SU1655923A1 - Стекло - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к свинцовобо- росиликатным бесщелочным диэлектрическим стеклам и предназначено дл  применени  в электронной и электротехнической промышленности в качестве материала дл  защиты активной части кремниевых полупроводниковых приборов от неблагопри тных внешних воздействий среды. С целью повышени  коррозионной устойчивости тонкопленомных стеклопокрытий в воде и водно-аммиачной среде стекло содержит, мас.%: SI02 13,8-23.9; А120з 1,9-9.3; В20з 8,4-23.8; РЬО 33,7-63,0: МдО 0,1- 2,0;SrO 0,2-5,2; ПОз 1.2-8,1; Sn02 4,6-11.0. Коррозионна  устойчивость пленок (% потери массы через 1 сут) в Н20 0-3, в 10%-ном растворе аммиака до 30. 2 табл.

Description

Изобретение относитс  к составам диэлектрических стекол с низким коэффициентом линейного термического расширени  (КЛТР), способных образовывать тонкие пленки на кремнии путем термического испарени  в вакууме и предназначено дл  применени  в электронной и электротехнической промышленности в качестве материала дл  защиты активной части кремниевых полупроводниковых приборов (тиристоры, диоды, транзисторы) от неблагопри тных внешних воздействий среды.

Цель изобретени  - повышение коррозионной устойчивости тонкопленочных стеклопокрытий в воде и водно-аммиачной среде.

Конкретные составы стекол приведены в табл.1.

В качестве исходных компонентов используют кварцевый песок, оксиды свинца, алюмини , титана, олова, борную кислоту,

карбонаты магни  и стронци  квалификации х.ч.. о.с.ч..

Исходные компоненты отвешивают в соответствии с заданным составом и смешивают , синтезируют стекла при 1350°С, измельчают их и отсеивают фракцию стекла с размером зерен 90-200 мкм. Полученный порошок стекла используют дл  формировани  стеклопленок методом термического испарени  в вакууме с применением резистивного испарител . При использовании электронно-лучевого испарител  из гра- нул та стекла после его повторного расплавлени  изготавливают методом отливки стекл нную шайбу, соответствующую форме тигл  электронно-лучевого испарител .

Физико-химические свойства стекол приведены в табл. 2.

Существенным преимуществом предлагаемого стекла  вл етс  высока  коррозионна  стойкость получаемых тонких степклопленок,

СП

С

о ел ел чэ

hO GO

что обеспечивает надежную защиту р-п-пе- рехода полупроводниковых приборов от неблагопри тного воздействи  внешней среды как при технологических операци х изготовлени  приборов, св занных с применением воды и водных растворов (фотолитографи ), так и в процессе эксплуатации приборов в атмосферных услови х.

Отсутствие в составе Хггекла оксидов, обладающих способностью к необратимой термической диссоциации в вакууме, или оксидов, обладающих слишком низким давлением паров, обеспечивает формирование тонкопленочных стеклопокрытий на кремнии при термическом испарении стекла в вакууме с сохранением состава исходного материала и, следовательно, с сохранением присущих исходному стеклу электрофизических и термических свойств.

Преимуществом предлагаемого стекла  вл етс  также отсутствие реиспарени  его с подложки при вакуумном напылении тонких пленок. Вследствие хорошей растекае- мости стекол описываемых составов по поверхности кремни  формируемые из них стеклопленки обладают пониженными по- ристостью и количеством дефектов поверхности .

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   Стекло, включающее SiCte, А120з, В20з, PbO, MgO, SrO, отличающеес  тем, что, с целью повышени  коррозионной устойчивости тонкопленочных стеклопокрытий в воде и водно-аммиачной среде, оно дополнительно содержит SnU2 и ТЮ2 при следующем соотношении компонентов, мас.%: - SI0213,8-23,9

   А 20з1,9-9,3

   В20з8,4-23,8

   РЬО33,7-63,0

   MgO0,1-2,0

   SrO0,2-5,2

   Sn024,6-11,0

   TI021,2-8,1

   Таблица 1

   Таблица 2