SU1575234A1 - Оперативное запоминающее устройство - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к вычислительной технике - запоминающим устройствам и может быть использовано при разработке оперативных ЗУ (ОЗЦ) с повышенной устойчивостью к воздействию дестабилизирующих факторов (ДФ). ЦЕЛЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ - ПОВЫШЕНИЕ УСТОЙЧИВОСТИ УСТРОЙСТВА К ВОЗДЕЙСТВИЮ ДЕСТАБИЛИЗИРУЮЩИХ ФАКТОРОВ. ПОСТАВЛЕННАЯ ЦЕЛЬ ДОСТАГАЕТСЯ ТЕМ, ЧТО УСТРОЙСТВО СОДЕРЖИТ БЛОК 5 ФОРМИРОВАНИЯ АНТИДЕСТАБИЛИЗИРУЮЩИХ СИГНАЛОВ, БЛОК 6 ЗАПРЕЩЕНИЯ ВЫБОРКИ НАКОПИТЕЛЯ 1. ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ДФ блок 6 устанавливает дешифраторы 2,4 в такое состо ние, при котором все их выходы невыбраны, что предотвращает запись ложной информации в накопитель. Блок 5 при этом задает в шины хранени  накопител  1 повышенный ток, затрудн ющий переброс элементов пам ти накопител  1 в противоположное состо ние. 2 з.п.ф-лы, 3 ил.

Description

сл VI сл

fO

со

Т777

Фиг.1

Изобретение относитс  к вычислительной технике, а именно к запоминающим устройствам (ЗУ), и может быть использовано при разработке оперативных ЗУ (ОЗУ) с повышенной устойчивостью к воздействию кратковременных дестабилизирующих факторов (ДФ).

Цель изобретени  - повышение устойчивости устройства к воздействию дестабилизирующих факторов.

На фиг,1 изображена блок-схема предлагаемого устройства; на фиг,2 - электриче- ские схемы накопител  и блока формировани  антидестабилизирующих сигналов соответственно; на фиг.З - электрическа  схема блока запрещени  выборки накопител .

Устройство содержит накопитель 1, дешифратор 2 слов, блок 3 усилителей записи- считывани , дешифратор 4 разр дов, блок 5 формировани  антидестабилизирующих сигналов и блок 6 запрещени  выборки накопител  1.

Накопитель 1 состоит из элементов 7 пам ти, источников 8 тока хранени , адресных шин 9, шин 10 хранени  и разр дных шин 11. Элементы 1 пам ти выполнены на транзисторах 12 с перекрестными св з ми и нагрузочных элементах 13.

Блок 5 состоит из фототранзисторов 14 и ограничительных элементов 15 на резисторах .

Блок 6 состоит из фототранзистора 16, ограничительного 17 и нагрузочного 18 элементов на резисторах и формировател  логических уровней на переключателе 19 тока.

Генераторы 20 тока отражают собой сумму фототоков, возникающих в р-п-пере- ходах всех конструктивных компонентов элемента 7 пам ти при воздействии дестабилизирующих факторов (ДФ). Генераторы 21 и 22 отражают собой фототоки, возникающие в коллекторных переходах соответствующих фототранзисторов 14 и 16 при воздействии ДФ.

Устройство работает следующим образом

При отсутствии воздействи  ДФ ток генераторов 20 - 22 равен нулю, поэтому фототранзисторы 14 и 16 закрыты. В результате в шины 10 хранени  поступает только ток источников 8, а на вход переключател  19 тока нагрузочным элементом 18 задаетс  высокий потенциал. Сигналы с выходов блока 6 поступают на первые входы дешифратора 2 и 4. На остальные входы дешифраторов 2 и 4 подаетс  адрес, в соответствии с которыми производитс  выборка информации из накопител  1, Дешифратор 2 слов повышает потенциал выбранной шины 9. Вместе с ним повышаетс  и потенциал баз транзисторов 12 элементов 7 пам ти выбранной строки. В результате ток записи- считывани , задаваемый источниками блока 3, выбранных столбцов накопител  с помощью дешифратора 4 разр дов будет протекать через первые эмиттеры транзисторов 12 выбранной строки и выбранных столбцов, Первые эмиттеры транзисторов

0 12 невыбранных элементов 7 пам ти останутс  закрытыми, а их состо ние будет поддерживатьс  за счет протекани  через вторые эмиттеры транзисторов 12 тока хранени  источника 8.

5 В режиме считывани  ток считывани  пропускаетс  в обе разр дные шины 11 (фиг.2) каждого выбранного столбца накопител  1. В блоке 3 производитс  усиление разности потенциалов шин 11 каждого стол0 бца и выдача информации на выход.

В режиме записи на входы блока 3 подаетс  записываема  информаци , В соответствии с ней в одну из разр дных шин 1 i каждого выбранного столбца накопител  I

5 задаетс  ток. В результате элемент 7 пам ти , наход щийс  на пересечении выбранной строки и столбца, переключаетс  з соответствующее состо ние.

Кратковременное воздействие ДФ вы0 зывает генерацию фототоков в р-п-перехо- дах конструктивных элементов устройства (кратковременными  вл етс  такое воздействие ДФ, которое не приводит к необратимым изменени м характеристик элементов

5 устройства). Фототоки генераторов 20, возникающие в элементах 7 пам ти,стрем тс  выравн ть потенциалы коллекторов и баз транзисторов 12, т.е. перевести элементы 7 пам ти в неопределенное состо ние. При

0 достижении фототоками генераторов 20 значени , превышающих ток хранени  элементов 7 пам ти, может произойти потер  хран щейс  информации Дл  того, чтобы избежать этого устройство содержит блок 5,

5 увеличивающий ток хранени  элементов 7 пам ти накопител  1.

Ограничительный элемент 15 выбирают таким, чтобы при величине фототока генераторов 20, недостаточной дл  изменени  ин0 формации в элементе 7 пам ти, падение напр жени  на нем, создаваемое фототоком генератора 21, было меньше U (U - падение напр жени  на эмиттерном р-п-пе- реходе открытого транзистора), т.е. фото5 транзистор 14 закрыт, и ток хранени , элементов пам ти увеличиваетс  незначительно . При превышении фототоками генераторов 20 порога, при котором происход т сбои в элементах 7 пам ти, токи генераторов 21 достигают величин, открывающих

фототранзисторы 14. Последние начинают усиливать фототоки соответствующих генераторов 21. В результате токи хранени  в шинах 10 хранени  накопител  1 резко возрастут , что обеспечит сохранение информации во врем  кратковременного воздействи  ДФ.

Однако при этом невозможно производить выборку информации из накопител  1, так как токи хранени  элементов 7 пам ти станов тс  сравнимыми с токами записи или считывани  информации, задаваемыми блоком 3. Когда ток генератора 22, возникающий из-за воздействи  ДФ, достигнет такой величины, что откроетс  фототранзистор 16, то последний установит на входе переключател  19 тока низкий уровень (ниже опорного напр жени , подаваемого на опорный вход переключател  19 тока). В результате переключатель 19 переключитс  и на выходах блока 6 информаци  изменитс  на противоположную, Измен тс  также сигналы и на первых входах дешифраторов 2 и 4, что эквивалентно изменению адреса на адресных входах устройства. На входах дешифраторов 2 и 4 установитс  такой адрес , который не соответствует ни одному из выходов, поэтому все адресные шины 9 накопител  1 будут иметь одинаковый потенциал , а все разр дные шины 11 будут обесточены. Через элементы 7 пам ти будет протекать ток из адресных шин 9 только в шины 10 хранени .

Воздействие ДФ вызывает возникновение фототоков не только в элементах 7 пам ти и коллекторных переходах фототранзисторов 14 и 16, но v, во всех р-п-пере- ходах элементов конструкции устройства. Однако режимные токи периферийных элементов устройства (логических элементов дешифраторов 2 и 4 блока 3 усилителей записи-считывани ) значительно больше токов хранени  элементов 7 пам ти накопител  1. Поэтому фототоки, вызывающие потери информации из накопител  1. сравнимые с токами хранени , не оказывают существенного вли ни  на работу периферийных узлов устройства.

Claims (3)

1. Оперативное запоминающее устройство , содержащее накопитель, дешифратор слов, блок усилителей записи-считывани , дешифратор разр дов, входы которого, кроме первого,  вл ютс  адресными входами первой группы устройства, адресными входами второй группы которого  вл ютс  входы , кроме первого, дешифратора слов, выходы которого подключены к соответствующим адресным шинам накопител , разр дные шины которого подключены к соответствующим информационным входам блока усилителей записи-считывани ,

входы управлени  коммутацией которого подключены к соответствующим выходам дешифратора разр дов, выходы блока усилителей записи-считывани   вл ютс  информационными выходами устройства, о тличающеес   тем, что, с целью повышени  устойчивости устройства к воздействию дестабилизирующих факторов, в него введены блок формировани  энтидестабилизи- рующих сигналов, выходы которого

подключены к соответствующим шинам хранени  накопител , блок запрещени  выборки накопител , выходы которого подключены к первым входам дешифраторов слов и разр дов соответственно.

2. Устройство по п,1, о т л v ( а -о щ е ес   тем, что блок форг шов нил тнпт.ес и- билизирующих сигналов состоит кз гозми- чптечьных элементов нг пш/.поирх и фототранзисторах, коллекторы С огп подключены соответственно к хоа- нени  накопител , эмигтеру no i О-еми к шине нулевого потенцил ус-иг й тчэ и

ПСДК.ПЮЧеНЫ К ПерЗЬ М р , ОГрЭНИЧИТеЛЬНЫХ ЭЛСГ- ОЧГОВ Ч n a CMR.V

ды которых подключены к ба:.1 . д-п-т вующих фототрзнзисторов

3. Устройство по пп 1 rf : i / ., щ е е с   тем, что блек ззнреи ;-j « . ил накопител  состоит изфог тр-м- :,n,-,i jp

грузочного и ограничительного эгемеьтпд на резисторах и формировател  логических уровней на переключателе, выходы которо го  вл ютс  выходами блоиа заг,,-:,..- выборки накопите;, а сход подк,.,. коллектору фототранзистора и ,ч- воду резистора нагрузочного -иг / г

РОЙ ВЫВОД КОТОРОГО ПСД, Т

питани  устройства, 4-r .i: стора и первый ЕЫЕСД резгюгорг о : тельного элемента подключена к ш -.  нулевого потенциала уст рсйстг;-. ст ;   - вод резистора ограничилсл ногс зле:т подключен к базе фотсгрзнз.1.-орс1.

И

Фиг 2