SU1624521A1 - Адресный формирователь - Google Patents

Адресный формирователь Download PDF

Info

Publication number
SU1624521A1
SU1624521A1 SU884463930A SU4463930A SU1624521A1 SU 1624521 A1 SU1624521 A1 SU 1624521A1 SU 884463930 A SU884463930 A SU 884463930A SU 4463930 A SU4463930 A SU 4463930A SU 1624521 A1 SU1624521 A1 SU 1624521A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
transistors
elements
drain
gate
Prior art date
Application number
SU884463930A
Other languages
English (en)
Inventor
Александр Сергеевич ЛУШНИКОВ
Марина Александровна Таджибаева
Игорь Альбертович Хван
Original Assignee
Предприятие П/Я Р-6429
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Р-6429 filed Critical Предприятие П/Я Р-6429
Priority to SU884463930A priority Critical patent/SU1624521A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1624521A1 publication Critical patent/SU1624521A1/ru

Links

Landscapes

  • Dram (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к запоминающим устройствам и может быть использовано при создании больших интегральных схем на МДП-транзисторах. Цель изобретени  - повышение быстродействи  и надеж- ности срабатывани  адресного формировател . Поставленна  цель достигаетс  введением выравнивающего элемента , ограничивающего элемента, третьего элемента предзар да, трех элементов сброса , третьего элемента смещени . Это позвол ет устранить эффект уменьшени  потенциалов затвор - исток транзисторов первого и второго нагрузочных элементов при срабатывании триггера, в результатече- го ток зар да и переключени  триггера остаетс  максимально возможным, а не уменьшаетс , что повышает скорость зар да и переключени  триггера, т. е. быстродействие формировател . Кроме того, устран етс  разбаланс токов в обратную сторону, что повышает надежность срабатывани  формировател . 2 ил. сл С

Description

Изобретение относитс  к запоминающим устройствам и может быть использовано при создании больших интегральных схем на МДП-транзисторах, в частности запоминающих устройств динамического типа .
Цель изобретени  - повышение быстродействи  и надежности срабатывани  адресного формировател .
На фиг. 1 представлена принципиальна  схема предложенного адресного формировател ; на фиг. 2 - временна  диаграмма его работы.
Адресный формирователь содержит шину 1 нулевого потенциала, шину 2 питани , входную адресную шину 3, шину 4 опорного потенциала, первую 5, вторую б и третью 7 управл ющие шины, пр мую 8 и инверсную 9 выходные шины, триггер на первом 10 и втором 11 транзисторах, первый 12 и второй 13 нагрузочные элементы на транзисторах.
первый 14 и второй 15 элементы обратной св зи на транзисторах, первый 16, второй 17, третий 18 и четвертый 19 элементы разбаланса на транзисторах, первый 20, второй 21 и третий 22 элементы предзар да на транзисторах, выравнивающий элемент 23 на транзисторе, ограничивающий элемент 24 на транзисторе, первый 25, второй 26 и третий 27 элементы сброса на транзисторах , первый 28, второй 29 и третий 30 элементы счмешени  на МДП-конденсаторах, узлы 31, 32 и 33.
Адресный формирователь работает следующим образом.
В исходном состо нии (момент ti на фиг. 2) на первой 5 и второй 6 управл ющих шинах - нулевой потенциал, на третьей управл ющей шине 7 - высокий потенциал, на шине опорного потенциала 4 - напр жение, ровное полусумме логических уровней О и 1, подаваемых на входную адресную шину
О
ю
СП
ю
3 (но об зательно больше порогового напр жени  транзистора), потенциал узла 33 равен потенциалу на шине 2 питани  плюс одно пороговое напр жение транзистора.узлы 31 и 32 зар жены до напр жени  питани . Это достигаетс  тем, что в паузе между работой формировател  сначала подаетс  сигнал на вторую управл ющую шину б с уровнем, превышающим напр жение питани  (гз). При этом узел 33 зар жаетс  до напр жени  питани , а узлы 31 и 32 - до напр жени  питани  минус одно пороговое напр жение транзистора, Затем втора  управл юща  шина обнул етс  (м), а на третью управл ющую шину 7 подаетс  высокий потенциал (ts). Этот сигнал через МДП-конденсатор 30 передаетс  на узел 33 и повышает потенциал на нем до уровн , превышающего напр жение питани . В результате узлы 31 и 32 зар жаютс  до напр жени  питани  и происходит выравнивание их потенциалов через открытый транзистор 23. Одновременно узел 33 начинает разр жатьс  через транзистор 24 до потенциала шины 2 питани  плюс одно пороговое напр жение транзистора, в результате транзисторы 20, 21 закрываютс  (te). Параметры транзисторов 20, 21 и 24 и конденсаторов 28,29 и 30 выбираютс  такими, чтобы гарантировать зар д узлов 31 и 32 до сброса потенциала в узле 33.
Рассмотрим случай логической 1 на входной адресной шине 3. Работа формировател  начинаетс  при подаче высокого потенциала на первую управл ющую шину 5 в момент ti.
Через открытые транзисторы 12 и 13 поднимаютс  потенциалы на плечах триггера (на пр мой 8 и инверсной 9 выходных шинах). Из-за разбаланса на затворах транзисторов 16 и 17 происходит перекос триггера так, что потенциал на шине 8 превышает потенциал на шине 9. МДП-кон- денсаторы 28 и 29 создают динамическое смещение на затворах транзисторов 12 и 13. При этом транзисторы 20 и 21 закрыты. Следовательно, потенциалы между затворами и истоками транзисторов 12 и 13 не уменьшаютс , как это происходит и прототипе , и ток зар да шин 8 и 9 через эти транзисторы максимально возможный, что ускор ет зар д этих шин и переключение триггера, а, следовательно, повышает быстродействие адресного формировател  по сравнению с прототипом. Кроме того, это устран ет разбаланс токов зар да шин 8 и 9 в обратную сторону, что устран ет переключение триггера в обратную сторону и ложное срабатывание формировател , т. е. повышает надежность срабатывани  адресного формировател . Разр д узла 33 с по влением высокого потенциала на шине 5 через транзисторы 25 и 26 происходит таким образом, что потенциал этого узла превышает пороговое напр жение транзистора VT до момента защелкивани  триггера (момент t2). Следовательно, до этого момента разбаланс напр жений на затворах транзисторов 16 и 17 через открытые транзисторы 18 и 19
0 передаетс  на шины 8 и 9, что усиливает перекос триггера в нужную сторону, т. е. также повышает надежность срабатывани  формировател . После этого узел 33 разр жаетс  через транзистор 27 до нулевого по5 тенциала дл  исключени  потреблени  по шине 2 питани  в статическом режиме. Пр ма  выходна  шина 8 зар жаетс  до потенциала шины 2 питани , инверсна  выходна  шина 9 через открытый транзистор 11, а
0 узел через открытый транзистор 15 разр жаютс  до нулевого потенциала. Выходные сигналы формировател  сформированы.
Работа адресного формировател  при логическом О на входной адресной шине 3
5 происходит аналогично, только триггер на транзисторах 10 и 11 перекашиваетс  в другую сторону, что приводит к зар ду до напр жени  питани  инверсной выходной шины 9, а на пр мой выходной шине 8 уста0 навливаетс  нулевой потенциал.
Таким образом, предложенный адресный формирователь обладает более высоким быстродействием и надежностью срабатывани  по сравнению с прототипом.
5Введением новых элементов и св зей

Claims (1)

  1. устран етс  эффект уменьшени  потенциалов затвор - исток транзисторов первого и второго нагрузочных элементов при срабатывании триггера, в результате чего ток за0 р да плеч этого триггера остаетс  максимально возможным, а не уменьшаетс ,как в прототипе, что повышает скорость зар да и переключени  триггера, т. е. быстродействие формировател . Кроме того, ус5 тран етс  разбаланс токов в обратную сторону, что повышает надежность срабатывани  адресного формировател . Формула изобретени  Адресный формирователь, содержащий
    0 триггер на первом и втором транзисторах, два нагрузочных элемента на транзисторах, два элемента обратной св зи на транзисторах , два элемента предзар да на транзисторах , четыре элемента разбаланса на
    5 транзисторах, два элемента смещений на МДП-конденсаторах, причем затвор транзистора первого элемента разбаланса  вл етс  входной адресной шиной, затвор транзистора второго элемента разбаланса  вл етс  шиной опорного потенциала, сток
    транзистора первого элемента разбаланса и исток транзистора третьего элемента разбаланса объединены, сток транзистора второго элемента разбаланса и исток транзистора четвертого элемента разбаланса объединены, сток транзистора третьего элемента разбаланса соединен с затвором транзистора первого элемента обратной св зи, затвором первого и стоком второго транзисторов триггера, истоком транзистора второго нагрузочного элемента, с одной обкладкой МДП-конденсатора второго элемента смещени  и  вл етс  выходной инверсной информационной шиной, втора  обкладка МДП-конденсатора второго элемента смещени  соединена с затвором транзистора второго нагрузочного элемента , истоком транзистора второго элемента предзар да и стоком транзистора второго элемента обратной св зи, сток транзистора четвертого элемента разбаланса соединен с затвором транзистора второго элемента обратной св зи, затвором второго и стоком первого транзисторов триггера, истоком транзистора первого нагрузочного элемента , с одной обкладкой МДП-конденсатора первого элемента смещени  и  вл етс  пр мой выходной информационной шиной, друга  обкладка МДП-конденсатора первого элемента смещени  соединена с затвором транзистора первого нагрузочного элемента, истоком транзистора первого элемента предзар да и стоком транзистора первого элемента обратной св зи, затворы транзисторов первого и второго элементов предзар да и транзисторов третьего и четвертого элементов разбаланса объединены, стоки транзисторов первого и второго нагрузочных элементов объединены и  вл ютс  первой управл ющей шиной формировател , истоки первого и второго
    транзисторов триггера, транзисторов первого и второго элементов обратной св зи и транзисторов первого и второго элементов разбаланса соединены с шиной нулевого 5 потенциала, стоки транзисторов первого и аторого элементов предзэр да соединены с шиной питани , отличающийс  тем, что, с целью повышени  быстродействи  и надежности срабатывани  формировател .
    0 он содержит выравнивающий элемент на транзисторе, ограничивающий элемент на транзисторе, третий элемент предзар да на транзисторе, три элемента сброса на транзисторе , третий элемент смещени  на
    5 МПД-конденсаторе, причем сток и исток транзистора выравнивающего элемента соединены соответственно с затворами транзисторов первого и второго нагрузочных элементов, затвор транзистора выравнива0 ющего элемента соединен с затвором транзистора первого и истоком транзистора третьего элементов предзар да, затвором и истоком транзистора ограничивающего элемента , стоками транзисторов первого и
    5 третьего и затвором транзистора второго элементов сброса и с одной обкладкой МДП-конденсатора третьего элемента смещени , друга  обкладка котопого  вл етс  третьей управл ющей шиной, сток транзи0 стора второго и исток транзистора первого элементов сброса объединены, затвор транзистора третьего элемента предзар да  вл етс  второй управл ющей шиной, затворы транзисторов первого и третьего
    5 элементов сброса соединены и  вл ютс  первой управл ющей шиной формировател , стоки транзисторов третьего элемента предзар да и ограничивающего элемента соединены с шиной питани , истоки транзи0 сторов второго и третьего элементов сброса соединены с шиной нулевого потенциала.
    jo-Hf/0 /7JI-°4
SU884463930A 1988-07-12 1988-07-12 Адресный формирователь SU1624521A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884463930A SU1624521A1 (ru) 1988-07-12 1988-07-12 Адресный формирователь

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884463930A SU1624521A1 (ru) 1988-07-12 1988-07-12 Адресный формирователь

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1624521A1 true SU1624521A1 (ru) 1991-01-30

Family

ID=21391235

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU884463930A SU1624521A1 (ru) 1988-07-12 1988-07-12 Адресный формирователь

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1624521A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Электроника. 1978, № 7, с. 36. Авторское свидетельство СССР Ns 1049967. кл. G 11 С 7/00, 1983. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4028558A (en) High accuracy MOS comparator
US4185321A (en) Semiconductor memory with pulse controlled column load circuit
EP0434090B1 (en) C-MOS differential sense amplifier
US4810910A (en) Sense amplifier with bit-line derived clocking
US5362995A (en) Voltage comparing circuit
KR970051131A (ko) 반도체 메모리의 센스 앰프 출력 제어 회로
JPH09180463A (ja) 半導体メモリの出力回路
US4728820A (en) Logic state transition detection circuit for CMOS devices
KR960019304A (ko) 반도체 메모리 장치의 센스앰프 회로
CA1068820A (en) Low power detector circuit
EP0069444A2 (en) Trigger pulse generator
US6037827A (en) Noise isolation circuit
GB2300282A (en) Substrate bias voltage control circuit
US5734282A (en) Address transition detection circuit
WO1980000394A1 (en) Voltage generator circuitry
KR0159324B1 (ko) 데이터 출력회로
SU1624521A1 (ru) Адресный формирователь
US5530380A (en) Decoder circuit which resists a fluctuation of a power supply
JPH0547178A (ja) 高速センシング装置を具備した半導体メモリー装置
JPS59169B2 (ja) フリップフロップ回路
JPS61198813A (ja) クロツクジエネレ−タ回路
SU991504A1 (ru) Адресный формирователь
SU1429167A1 (ru) Оперативное запоминающее устройство
KR19980033767A (ko) 파워 온 리세트 신호 출력 회로
US6285217B1 (en) Dynamic logic circuits with reduced evaluation time