SU1535827A1 - Способ получени диоксида кремни - Google Patents
Способ получени диоксида кремни Download PDFInfo
- Publication number
- SU1535827A1 SU1535827A1 SU874293532A SU4293532A SU1535827A1 SU 1535827 A1 SU1535827 A1 SU 1535827A1 SU 874293532 A SU874293532 A SU 874293532A SU 4293532 A SU4293532 A SU 4293532A SU 1535827 A1 SU1535827 A1 SU 1535827A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- silicon
- vessel
- yield
- silicon oxide
- tetraiodide
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
- C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
- C01B33/18—Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof
- C01B33/181—Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof by a dry process
- C01B33/183—Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof by a dry process by oxidation or hydrolysis in the vapour phase of silicon compounds such as halides, trichlorosilane, monosilane
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к способам получени диоксида кремни , примен емого дл получени оптического или кварцевого стекла и позвол ет повысить выход и чистоту продукта по галоген-примеси. Тетраиодид кремни засыпают в кварцевой сосуд. Сосуд помещают в горизонтальную печь, в которой поддерживают температуру 400 - 500°С. В сосуд подают кислород (расход 30 - 35 нл/ч) или сухой воздух (расход 80 - 100 нл/ч). Воздух с целью удалени паров воды, мешающих воспламенению смеси, пропускают через фосфорный ангидрид P2O5. Содержание паров воды не превышает 2.10-5 г/м3. Происходит воспламенение тетраиодида кремни с кислородом и образование оксида кремни . Оксид кремни оседает на стенках сосуда, а образующийс иод собирает в приемнике. Выход оксида кремни составл ет 98,8 - 99,3 мас.%, содержание иода-10-5 мас.%. 2 табл.
Description
(21) 293532/31-26
(22)03.08.8
(А6) 15.01 ,S C, Бюл. N 2
(71)Институт и неорганической химии им, С.Н.Ч/риокога
(72)Г.П.панасю1, L.f,Ьино(ралов, И.М.Каратаева , Г.Н, Т лпасома , Б.М.Кигарьовскии и В.Б.Лазарев (53) 661.183.7 (и88.8)
(56)Асзторссое CDI-ДО гольст оо СССР К ,, ,.,. с Г ЬО. ( Сп П )ь ПСЖ/ МНИ/ ДИГК ГД1 ЖМ- Illifl
(57) ч t leHi u (. к способам получеы диоксида IVHHHH, примен емого дл ( ,луч«.(-1ил wi i гмчесгого или
варцево о пекпа и полосл ет повысить г ход и MMiioiy продукта по гологенпримеси . Тетраиодид KpeMfи засыпают в квсарцевый сосуд. Сосуд помещают о горизонтальную печь, в которой поддерживают температуру 00-500еС. D сосуд подают кислород (расход 30 - 35 л/ч) или сухой воздух (расход 80- 100 л/ч). Воздух с целью удалени паров воды, мешающих воспламенению смеси , пропускают через фосфорный ангидрид $. Содержание паров воды но г резы1Ьс ет 2«10 г/мч. Прси.од;- вослламенение тетраиодида кремни кислородом и образование оксида нин. Оксид кремни оседает на стенках сосуда, а образующийс иод собираю в приемнике. Выход оксида кремни составл ет 98,8-99,3 маг., содержание иода - мас.%. 9 табл.
Иэобрете 1 ( iH(ictiiCft к способам полумени диоксида кремни , примен емого дл г ллуч -ин оптичегкого или
ИСкф1; ВО1 О .
Uej ь и t С f тгии - noBnuenki выхода пргдучт снижение содержани в нем галоге: -прим j( и
П р и м , р 1. 100 г 1елраиодида кремнии ..i , кварцевый сосуд. Сосуд 1« т ti горизонтальную электропечь , в которо (Огг держивают температуру ОО Г, и подают кислород со скорость 0 л поцс-че Дй npowcxj/ i с и плнмемение с обр зов i кремни . Иод конденсирует и и ке. Выход теоретический ,0,68 гу практический 10,77 г, что состнвль. 99,0.
Пример2. 100 г тетрсН-юдИдс кремни засыпают в кварцевый сосуд. Сосуд помещают в горизонтальную электропечь , в которой поддерживают температуру 500°С, и подают воздух (предварительно пропущенный над ) со скоростью 90 л/ч. Содержание паров воды в воздухе ./м3. Выход диоксида кремни 10,80 г (99,%).
JW4.
ЈЛ &0 О 00 N3
ч
ПримерЗ. 100 г тетранодида кремни засыпают в кварцевый сосуд. Сосуд помещают в горизонталь уо электропечь , в чоторой поддерживают теч ie- ратуру 380°С. Подают в сосуд 30 л/ч кислорода. В результате воспламенени Sil образуетс оксид кремни . Иод конденсируетс в ловушке. Выход теоретический 10,88 г, практический 8,36 г, что составл ет 76,8%.
Остальные примеры провод т аналогично .5
Данные по выходу и чистоте продукта сведены в табл.1 и 2.
Claims (1)
- По прототипу получают диоксид кремни с выходом 86,7% и содержанием свободного хлора мае Д. 10 Формула изобре-тениСпособ получени диоксида кремни , включающий взаимодействие галогенидаТаблица 1Зависимость выхода Si02 от температуры синтеза и скорости подачи сухого воздухаТаблицаЗависимость выхода Si02 от температуры синтеза и скорости подачи кислородазо30 30 30кремни с окислителем в пламени, отличающийс тем, что, с целью повышени выхода продукта и снижени содержани в нем галоген- примеси, в качестве галогенида используют тетраиодид кремни , в качестве окислител - кислород в количестве 30-35 л/ч на 100 г тетраиодида кремни или сухой воздух в количестве 80-100 л/ч на 100 г тетраиодида кремни и процесс ведут при OO-SOO C.2 31 6ю-5ю-510 3
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU874293532A SU1535827A1 (ru) | 1987-08-03 | 1987-08-03 | Способ получени диоксида кремни |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU874293532A SU1535827A1 (ru) | 1987-08-03 | 1987-08-03 | Способ получени диоксида кремни |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1535827A1 true SU1535827A1 (ru) | 1990-01-15 |
Family
ID=21322971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU874293532A SU1535827A1 (ru) | 1987-08-03 | 1987-08-03 | Способ получени диоксида кремни |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1535827A1 (ru) |
-
1987
- 1987-08-03 SU SU874293532A patent/SU1535827A1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4616901A (en) | Doped optical fiber | |
| DE3684204D1 (de) | Verfahren zur herstellung von magnesiumoxyd-aluminiumoxyd-siliciumdioxyd-glaesern und keramiken. | |
| EP0063272B1 (en) | Synthesis of silicon nitride | |
| SU1535827A1 (ru) | Способ получени диоксида кремни | |
| JP4181226B2 (ja) | 高純度、高耐熱性石英ガラスの製造方法 | |
| US3350166A (en) | Synthesis of aluminum borate whiskers | |
| US4656021A (en) | Method for the production of silicon | |
| US4272488A (en) | Apparatus for producing and casting liquid silicon | |
| AU547034B2 (en) | High temperature fibres | |
| US4539221A (en) | Process for the chemical vapor deposition of oxidic particles | |
| SU565881A1 (ru) | Способ получени дихлорида олова | |
| SU887463A1 (ru) | Способ получени двуокиси кремни | |
| SU882931A1 (ru) | Способ получени четыреххлористого титана из титаножелезистого сырь | |
| SU528288A1 (ru) | Шихта дл изготовлени муллита и способ его получени | |
| SU644729A1 (ru) | Способ получени четыреххлористого кремни | |
| JPS54124896A (en) | Continuous production of high purity polycrystalline silicon rods | |
| RU1309490C (ru) | Способ получени селеноводорода | |
| JPS57135735A (en) | Preparation of germanium dioxide-antimony trioxide glass | |
| SU865790A1 (ru) | Способ получени дихлорсилана | |
| DE3768164D1 (de) | Kristallines alumophosphat vom molekularsieb-typ und verfahren zu seiner herstellung. | |
| IL47643A (en) | Oxidation of magnesium chloride | |
| US3558270A (en) | Macroscopic fibers of spinel | |
| JPH0264027A (ja) | 石英ガラスの製造方法 | |
| RU2186744C1 (ru) | Способ получения стекол gex s1-x (x=0,1-0,5) | |
| SU702076A1 (ru) | Способ получени силикатных эмалей |