SU1531209A1 - Integrated element - Google Patents
Integrated element Download PDFInfo
- Publication number
- SU1531209A1 SU1531209A1 SU884405561A SU4405561A SU1531209A1 SU 1531209 A1 SU1531209 A1 SU 1531209A1 SU 884405561 A SU884405561 A SU 884405561A SU 4405561 A SU4405561 A SU 4405561A SU 1531209 A1 SU1531209 A1 SU 1531209A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- transistor
- base
- bus
- diode
- ecl
- Prior art date
Links
Landscapes
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к импульсной технике и может быть использовано при построении микросхем ЭСЛ-типа. Цель изобретени - увеличение надежности интегрального ЭСЛ-элемента путем упрощени . Интегральный ЭСЛ-элемент содержит четыре транзистора, четыре диода и п ть резисторов. Четвертый транзистор ответвл ет часть входного тока в цепь формировани опорного напр жени на базе одного транзистора и одновременно ограничивает уровень напр жени на базе другого транзистора, которые вместе образуют ЭСЛ-элемент. При этом достигаетс упрощение ЭСЛ-элемента без уменьшени быстродействи и увеличени потребл емой мощности. 1 ил.The invention relates to a pulse technique and can be used in the construction of ECL-type microcircuits. The purpose of the invention is to increase the reliability of the integral ECL element by simplifying. The integrated ECL element contains four transistors, four diodes and five resistors. The fourth transistor branches a portion of the input current into the reference voltage shaping circuit at the base of one transistor and simultaneously limits the voltage level at the base of the other transistor, which together form the ECL element. This results in a simplification of the ECL element without reducing the speed and increasing the power consumption. 1 il.
Description
Изобретение относитс к импульсной технике и может быть использовано при построении микросхем ЭСП-типа.The invention relates to a pulse technique and can be used in the construction of ESP-type microcircuits.
Целью изобретени вл етс увеличение надежности путем упрощени .The aim of the invention is to increase reliability by simplifying.
На чертеже приведена принципиальна электрическа схема интегрального ЭСЛ-элемента,The drawing shows a circuit diagram of an integrated ECL element,
Интегральный ЭСЛ-элемент содержит первый 1 и второй 2 резисторы, соединенные первыми выводами с шиной 3 питани , а вторыми - с коллекторами первого 4 и второго 5 транзисторов и с первым 6 и вторым 7 выходами, эмиттеры транзисторов 4 и 5 соединены с коллектором третьего транзистора 8, эмиттер которого соединен через третий резистор 9 с общей шиной 10, база транзистора 4 через четвертый резистор 11 соединена с шиной 3 питани и с анодом первого диода 12,The integrated ECL element contains the first 1 and second 2 resistors connected by the first leads to the power supply bus 3, and the second to the collectors of the first 4 and second 5 transistors and to the first 6 and second 7 outputs, the emitters of the transistors 4 and 5 are connected to the collector of the third transistor 8, the emitter of which is connected through the third resistor 9 to the common bus 10, the base of the transistor 4 through the fourth resistor 11 is connected to the power bus 3 and to the anode of the first diode 12,
катод которого вл етс входом 13, база транзистора 5 через п тый резистор 14 соединена с шиной 3 питани и с анодом второго диода 15, катод которого через последовательно включенные третий 16 и четвертый 17 диоды соединен с общей шиной 10, база транзистора 4 соединена с коллектором чет- .. вертого транзистора 18, база которого соединена с коллектором транзистора 8, а эмиттер - с базой транзистора 4 и с катодом диода 15.whose cathode is input 13, the base of the transistor 5 is connected via the fifth resistor 14 to the supply bus 3 and to the anode of the second diode 15, the cathode of which through the third 16 and fourth 17 diodes connected in series to the common bus 10, the base of transistor 4 is connected to the collector Fourth ... of the transistor 18, the base of which is connected to the collector of transistor 8, and the emitter - to the base of transistor 4 and to the cathode of the diode 15.
Интегральный ЭСЛ-элемент работает следук цим образом.The integral ECL element works in the following way.
При Подаче на вход 13 напр жени высокого уровн ток через диод 12 прекращаетс и через резистор 11 течет в базу транзистора 4.When the input to the input 13 of the high voltage level, the current through the diode 12 is stopped and through the resistor 11 flows into the base of the transistor 4.
При транзистор 4 открываетс , транзистор 5 закрываетс . Ток через транзистор 4 определ етс генератосдWhen transistor 4 is opened, transistor 5 is closed. The current through the transistor 4 is determined by the general government
соwith
toto
о соabout with
ром тока, выполненном на транзисторе 8 и резисторе 9. Напр жение на базе транзистора 8 посто нно и равно ,, где Ug - пр ное падение на-- пр жени на переходе база - эмиттер, при этом величина тока генератора будет равнаrum current, performed on the transistor 8 and the resistor 9. The voltage at the base of the transistor 8 is constant and equal to, where Ug is the direct drop in the voltage across the base-to-emitter junction, while the generator current will be equal to
1one
что позвол ет легко рассчитать величину резисторов 1 и 2 дл получени заданного перепада напр жений на выходах 6 и 7.which makes it easy to calculate the value of resistors 1 and 2 to obtain a given voltage drop across the outputs 6 and 7.
При достижении на базе транзистора 4 напр жени U транзистор 18 открываетс и избыточна часть базового тока транзистора А по цепи: шина 3 питани , резистор 11, коллектор эмиттер транзистора 18, диоды 16 и 17, обца вина 10, протекает по цепи формировани опорного нар жени на базе траизистора 5.When the voltage U is reached on the base of transistor 4, transistor 18 opens and excess part of the base current of transistor A along the circuit: power supply bus 3, resistor 11, collector emitter of transistor 18, diodes 16 and 17, fault 10, flows through based on traizistor 5.
При этом напр жение на базе тран- зистора 4 не превышает уровн 4U, что исключает насыцение транзистора 4 при заданной величине логического перепада напр жений иа выходе 6. Составл юща входного тока, используема дл формировани опорного напр жени на базе транзистора 5, вл етс избыточньм базовьм током транзистора 4, который можно отобрать из цепи базы этого транзистора после его включени .In this case, the voltage on the base of the transistor 4 does not exceed the level of 4U, which prevents saturation of the transistor 4 at a given value of the logical voltage drop and output 6. The input current component used to form the reference voltage on the base of the transistor 5 is redundant the base current of the transistor 4, which can be selected from the base circuit of this transistor after it is turned on.
При подаче на вход 13 напр жени низкого уровн транзистор 5 открываетс , а транзисторы 4 и 18 закрываютс , так как входной ток проте- кает при эган по цепи: шииа 3 пита- ни , резистор 11, диод 12, вход 13.When a low level voltage is applied to the input 13, the transistor 5 opens and the transistors 4 and 18 are closed, as the input current flows with an egan in the circuit: a wide 3 power supply, a resistor 11, a diode 12, an input 13.
гg
0 0
5 55 5
0 0
00
Напр жение на базе транзистора 5 посто нно и равно 3Ug за счет протекани тока по цепи: шина 3 питани , резистор 14, диоды 15 - 17, обща шина 10.The voltage at the base of transistor 5 is constant and equal to 3Ug due to the flow of current through the circuit: power supply bus 3, resistor 14, diodes 15-17, common bus 10.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU884405561A SU1531209A1 (en) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | Integrated element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU884405561A SU1531209A1 (en) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | Integrated element |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1531209A1 true SU1531209A1 (en) | 1989-12-23 |
Family
ID=21366797
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU884405561A SU1531209A1 (en) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | Integrated element |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1531209A1 (en) |
-
1988
- 1988-03-15 SU SU884405561A patent/SU1531209A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Алексеенко А.Г., Шагурин И.И. Микросхемотехкика. Радио и св зь. - М.: 1982, с. 256. рис. 7. 8а. Авторское свидетельство СССР 1205295, кл. Н 03 К 19/086, 1984. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
SU1531209A1 (en) | Integrated element | |
SU1205295A1 (en) | Integrated ecl element | |
GB2120888A (en) | Improvements in or relating to bistable multivibrator circuits | |
SU1228260A1 (en) | Versions of logic integrated circuit | |
KR930006692Y1 (en) | Switching time reducted circuit used for short diode | |
SU1170597A1 (en) | Delaying device | |
SU1358077A1 (en) | Single pulse shaper | |
SU1422379A1 (en) | Pulse shaper | |
SU1492449A1 (en) | Phase comparator | |
SU907804A1 (en) | Matrix lsi circuit logic element | |
JPH0334688B2 (en) | ||
SU600543A1 (en) | High-voltage dc stabilizer | |
SU617844A1 (en) | Tlec-to-ttl converter | |
SU1277382A1 (en) | Transistor-transistor logic element | |
SU762189A1 (en) | Logical integrated microcircuit | |
SU1269252A1 (en) | Inverter based on transistor-transitor logic | |
SU1200412A1 (en) | High-voltage logic element | |
SU1081778A1 (en) | Polyphase multivibrator | |
SU905992A1 (en) | Sawtooth voltage generator | |
SU1338053A1 (en) | Adder | |
SU1160543A2 (en) | Schmitt flip-flop | |
SU1001479A1 (en) | Integrated logic circuit | |
SU1205264A1 (en) | Triangular voltage generator | |
SU1378049A1 (en) | Majority element | |
SU913597A1 (en) | Change-over switch |