SU1574697A1 - Device for depositing films of solid solutions - Google Patents
Device for depositing films of solid solutions Download PDFInfo
- Publication number
- SU1574697A1 SU1574697A1 SU884363676A SU4363676A SU1574697A1 SU 1574697 A1 SU1574697 A1 SU 1574697A1 SU 884363676 A SU884363676 A SU 884363676A SU 4363676 A SU4363676 A SU 4363676A SU 1574697 A1 SU1574697 A1 SU 1574697A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- evaporator
- chamber
- components
- substrate
- vapors
- Prior art date
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к устройствам дл получени полупроводниковых материалов. Цель изобретени - поддержание посто нного давлени смешанных паров компонентов. Устройство содержит обогреваемую вакуумную камеру. В камере размещен испаритель дл смеси компонентов и подложка, закрепленна над испарителем и снабженна системой охлаждени . Между подложкой и испарителем установлена упруга перегородка с дросселирующим соплом. При нагреве камеры до температуры испарени компонентов пары смешивают в испарителе, а затем в нижней части камеры. При прохождении паров через сопло упруга перегородка деформируетс . Пары поступают в верхнюю часть камеры. При этом поддерживаетс определенное давление над испарителем и обеспечиваетс стабильность состава осаждаемых паров на подложке. Получают пленки (RB SE)X(SN TE)1-X. 1 ил.This invention relates to devices for producing semiconductor materials. The purpose of the invention is to maintain a constant pressure of the mixed vapors of the components. The device contains a heated vacuum chamber. The chamber contains an evaporator for the mixture of components and a substrate fixed above the evaporator and equipped with a cooling system. An elastic partition with a throttling nozzle is installed between the substrate and the evaporator. When the chamber is heated to the evaporation temperature of the components, the vapors are mixed in the evaporator, and then in the lower part of the chamber. As the vapor passes through the nozzle, the elastic wall is deformed. Couples come to the top of the chamber. At the same time, a certain pressure is maintained above the evaporator and the stability of the composition of the deposited vapors on the substrate is ensured. Films (RB SE) X (SN TE) 1-X are obtained. 1 il.
Description
Изобретение относитс к выращиванию кристаллов, в частности к устройствам дл получени полупроводниковых материалов.The invention relates to the growth of crystals, in particular, to devices for producing semiconductor materials.
Целью изобретени вл етс поддержание посто нного давлени смешанных паров компонентов.The aim of the invention is to maintain a constant pressure of the mixed vapors of the components.
На чертеже представлено устройство, общий вид, разрез.The drawing shows the device, General view, section.
Устройство содержит вакуумную камеру 1, корпус которой выполнен из спектрально- чистого графита и подключен с помощью электродов 2 к источнику тока. В камере 1 , размещен испаритель 3, содержащий смесь компонентов твердого раствора. Над испарителем установлена подложка 4, снабженна системой охлаждени 5 и механической заслонкой 6. Между испарителем 3 и подложкой 4 закреплена перегородка 7, выполненна из упругого материала и снабженна дросселирующим соплом 8, установленным по центру.The device contains a vacuum chamber 1, the casing of which is made of spectrally pure graphite and connected with the help of electrodes 2 to a current source. In the chamber 1, placed the evaporator 3, containing a mixture of components of a solid solution. A substrate 4 is installed above the evaporator, equipped with a cooling system 5 and a mechanical valve 6. Between the evaporator 3 and the substrate 4, a partition 7 is fixed, made of an elastic material and provided with a throttling nozzle 8 installed centrally.
Устройство работает следующим образом .The device works as follows.
После загрузки испарител 3 компонентами твердого раствора его устанавливают в нижней части камеры 1. Подложку 4 с системой охлаждени 5 и механической заслонкой 6 монтируют в верхней части камеры 1, затем ее вакуумируют. Нагрев камеры 1 до заданной температуры, необходимой дл испарени компонентов твердого раствора, осуществл ют подачей электроэнергии через электроды 2. Образуемые при нагреве пары предварительно смешиваютс внутри испарител 3 и заполн ют нижнюю часть камеры 1. При достижении определенного значени давлени испар емые пары через трубчатое сопло 8, деформиру перегородку 7, поступают в верхнюю часть вакуумной камеры 1. При открытии механической заслонки 6 за счет разно.сти температур, создаваемой системой охлаждесл 1After the evaporator is loaded with 3 components of a solid solution, it is installed in the lower part of chamber 1. Substrate 4 with cooling system 5 and mechanical flap 6 is mounted in the upper part of chamber 1, then it is evacuated. Heating chamber 1 to a predetermined temperature required for evaporating the components of the solid solution is carried out by supplying electricity through electrodes 2. The vapor formed during heating is pre-mixed inside the evaporator 3 and the lower part of chamber 1 is filled. When a certain value of pressure is reached, the evaporated vapor is 8, deform the partition 7, enter the upper part of the vacuum chamber 1. When the mechanical flap 6 is opened due to the different temperatures created by the cooling system 1
4Ь4b
с& со with & with
ни 5, проис; одит осаждение паров на jio- верхности подложки 4. Потер давлений в трубчатом сопле 8 позвол ет поддерживать определенные давлени над испарителем и обеспечить этим стабильность состава осаж- шемых паров на подложке 4.nor 5, happened; The vapor deposition on the jio-surfaces of the substrate 4 is observed. The loss of pressure in the tubular nozzle 8 makes it possible to maintain certain pressures over the evaporator and to ensure the stability of the composition of the deposited vapors on the substrate 4.
Устройство дл осаждени пленок твердых растворов, содержащее обогреваемую вакуумную камеру, размещенные в ней один напротив другой испаритель дл смеси компонентов твердого раствора и охлаждаемую подложку, отличающеес тем, что, с целью поддержани посто нного давлени смешанных паров компонентов, вакуВ данном устройстве получают пленки твердых растворов соединений А В из механической смеси порошкообразных компо-- - -A device for deposition of films of solid solutions, containing a heated vacuum chamber placed opposite one another in an evaporator for a mixture of components of a solid solution and a cooled substrate, characterized in that, in order to maintain a constant pressure of the mixed vapors of components, solid solutions connections А В from mechanical mixture of powdered components-- - -
нентов например (PbSe), (SnTe)i, дл 10 умна камера снабжена перегородкой с дросэпемен тов синхросхем. При этом обеспечи-селирующим соплом в центре, выполненнойFor example, (PbSe), (SnTe) i, for 10, the smart camera is equipped with a partition with sync circuits. At the same time, provide a settling nozzle in the center, made
ваетс экономи за счет сокращени бракаиз упругого материала и установленнойsaves by reducing the rejection of the elastic material and the established
на J2 /между подложкой и испарителем.on J2 / between the substrate and the evaporator.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU884363676A SU1574697A1 (en) | 1988-01-13 | 1988-01-13 | Device for depositing films of solid solutions |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU884363676A SU1574697A1 (en) | 1988-01-13 | 1988-01-13 | Device for depositing films of solid solutions |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1574697A1 true SU1574697A1 (en) | 1990-06-30 |
Family
ID=21349740
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU884363676A SU1574697A1 (en) | 1988-01-13 | 1988-01-13 | Device for depositing films of solid solutions |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1574697A1 (en) |
-
1988
- 1988-01-13 SU SU884363676A patent/SU1574697A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Поверхностные свойства твердых тел. Под ред. М. Грина. М.: Мир, 1972, с. 338, рис. 5.12. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Dang et al. | Recent progress in the synthesis of hybrid halide perovskite single crystals | |
KR100653828B1 (en) | Trap apparatus | |
US3361591A (en) | Production of thin films of cadmium sulfide, cadmium telluride or cadmium selenide | |
US3939292A (en) | Process for stable phase III potassium nitrate and articles prepared therefrom | |
SU1574697A1 (en) | Device for depositing films of solid solutions | |
JPH10195639A (en) | Evaporation source for organic material and organic thin film forming apparatus using the same | |
US3476593A (en) | Method of forming gallium arsenide films by vacuum deposition techniques | |
JPS6021959B2 (en) | Method for manufacturing a layer with a surface composition of Hg↓1-xCdxTe | |
Kojima et al. | Measurements of vapor pressures of MOCVD materials, which are usable for ferroelectric thin films | |
US5738721A (en) | Liquid precursor and method for forming a cubic-phase passivating/buffer film | |
Buckley et al. | Variations in the resistivity of evaporated films of cadmium sulphide | |
US5238526A (en) | Method of forming charge transfer complexes | |
Munir et al. | Morphology of thermally etched basal surfaces of cadmium selenide | |
JP3552749B2 (en) | Film forming apparatus and film forming evaporation source apparatus | |
Grünbaum et al. | Thickness dependence of phase changes in Cobalt films | |
Afanasyev et al. | Acquiring MIS Structures Based on Bа0. 8Sr0. 2TiО3 Ferroelectric Films and their Properties | |
JPH03143506A (en) | Method and device for refining | |
RU1256608C (en) | Method of obtaining epitaxial layers of cadmium sulfide out of gas phase | |
RU2065223C1 (en) | Method of production of photosensitive epitaxial layers of doped solid solutions | |
JPH01188677A (en) | Production of superconducting thin film | |
Moorthy et al. | Analysis of various growth procedures for the deposition of Bi2S3 semiconducting films | |
JPS6449860A (en) | Chemical heat pump device | |
JPH11193462A (en) | Method for vaporizing organic alkaline-earth metal complex in cvd process | |
JPH02293391A (en) | Method for hot-wall epitaxial growth | |
JPH0483793A (en) | Apparatus for vapor growth |