US4500864A (en) Pressure sensor
US3234461A (en) Resistivity-measuring device including solid inductive sensor
US4111050A (en) Thermometer with birefringent sensing element in fiber optic coupling
SU1474488A1 (ru) Датчик высокого давлени
US3236096A (en) Electrical gauge for sensing the amount of erosion of a solid material
US3884080A (en) Vacuum gage
SU565220A1 (ru) Термочувствительный элемент датчика температуры
SU1545103A1 (ru) Тепломер
SU1166000A1 (ru) Датчик тока
SU545884A1 (ru) Датчик давлени
SU934258A1 (ru) Полупроводниковый тензопреобразователь
SU585412A1 (ru) Устройство дл измерени статических деформаций при переменных температурах
SU1744530A1 (ru) Датчик давлени
GB1014829A (en) Arrangements for measuring electrical properties of semiconductors
KR900003375Y1 (ko) 휴대용 디지탈 온도계
SU552578A1 (ru) Способ измерени напр женности магнитного пол
SU1406450A1 (ru) Устройство дл измерени деформации
RU2017166C1 (ru) Устройство для измерения напряженности магнитного поля
SU1052848A1 (ru) Интегральный тензопреобразователь
SU285861A1 (ru) УСТРОЙСТВО дл ДИСТАНЦИОННОГО ИЗМЕРЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ В СКВАЖИНЕ
SU1116305A1 (ru) Полупроводниковый тензорезистор
SU1726980A1 (ru) Полупроводниковый тензорезистор
SU1668881A1 (ru) Устройство дл измерени давлени
SU1377633A1 (ru) Датчик давлени