SU153305A1 - - Google Patents
Info
- Publication number
- SU153305A1 SU153305A1 SU694947A SU694947A SU153305A1 SU 153305 A1 SU153305 A1 SU 153305A1 SU 694947 A SU694947 A SU 694947A SU 694947 A SU694947 A SU 694947A SU 153305 A1 SU153305 A1 SU 153305A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- amplifier
- write
- read
- reading
- pulses
- Prior art date
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic Effects 0.000 description 2
- 240000007842 Glycine max Species 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Description
Известны устройства со считыванием и записью информации за один проход головки над чейкой пам ти на магнитном барабане.
Предлагаема схема парафазного усилител чтени -записи отличаетс от известных схем тем, что в нем дифференцирующие переходные цепочки служат одновременно след щим устройством компенсации и включены последовательно с магнитной головкой в анодную цепь усилител записи в качестве нагрузки. Такое включение позвол ет предотвратить блокировку усилител чтени мощными импульсами записи, увеличить врем «упреждени и исключить промежуточные согласующие элементы и вли ние паразитной э.д.с., возникающей в сердечнике головки.
На чертеже представлена принципиальна схема предлагаемого устройства.
Усилитель записи выполнен на двойном триоде Ль Оба триода нормально заперты и открываютс , соответственно, импульсами «О и «1. Анодными нагрузками вл ютс обмотки LI и Lo магнитной головки МГ. Сопротивление Ri служит дл контрол импульсов тока записи. Последовательно с обмотками LI и Lg магнитной головки включены цепочки RoCi и . Во врем протекани тока записи «1 или «О конденсатор Ci или Cz, соответственно, зар жаетс до напр жени L/с.макс. По окончании импульса записи конденсатор разр жаетс через параллельно подключенное сопротивление по экспоненциальному закону с посто нной времени R-zCi или RsCs.
№ 153305
Усилитель чтени содержит два каскада усилени : первый - на двойном диоде Л и второй - на пентодах Л и Л. Он собран по парафазной ллреагирует только на разность напр жений между сетками ;лампьг Ло. Лампы Лз и Л играют роль временного селектора и позво 1 ют произвести опрос выхода усилител чтени только в момент ожидаемого по влени максимума сигнала считывани . Усилитель имеет, однофазный выход (вторична , обмотка трансформатора , Сопротивление 4 служит дл балансировки усилител .
Предмет изобретени
Парафазный усилитель чтени -записи дл запоминающих устройств на магнитном барабане, отличающийс тем, что, с целью предотвращени блокировки усилител чтени мощными импульсами записи, увеличени времени «упреждени , исключени промежуточных согласующих элементов и вли ни паразитной э.д.с., возникающей в сердечнике головки, последн непосредственно включена в качестве нагрузки в анодную цепь усилител последовательно с дифференцирующими переходными цепочками, служащими одновременно след щим устройством компенсации.
ТрО
i i
JL
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU153305A1 true SU153305A1 (ru) |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6396733B1 (en) | Magneto-resistive memory having sense amplifier with offset control | |
US6625076B2 (en) | Circuit configuration fir evaluating the information content of a memory cell | |
KR100201735B1 (ko) | 강유전체 메모리 장치 및 그것의 동작 제어 방법 | |
JPH06274805A (ja) | リード/ライト集積回路 | |
US4375600A (en) | Sense amplifier for integrated memory array | |
SU153305A1 (ru) | ||
CN104766623A (zh) | 一种利用衬底偏压反馈增强stt-mram读可靠性的电路 | |
CN100481253C (zh) | 具有适当读出计时的半导体存储器器件 | |
US5268874A (en) | Reading circuit for semiconductor memory | |
US5276665A (en) | Magneto-optical disk recording and reproducing apparatus capable of reproducing a plurality of disk types | |
US3293626A (en) | Coincident current readout digital storage matrix | |
US4716549A (en) | Semiconductor memory device having a circuit for compensating for discriminating voltage of memory cells | |
US20090003041A1 (en) | Semiconductor memory device and read method thereof | |
JPH0547920B2 (ru) | ||
SU242967A1 (ru) | Феррит-транзисторная ячейка | |
US20220310134A1 (en) | Sense amplifier, memory, and control method | |
JPS6276012A (ja) | フロッピーディスク装置 | |
SU284043A1 (ru) | Запоминающий элемент | |
JPH03219491A (ja) | 半導体記憶装置 | |
SU296150A1 (ru) | Запоминающий элемент | |
SU251005A1 (ru) | УСТРОЙСТВО дл УПРАВЛЕНИЯ НАКОПИТЕЛЕМ НА МАГНИТНОЙ ЛЕНТЕ С ЗОННОЙ ЗАПИСЬЮ ИНФОРМАЦИИ | |
JP4484899B2 (ja) | 磁性メモリデバイス、および磁性メモリデバイスにおけるデータ読み出し方法 | |
SU416753A1 (ru) | ||
SU1474736A1 (ru) | Элемент пам ти | |
SU167372A1 (ru) | Реверсивный двоичный ферротранзисторныйсчетчик |