SU1608748A1 - Запоминающий модуль - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к вычислительной технике и может быть использовано при создании запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Целью изобретени   вл етс  повышение надежности и упрощение запоминающего модул . При подаче переменных токов, например, треугольной формы, сдвинутых на 90°, внутри ортогональных катушек создаетс  вращающеес  магнитное поле, необходимое дл  управлени  и продвижени  ЦМД в доменосодержащем кристалле. Полосы из магнитом гкого материала, выполненные методами интегральной технологии, обеспечивают уменьшение величины тока, необходимого дл  возбуждени  катушек. При этом уменьшаетс  потребл ема  мощность, повышаетс  надежность за счет улучшени  температурного режима работы модул  и расшир етс  диапазон функционировани . 2 ил.

Description

Изобретение относитс  к вычислительной технике и может быть использовано при создании запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Цел|ь изобретени  - повышение надежности И упрощени  запоминающего модул .

На фиг. 1 и 2 изображена конструкци  запоминающего модул .

Запоминающий модуль содержит корпус 1 из ферромагнитного материала, в котором расположены источник магнитного пол  смещени  i виде двух посто нных магнитов 2 и 2, распэложенных по обе стороны изолирующей подложки 3 с металлизированными выводами 4 и доменосодержащим кристаллом 5, источник магнитного пол  управлени  в виде внутренней и внешней взаимоортогональных катушек 6 и 7 индуктивности, элемент усилени  магнитного потока в виде полосок 8 из магнитом гкого материала, расположенных на кра х доменосодержащего кристалла 5 и отделенных от элементов продвижени  ЦМД воздушной прослойкой 9.

Запоминающий модуль функционирует следующим образом.

При подаче переменных токов, например, треугольной формы, сдвинутых на 90°, внутри ортогональных катущек 6 и 7 создаетс  вращающеес  магнитное поле, необходимое дл  управлени  и продвижени  ЦМД в до- меносодержащем кристалле 5. Полосы 8 из магнитом гкого материала, выполненные методами интегральной технологии, обеспечивают уменьщение величины тока, необходимого дл  возбуждени  катущек 6 и 7. При этом уменьщаетс  потребл ема  мощность, повышаетс  надежность за счет улучшени  температурного режима работы модул  и расшир етс  диапазон функционировани . Наличие прослойки 9 обеспечивает изол цию полосок 8 от элементов продвижени  ЦМД.

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   Запоминающий модуль, содержащий корпус из ферромагнитного материала, в кото05

   о 00 .

   00

   ром расположены изолирующа  подложка с доменосодержащим кристаллом, источник магнитного пол  смещени  в виде двух посто нных магнитов, расположенных по обе стороны изолирующей подложки, источник магнитного пол  управлени  в виде внутренней и внешней взаимоортогональных катушек индуктивности и элемент усилени  магнитного потока, отличающийс  тем, что, с целью повышени  надежности и упрощени  запоминающего модул , элемент усилени  магнитного потока выполнен в виде полосок из магнитом гкого материала, расположенных на кра х доменосодержащего кристалла.

   / ff 8 2

   //.. / /

   ..-.-..,.... . .. ...

   / у / т

   /cyyyyyyjgyGgfe yxyy)- 7

   . п ппg Г

   U U U U

   Й/г.2

   cyyyyyyjgy

   -чх.

   5 V

   19г г9®знэ« 5 У ШУй зйк 2

   J U

   Фиг. /

   кхгэаийккиеэежзк