SU1205295A1 - Integrated ecl element - Google Patents

Integrated ecl element Download PDF

Info

Publication number
SU1205295A1
SU1205295A1 SU843753360A SU3753360A SU1205295A1 SU 1205295 A1 SU1205295 A1 SU 1205295A1 SU 843753360 A SU843753360 A SU 843753360A SU 3753360 A SU3753360 A SU 3753360A SU 1205295 A1 SU1205295 A1 SU 1205295A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
resistor
base
diode
diodes
Prior art date
Application number
SU843753360A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Михаил Овсеевич Ботвиник
Михаил Павлович Сахаров
Original Assignee
Организация П/Я А-3106
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Организация П/Я А-3106 filed Critical Организация П/Я А-3106
Priority to SU843753360A priority Critical patent/SU1205295A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1205295A1 publication Critical patent/SU1205295A1/en

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Description

« . ".

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использова™ но при построении микросхем ЭСЛ-типаThe invention relates to a pulse technique and can be used ™ but in constructing ECL-type microcircuits.

Целью изобретени   вл етс  увеличение быстродействи  и уменьшение потребл емой мощности за счет увеличени  базового тока второго транзистора при включении, что  вл етс  следствием использовани  нормированной части общего тока, протекающего через первый транзистор, дл  формировани  опорного напр жени  на базе второго транзистора, когда последний закрыт и в момент Р.ГО включени .The aim of the invention is to increase speed and decrease power consumption by increasing the base current of the second transistor when turned on, which is a consequence of using the normalized part of the common current flowing through the first transistor to form a reference voltage on the base of the second transistor when it is closed and at the time of R.G. of inclusion.

На чертеже приведена принципиальна  электрическа  схема предложенно го интегрального ЭСЛ-элемента.The drawing shows a circuit diagram of the proposed integrated ECL element.

Интегральный ЭСЛ-элемент содержит три транзистора I , 2 и 3, п ть диодо. и шесть резисторов 9-14, коллекторы первого и второго транзисторов 1 и 2 соединены соответственно с первым и вторым выходами 15 и 16 устройства и соответственно через первый и второй резисторы 9 и 10 подключены к шине питани , а эмиттеры соединены с коллектором третьего транзистора 3 эмиттер которого через третий резистор 11 подключены к общей шине, база первого транзистора 1 через четвертый резистор 12,соединена с шиной питани  -и подключена к аноду первого диода 4, катод которого подключен к входу 17 устройства, база первого транзистора 1 соединена с анодом второго диода 5, катод которого подключен к базе второго транзистора 2 и через п тьм резистор 13 соединен с шиной питани , база второго транзистора 2 через последовательно - включенные третий и четвертьш диоды 6 и 7 соединена с первым выводом шестого резистора 14 и анодом п того диода 8, катод которого подключен к общей шине, а второй вывод шестого резистора 14 соединен с дополнительным эмиттером третьего транзистора 3j база которого подключена к его коллектору.The integrated ECL element contains three transistors I, 2 and 3, five diodes. and six resistors 9-14, the collectors of the first and second transistors 1 and 2 are connected respectively to the first and second outputs 15 and 16 of the device and respectively through the first and second resistors 9 and 10 are connected to the power bus, and the emitters are connected to the collector of the third transistor 3 emitter which through the third resistor 11 is connected to the common bus, the base of the first transistor 1 through the fourth resistor 12 is connected to the power bus —and connected to the anode of the first diode 4, the cathode of which is connected to the input 17 of the device, the base of the first transistor 1 on the anode of the second diode 5, the cathode of which is connected to the base of the second transistor 2 and through the fifth fifth resistor 13 is connected to the power bus, the base of the second transistor 2 is connected in series through the third and quarter diodes 6 and 7 connected to the first output of the sixth resistor 14 and the anode The fifth diode 8, the cathode of which is connected to the common bus, and the second output of the sixth resistor 14 is connected to an additional emitter of the third transistor 3j whose base is connected to its collector.

Интегральный ЭСЛ-элемент работает следующим образом.Integral ECL element works as follows.

При подаче на вход 17 высокого урйвн  напр жени  ток .через диод 4When applied to input 17, high urayvn voltage is flowing through diode 4

ВНИИПИ Заказ 8539/.58 Тираж 871VNIIPI Order 8539 / .58 Circulation circulation 871

цша  ШШ г, Ужгород.ул,Проектна , 4Tsha ShSh, Uzhgorod. ul, Proektna, 4

052952052952

прекраидаетс  и через резистор 12 течет в базу транзистора 1, При этом транзистор 1 открываетс , транзистор 2 закрываетс , а ток через открытый 5 транзистор 1 определ етс  генератором тока, вьшолненном на транзисторе 3, резисторах 11 и 14 и диоде 8, Напр жение на базе и коллекторе транзистора 3 равно в этом случае 10 3 И, где U,g - пр мое падение напр жени  на переходе база-эмиттер, При этом величина тока генератора равнаstops and through the resistor 12 flows into the base of transistor 1, and transistor 1 opens, transistor 2 closes, and the current through open 5 transistor 1 is determined by a current generator, executed on transistor 3, resistors 11 and 14, and diode 8, the voltage on the base and the collector of transistor 3 is equal in this case to 10 3 And, where U, g is the direct voltage drop at the base-emitter junction, the magnitude of the generator current is equal to

1515

эв п R. l7ev p R. l7

т,е, может быть определена, что позвол ет лепко рассчитать величину резистора 9 дл  получени  заданногоt, e, can be determined, which makes it possible to sculptly calculate the value of resistor 9 to obtain a given

перепада на выходе 15 элемента, В то же врем  втора  составл юща  тока генератора протекает через диод 8 и определ ет нар ду с током, протекающим от шины питани  через резис-differential output 15 of the element. At the same time, the second component of the generator current flows through the diode 8 and determines, along with the current flowing from the power supply bus, through the resistor

тор 13 и диоды 6 и 7, падение напр жени  на диоде 8, что уменьшает величину тока..в цепи: шина питани , резистор 13, диода 6, 7 и 8, обща  шина и увеличивает напр жение на базе транзистора 2, Если на вход 17 подан низкий уровень напр жени , то транзис тор 1 закрыт, транзистор 2 открыт , Ток, протекающий через транзистор 2, равенtorus 13 and diodes 6 and 7, the voltage drop across diode 8, which reduces the amount of current .. in the circuit: power supply, resistor 13, diode 6, 7, and 8, common busbar and increases the voltage at the base of transistor 2, If on the input 17 is low voltage, the transistor 1 is closed, the transistor 2 is open, the current flowing through the transistor 2 is equal to

3535

П2 P2

1 И1 and

Ток через Диод 8 в этом случае протекает .только по цепи: шина питани , резистор 13, диоды 6, 7.и 8, обща  шина. Так как при переключении ЭСЛ-элемента в состо ние, когда открываетс  транзистор 2, напр жение на диоде 8 уменьшаетс  не мгновенно , то обеспечиваетс  избыточный ток в базе этого транзистора, что, в свою очередь, приводит к ускорению его включени . Уменьшение тока опорного источника напр жени , подключенного к базе транзистора 2, во врем  когда включен транзистор 1, уменьшает потребл емую элементом мощность.The current through the diode 8 in this case flows. Only along the circuit: the power supply bus, the resistor 13, the diodes 6, 7. and 8, the common bus. Since the switching of the ECL element to the state when the transistor 2 opens, the voltage on the diode 8 does not decrease instantaneously, an excess current in the base of this transistor is provided, which, in turn, accelerates its activation. A decrease in the current of the reference voltage source connected to the base of transistor 2 while the transistor 1 is turned on reduces the power consumed by the element.

ПодписноеSubscription

Claims (1)

ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ЭСЛ-ЭЛЕМЕНТ, содержащий три транзистора, два диода и пять резисторов, коллекторы первого и второго транзисторов соответственно соединены с первым и вторым выходами устройства и соответственно через первый и второй резисторы — с шиной питания, а эмиттеры соединены с коллектором третьего транзистора, эмиттер которого через третий резистор — с общей шиной, база первого транзистора через четвертый резистор соедине- на с шиной питания и анодом первого диода, катод которого соединен с входом устройства, отличающийся тем, что, с целью увеличе ·> ния быстродействия и уменьшения по— · требляемой мощности· в него введены три диода и резистор, при этом база первого транзистора соединена с анот’ дом второго диода, катод которого подключен к базе второго транзистора и через пятый резистор — к шине питания, база второго транзистора через последовательно включенные третий и четвертый диоды соединена с первым выводом шестого резистора и анодом . о пятого диода, катод которого под- S ключей к обшей шине, а второй вывод шестого резистора соединен с дополнительным эмиттером третьего транзистора, база которого подключена к его коллектору.INTEGRAL ESL-ELEMENT containing three transistors, two diodes and five resistors, collectors of the first and second transistors respectively connected to the first and second outputs of the device and, respectively, through the first and second resistors to the power bus, and emitters connected to the collector of the third transistor, the emitter of which through the third resistor - with a common bus, the base of the first transistor through the fourth resistor is connected to the power bus and the anode of the first diode, the cathode of which is connected to the input of the device, characterized in that, with In order to increase the performance> and decrease the power consumption · three diodes and a resistor are introduced into it, while the base of the first transistor is connected to the anode of the second diode, the cathode of which is connected to the base of the second transistor and through the fifth resistor to the power bus , the base of the second transistor through series-connected third and fourth diodes is connected to the first output of the sixth resistor and the anode. about the fifth diode, the cathode of which has S keys to the common bus, and the second terminal of the sixth resistor is connected to an additional emitter of the third transistor, the base of which is connected to its collector.
SU843753360A 1984-06-07 1984-06-07 Integrated ecl element SU1205295A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU843753360A SU1205295A1 (en) 1984-06-07 1984-06-07 Integrated ecl element

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU843753360A SU1205295A1 (en) 1984-06-07 1984-06-07 Integrated ecl element

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1205295A1 true SU1205295A1 (en) 1986-01-15

Family

ID=21123887

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU843753360A SU1205295A1 (en) 1984-06-07 1984-06-07 Integrated ecl element

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1205295A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Алексенко А. Г., Шагурин И. И. Микросхемотехннка. М.: Радио и св зь 1982, с. 256. рис. 7.8 (а). *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4833344A (en) Low voltage bias circuit
SU1205295A1 (en) Integrated ecl element
SU1531209A1 (en) Integrated element
SU1338053A1 (en) Adder
SU617844A1 (en) Tlec-to-ttl converter
KR930006692Y1 (en) Switching time reducted circuit used for short diode
RU1798898C (en) Output pulse generator
SU1368976A2 (en) Matching device
SU949790A1 (en) Bipolar-to-unipolar signal converter
SU1228260A1 (en) Versions of logic integrated circuit
SU1319251A1 (en) Self-excited mulltivibrator
SU1160556A1 (en) Inverter
SU1051717A1 (en) Semiconductor switch
SU1320897A1 (en) Logic level converter
SU1637003A1 (en) Pulse driver
SU1422379A1 (en) Pulse shaper
JPS59167119A (en) Small-loss high-speed transistor
SU1290512A1 (en) Level converter
SU1356198A1 (en) Current generator
SU1205264A1 (en) Triangular voltage generator
SU1522360A1 (en) Device for controlling thyristor power gate
SU1358077A1 (en) Single pulse shaper
SU1628183A1 (en) Power amplifier
SU762189A1 (en) Logical integrated microcircuit
SU1309301A1 (en) Method of matching levels of transistor-transistor logic and emitter-coupled logic