SU1624521A1 - Адресный формирователь - Google Patents
Адресный формирователь Download PDFInfo
- Publication number
- SU1624521A1 SU1624521A1 SU884463930A SU4463930A SU1624521A1 SU 1624521 A1 SU1624521 A1 SU 1624521A1 SU 884463930 A SU884463930 A SU 884463930A SU 4463930 A SU4463930 A SU 4463930A SU 1624521 A1 SU1624521 A1 SU 1624521A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- transistor
- transistors
- elements
- drain
- gate
- Prior art date
Links
Landscapes
- Dram (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к запоминающим устройствам и может быть использовано при создании больших интегральных схем на МДП-транзисторах. Цель изобретени - повышение быстродействи и надеж- ности срабатывани адресного формировател . Поставленна цель достигаетс введением выравнивающего элемента , ограничивающего элемента, третьего элемента предзар да, трех элементов сброса , третьего элемента смещени . Это позвол ет устранить эффект уменьшени потенциалов затвор - исток транзисторов первого и второго нагрузочных элементов при срабатывании триггера, в результатече- го ток зар да и переключени триггера остаетс максимально возможным, а не уменьшаетс , что повышает скорость зар да и переключени триггера, т. е. быстродействие формировател . Кроме того, устран етс разбаланс токов в обратную сторону, что повышает надежность срабатывани формировател . 2 ил. сл С
Description
Изобретение относитс к запоминающим устройствам и может быть использовано при создании больших интегральных схем на МДП-транзисторах, в частности запоминающих устройств динамического типа .
Цель изобретени - повышение быстродействи и надежности срабатывани адресного формировател .
На фиг. 1 представлена принципиальна схема предложенного адресного формировател ; на фиг. 2 - временна диаграмма его работы.
Адресный формирователь содержит шину 1 нулевого потенциала, шину 2 питани , входную адресную шину 3, шину 4 опорного потенциала, первую 5, вторую б и третью 7 управл ющие шины, пр мую 8 и инверсную 9 выходные шины, триггер на первом 10 и втором 11 транзисторах, первый 12 и второй 13 нагрузочные элементы на транзисторах.
первый 14 и второй 15 элементы обратной св зи на транзисторах, первый 16, второй 17, третий 18 и четвертый 19 элементы разбаланса на транзисторах, первый 20, второй 21 и третий 22 элементы предзар да на транзисторах, выравнивающий элемент 23 на транзисторе, ограничивающий элемент 24 на транзисторе, первый 25, второй 26 и третий 27 элементы сброса на транзисторах , первый 28, второй 29 и третий 30 элементы счмешени на МДП-конденсаторах, узлы 31, 32 и 33.
Адресный формирователь работает следующим образом.
В исходном состо нии (момент ti на фиг. 2) на первой 5 и второй 6 управл ющих шинах - нулевой потенциал, на третьей управл ющей шине 7 - высокий потенциал, на шине опорного потенциала 4 - напр жение, ровное полусумме логических уровней О и 1, подаваемых на входную адресную шину
О
ю
СП
ю
3 (но об зательно больше порогового напр жени транзистора), потенциал узла 33 равен потенциалу на шине 2 питани плюс одно пороговое напр жение транзистора.узлы 31 и 32 зар жены до напр жени питани . Это достигаетс тем, что в паузе между работой формировател сначала подаетс сигнал на вторую управл ющую шину б с уровнем, превышающим напр жение питани (гз). При этом узел 33 зар жаетс до напр жени питани , а узлы 31 и 32 - до напр жени питани минус одно пороговое напр жение транзистора, Затем втора управл юща шина обнул етс (м), а на третью управл ющую шину 7 подаетс высокий потенциал (ts). Этот сигнал через МДП-конденсатор 30 передаетс на узел 33 и повышает потенциал на нем до уровн , превышающего напр жение питани . В результате узлы 31 и 32 зар жаютс до напр жени питани и происходит выравнивание их потенциалов через открытый транзистор 23. Одновременно узел 33 начинает разр жатьс через транзистор 24 до потенциала шины 2 питани плюс одно пороговое напр жение транзистора, в результате транзисторы 20, 21 закрываютс (te). Параметры транзисторов 20, 21 и 24 и конденсаторов 28,29 и 30 выбираютс такими, чтобы гарантировать зар д узлов 31 и 32 до сброса потенциала в узле 33.
Рассмотрим случай логической 1 на входной адресной шине 3. Работа формировател начинаетс при подаче высокого потенциала на первую управл ющую шину 5 в момент ti.
Через открытые транзисторы 12 и 13 поднимаютс потенциалы на плечах триггера (на пр мой 8 и инверсной 9 выходных шинах). Из-за разбаланса на затворах транзисторов 16 и 17 происходит перекос триггера так, что потенциал на шине 8 превышает потенциал на шине 9. МДП-кон- денсаторы 28 и 29 создают динамическое смещение на затворах транзисторов 12 и 13. При этом транзисторы 20 и 21 закрыты. Следовательно, потенциалы между затворами и истоками транзисторов 12 и 13 не уменьшаютс , как это происходит и прототипе , и ток зар да шин 8 и 9 через эти транзисторы максимально возможный, что ускор ет зар д этих шин и переключение триггера, а, следовательно, повышает быстродействие адресного формировател по сравнению с прототипом. Кроме того, это устран ет разбаланс токов зар да шин 8 и 9 в обратную сторону, что устран ет переключение триггера в обратную сторону и ложное срабатывание формировател , т. е. повышает надежность срабатывани адресного формировател . Разр д узла 33 с по влением высокого потенциала на шине 5 через транзисторы 25 и 26 происходит таким образом, что потенциал этого узла превышает пороговое напр жение транзистора VT до момента защелкивани триггера (момент t2). Следовательно, до этого момента разбаланс напр жений на затворах транзисторов 16 и 17 через открытые транзисторы 18 и 19
0 передаетс на шины 8 и 9, что усиливает перекос триггера в нужную сторону, т. е. также повышает надежность срабатывани формировател . После этого узел 33 разр жаетс через транзистор 27 до нулевого по5 тенциала дл исключени потреблени по шине 2 питани в статическом режиме. Пр ма выходна шина 8 зар жаетс до потенциала шины 2 питани , инверсна выходна шина 9 через открытый транзистор 11, а
0 узел через открытый транзистор 15 разр жаютс до нулевого потенциала. Выходные сигналы формировател сформированы.
Работа адресного формировател при логическом О на входной адресной шине 3
5 происходит аналогично, только триггер на транзисторах 10 и 11 перекашиваетс в другую сторону, что приводит к зар ду до напр жени питани инверсной выходной шины 9, а на пр мой выходной шине 8 уста0 навливаетс нулевой потенциал.
Таким образом, предложенный адресный формирователь обладает более высоким быстродействием и надежностью срабатывани по сравнению с прототипом.
5Введением новых элементов и св зей
Claims (1)
- устран етс эффект уменьшени потенциалов затвор - исток транзисторов первого и второго нагрузочных элементов при срабатывании триггера, в результате чего ток за0 р да плеч этого триггера остаетс максимально возможным, а не уменьшаетс ,как в прототипе, что повышает скорость зар да и переключени триггера, т. е. быстродействие формировател . Кроме того, ус5 тран етс разбаланс токов в обратную сторону, что повышает надежность срабатывани адресного формировател . Формула изобретени Адресный формирователь, содержащий0 триггер на первом и втором транзисторах, два нагрузочных элемента на транзисторах, два элемента обратной св зи на транзисторах , два элемента предзар да на транзисторах , четыре элемента разбаланса на5 транзисторах, два элемента смещений на МДП-конденсаторах, причем затвор транзистора первого элемента разбаланса вл етс входной адресной шиной, затвор транзистора второго элемента разбаланса вл етс шиной опорного потенциала, стоктранзистора первого элемента разбаланса и исток транзистора третьего элемента разбаланса объединены, сток транзистора второго элемента разбаланса и исток транзистора четвертого элемента разбаланса объединены, сток транзистора третьего элемента разбаланса соединен с затвором транзистора первого элемента обратной св зи, затвором первого и стоком второго транзисторов триггера, истоком транзистора второго нагрузочного элемента, с одной обкладкой МДП-конденсатора второго элемента смещени и вл етс выходной инверсной информационной шиной, втора обкладка МДП-конденсатора второго элемента смещени соединена с затвором транзистора второго нагрузочного элемента , истоком транзистора второго элемента предзар да и стоком транзистора второго элемента обратной св зи, сток транзистора четвертого элемента разбаланса соединен с затвором транзистора второго элемента обратной св зи, затвором второго и стоком первого транзисторов триггера, истоком транзистора первого нагрузочного элемента , с одной обкладкой МДП-конденсатора первого элемента смещени и вл етс пр мой выходной информационной шиной, друга обкладка МДП-конденсатора первого элемента смещени соединена с затвором транзистора первого нагрузочного элемента, истоком транзистора первого элемента предзар да и стоком транзистора первого элемента обратной св зи, затворы транзисторов первого и второго элементов предзар да и транзисторов третьего и четвертого элементов разбаланса объединены, стоки транзисторов первого и второго нагрузочных элементов объединены и вл ютс первой управл ющей шиной формировател , истоки первого и второготранзисторов триггера, транзисторов первого и второго элементов обратной св зи и транзисторов первого и второго элементов разбаланса соединены с шиной нулевого 5 потенциала, стоки транзисторов первого и аторого элементов предзэр да соединены с шиной питани , отличающийс тем, что, с целью повышени быстродействи и надежности срабатывани формировател .0 он содержит выравнивающий элемент на транзисторе, ограничивающий элемент на транзисторе, третий элемент предзар да на транзисторе, три элемента сброса на транзисторе , третий элемент смещени на5 МПД-конденсаторе, причем сток и исток транзистора выравнивающего элемента соединены соответственно с затворами транзисторов первого и второго нагрузочных элементов, затвор транзистора выравнива0 ющего элемента соединен с затвором транзистора первого и истоком транзистора третьего элементов предзар да, затвором и истоком транзистора ограничивающего элемента , стоками транзисторов первого и5 третьего и затвором транзистора второго элементов сброса и с одной обкладкой МДП-конденсатора третьего элемента смещени , друга обкладка котопого вл етс третьей управл ющей шиной, сток транзи0 стора второго и исток транзистора первого элементов сброса объединены, затвор транзистора третьего элемента предзар да вл етс второй управл ющей шиной, затворы транзисторов первого и третьего5 элементов сброса соединены и вл ютс первой управл ющей шиной формировател , стоки транзисторов третьего элемента предзар да и ограничивающего элемента соединены с шиной питани , истоки транзи0 сторов второго и третьего элементов сброса соединены с шиной нулевого потенциала.jo-Hf/0 /7JI-°4
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU884463930A SU1624521A1 (ru) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | Адресный формирователь |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU884463930A SU1624521A1 (ru) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | Адресный формирователь |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1624521A1 true SU1624521A1 (ru) | 1991-01-30 |
Family
ID=21391235
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU884463930A SU1624521A1 (ru) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | Адресный формирователь |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1624521A1 (ru) |
-
1988
- 1988-07-12 SU SU884463930A patent/SU1624521A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Электроника. 1978, № 7, с. 36. Авторское свидетельство СССР Ns 1049967. кл. G 11 С 7/00, 1983. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4028558A (en) | High accuracy MOS comparator | |
US4185321A (en) | Semiconductor memory with pulse controlled column load circuit | |
EP0434090B1 (en) | C-MOS differential sense amplifier | |
US4810910A (en) | Sense amplifier with bit-line derived clocking | |
US5362995A (en) | Voltage comparing circuit | |
KR970051131A (ko) | 반도체 메모리의 센스 앰프 출력 제어 회로 | |
JPH09180463A (ja) | 半導体メモリの出力回路 | |
US4728820A (en) | Logic state transition detection circuit for CMOS devices | |
KR960019304A (ko) | 반도체 메모리 장치의 센스앰프 회로 | |
CA1068820A (en) | Low power detector circuit | |
EP0069444A2 (en) | Trigger pulse generator | |
US6037827A (en) | Noise isolation circuit | |
GB2300282A (en) | Substrate bias voltage control circuit | |
US5734282A (en) | Address transition detection circuit | |
WO1980000394A1 (en) | Voltage generator circuitry | |
KR0159324B1 (ko) | 데이터 출력회로 | |
SU1624521A1 (ru) | Адресный формирователь | |
US5530380A (en) | Decoder circuit which resists a fluctuation of a power supply | |
JPH0547178A (ja) | 高速センシング装置を具備した半導体メモリー装置 | |
JPS59169B2 (ja) | フリップフロップ回路 | |
JPS61198813A (ja) | クロツクジエネレ−タ回路 | |
SU991504A1 (ru) | Адресный формирователь | |
SU1429167A1 (ru) | Оперативное запоминающее устройство | |
KR19980033767A (ko) | 파워 온 리세트 신호 출력 회로 | |
US6285217B1 (en) | Dynamic logic circuits with reduced evaluation time |