SU1531209A1 - Integrated element - Google Patents

Integrated element Download PDF

Info

Publication number
SU1531209A1
SU1531209A1 SU884405561A SU4405561A SU1531209A1 SU 1531209 A1 SU1531209 A1 SU 1531209A1 SU 884405561 A SU884405561 A SU 884405561A SU 4405561 A SU4405561 A SU 4405561A SU 1531209 A1 SU1531209 A1 SU 1531209A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
base
bus
diode
ecl
Prior art date
Application number
SU884405561A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Михаил Овсеевич Ботвиник
Владислав Михайлович Ботвиник
Игорь Витальевич Полупан
Original Assignee
Организация П/Я А-3106
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Организация П/Я А-3106 filed Critical Организация П/Я А-3106
Priority to SU884405561A priority Critical patent/SU1531209A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1531209A1 publication Critical patent/SU1531209A1/en

Links

Landscapes

  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано при построении микросхем ЭСЛ-типа. Цель изобретени  - увеличение надежности интегрального ЭСЛ-элемента путем упрощени . Интегральный ЭСЛ-элемент содержит четыре транзистора, четыре диода и п ть резисторов. Четвертый транзистор ответвл ет часть входного тока в цепь формировани  опорного напр жени  на базе одного транзистора и одновременно ограничивает уровень напр жени  на базе другого транзистора, которые вместе образуют ЭСЛ-элемент. При этом достигаетс  упрощение ЭСЛ-элемента без уменьшени  быстродействи  и увеличени  потребл емой мощности. 1 ил.The invention relates to a pulse technique and can be used in the construction of ECL-type microcircuits. The purpose of the invention is to increase the reliability of the integral ECL element by simplifying. The integrated ECL element contains four transistors, four diodes and five resistors. The fourth transistor branches a portion of the input current into the reference voltage shaping circuit at the base of one transistor and simultaneously limits the voltage level at the base of the other transistor, which together form the ECL element. This results in a simplification of the ECL element without reducing the speed and increasing the power consumption. 1 il.

Description

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано при построении микросхем ЭСП-типа.The invention relates to a pulse technique and can be used in the construction of ESP-type microcircuits.

Целью изобретени   вл етс  увеличение надежности путем упрощени .The aim of the invention is to increase reliability by simplifying.

На чертеже приведена принципиальна  электрическа  схема интегрального ЭСЛ-элемента,The drawing shows a circuit diagram of an integrated ECL element,

Интегральный ЭСЛ-элемент содержит первый 1 и второй 2 резисторы, соединенные первыми выводами с шиной 3 питани , а вторыми - с коллекторами первого 4 и второго 5 транзисторов и с первым 6 и вторым 7 выходами, эмиттеры транзисторов 4 и 5 соединены с коллектором третьего транзистора 8, эмиттер которого соединен через третий резистор 9 с общей шиной 10, база транзистора 4 через четвертый резистор 11 соединена с шиной 3 питани  и с анодом первого диода 12,The integrated ECL element contains the first 1 and second 2 resistors connected by the first leads to the power supply bus 3, and the second to the collectors of the first 4 and second 5 transistors and to the first 6 and second 7 outputs, the emitters of the transistors 4 and 5 are connected to the collector of the third transistor 8, the emitter of which is connected through the third resistor 9 to the common bus 10, the base of the transistor 4 through the fourth resistor 11 is connected to the power bus 3 and to the anode of the first diode 12,

катод которого  вл етс  входом 13, база транзистора 5 через п тый резистор 14 соединена с шиной 3 питани  и с анодом второго диода 15, катод которого через последовательно включенные третий 16 и четвертый 17 диоды соединен с общей шиной 10, база транзистора 4 соединена с коллектором чет- .. вертого транзистора 18, база которого соединена с коллектором транзистора 8, а эмиттер - с базой транзистора 4 и с катодом диода 15.whose cathode is input 13, the base of the transistor 5 is connected via the fifth resistor 14 to the supply bus 3 and to the anode of the second diode 15, the cathode of which through the third 16 and fourth 17 diodes connected in series to the common bus 10, the base of transistor 4 is connected to the collector Fourth ... of the transistor 18, the base of which is connected to the collector of transistor 8, and the emitter - to the base of transistor 4 and to the cathode of the diode 15.

Интегральный ЭСЛ-элемент работает следук цим образом.The integral ECL element works in the following way.

При Подаче на вход 13 напр жени  высокого уровн  ток через диод 12 прекращаетс  и через резистор 11 течет в базу транзистора 4.When the input to the input 13 of the high voltage level, the current through the diode 12 is stopped and through the resistor 11 flows into the base of the transistor 4.

При транзистор 4 открываетс , транзистор 5 закрываетс . Ток через транзистор 4 определ етс  генератосдWhen transistor 4 is opened, transistor 5 is closed. The current through the transistor 4 is determined by the general government

соwith

toto

о соabout with

ром тока, выполненном на транзисторе 8 и резисторе 9. Напр жение на базе транзистора 8 посто нно и равно ,, где Ug - пр ное падение на-- пр жени  на переходе база - эмиттер, при этом величина тока генератора будет равнаrum current, performed on the transistor 8 and the resistor 9. The voltage at the base of the transistor 8 is constant and equal to, where Ug is the direct drop in the voltage across the base-to-emitter junction, while the generator current will be equal to

1one

что позвол ет легко рассчитать величину резисторов 1 и 2 дл  получени  заданного перепада напр жений на выходах 6 и 7.which makes it easy to calculate the value of resistors 1 and 2 to obtain a given voltage drop across the outputs 6 and 7.

При достижении на базе транзистора 4 напр жени  U транзистор 18 открываетс  и избыточна  часть базового тока транзистора А по цепи: шина 3 питани , резистор 11, коллектор эмиттер транзистора 18, диоды 16 и 17, обца  вина 10, протекает по цепи формировани  опорного нар жени  на базе траизистора 5.When the voltage U is reached on the base of transistor 4, transistor 18 opens and excess part of the base current of transistor A along the circuit: power supply bus 3, resistor 11, collector emitter of transistor 18, diodes 16 and 17, fault 10, flows through based on traizistor 5.

При этом напр жение на базе тран- зистора 4 не превышает уровн  4U, что исключает насыцение транзистора 4 при заданной величине логического перепада напр жений иа выходе 6. Составл юща  входного тока, используема  дл  формировани  опорного напр жени  на базе транзистора 5,  вл етс  избыточньм базовьм током транзистора 4, который можно отобрать из цепи базы этого транзистора после его включени .In this case, the voltage on the base of the transistor 4 does not exceed the level of 4U, which prevents saturation of the transistor 4 at a given value of the logical voltage drop and output 6. The input current component used to form the reference voltage on the base of the transistor 5 is redundant the base current of the transistor 4, which can be selected from the base circuit of this transistor after it is turned on.

При подаче на вход 13 напр жени  низкого уровн  транзистор 5 открываетс , а транзисторы 4 и 18 закрываютс , так как входной ток проте- кает при эган по цепи: шииа 3 пита- ни , резистор 11, диод 12, вход 13.When a low level voltage is applied to the input 13, the transistor 5 opens and the transistors 4 and 18 are closed, as the input current flows with an egan in the circuit: a wide 3 power supply, a resistor 11, a diode 12, an input 13.

гg

0 0

5 55 5

0 0

00

Напр жение на базе транзистора 5 посто нно и равно 3Ug за счет протекани  тока по цепи: шина 3 питани , резистор 14, диоды 15 - 17, обща  шина 10.The voltage at the base of transistor 5 is constant and equal to 3Ug due to the flow of current through the circuit: power supply bus 3, resistor 14, diodes 15-17, common bus 10.

Claims (1)

Таким образом, ЭСЛ-элемент содержит меньшее количество элементов и обеспечивает быстродействие и потребл емую мощность не хуже известного технического решени , что позвол ет повысить технико-экономические показатели устройств, выполненных на его основе. Формула изобретени Thus, the ECL element contains a smaller number of elements and provides for speed and power consumption not worse than the known technical solution, which allows improving the technical and economic performance of devices made on its basis. Invention Formula Интегральньй ЭСЛ-элемент, содержащий первый и второй транзисторы, коллекторы которых соответственно соединены с первыми вторым выходами и, соответственно через первь и вторс резисторы подключены к шине питани , а эмиттеры соединены с коллектором третьего транзистсфа, эмиттер которого через трет1й резистор подключен к общей шине, база первого транзистора через четвертый резистор соединена с шиной питани  и подключена к аноду первого диода, катод которого подключен к входу, база второго транзистора через п гьЛ резистор соединена с шиной питани  и с анодом второго диода, катод которого через последовательно включенные третий и четвертый диоды соединен с общей шиной, о т л и ч .а - щ и и с   тем, что, с целью увеличени  надежности, введен четвертый транзистор, коллектор которого соединен с базой первого транзистора, база - с коллектором третьего транзистора , а эмиттер - с базой третьего транзистора и с катодсж второго диода .An integral ECL element containing the first and second transistors, the collectors of which are respectively connected to the first second outputs and, respectively, through the first and second resistors are connected to the power bus, and the emitters are connected to the collector of the third transistor, the emitter of which is connected through a third bus to the common bus, the base of the first transistor through the fourth resistor is connected to the power supply bus and connected to the anode of the first diode, the cathode of which is connected to the input, the base of the second transistor is connected to the bus across power supply and with the anode of the second diode, the cathode of which is connected through a series of third and fourth diodes to a common bus, about the same and with the fact that, in order to increase reliability, a fourth transistor is inserted, the collector of which with the base of the first transistor, the base with the collector of the third transistor, and the emitter with the base of the third transistor and from the cathode of the second diode.
SU884405561A 1988-03-15 1988-03-15 Integrated element SU1531209A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884405561A SU1531209A1 (en) 1988-03-15 1988-03-15 Integrated element

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884405561A SU1531209A1 (en) 1988-03-15 1988-03-15 Integrated element

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1531209A1 true SU1531209A1 (en) 1989-12-23

Family

ID=21366797

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU884405561A SU1531209A1 (en) 1988-03-15 1988-03-15 Integrated element

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1531209A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Алексеенко А.Г., Шагурин И.И. Микросхемотехкика. Радио и св зь. - М.: 1982, с. 256. рис. 7. 8а. Авторское свидетельство СССР 1205295, кл. Н 03 К 19/086, 1984. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SU1531209A1 (en) Integrated element
SU1205295A1 (en) Integrated ecl element
GB2120888A (en) Improvements in or relating to bistable multivibrator circuits
SU1228260A1 (en) Versions of logic integrated circuit
KR930006692Y1 (en) Switching time reducted circuit used for short diode
SU1170597A1 (en) Delaying device
SU1358077A1 (en) Single pulse shaper
SU1422379A1 (en) Pulse shaper
SU1492449A1 (en) Phase comparator
SU907804A1 (en) Matrix lsi circuit logic element
JPH0334688B2 (en)
SU600543A1 (en) High-voltage dc stabilizer
SU617844A1 (en) Tlec-to-ttl converter
SU1277382A1 (en) Transistor-transistor logic element
SU762189A1 (en) Logical integrated microcircuit
SU1269252A1 (en) Inverter based on transistor-transitor logic
SU1200412A1 (en) High-voltage logic element
SU1081778A1 (en) Polyphase multivibrator
SU905992A1 (en) Sawtooth voltage generator
SU1338053A1 (en) Adder
SU1160543A2 (en) Schmitt flip-flop
SU1001479A1 (en) Integrated logic circuit
SU1205264A1 (en) Triangular voltage generator
SU1378049A1 (en) Majority element
SU913597A1 (en) Change-over switch