SU1497664A1 - Ограничитель мощности - Google Patents

Ограничитель мощности Download PDF

Info

Publication number
SU1497664A1
SU1497664A1 SU874237224A SU4237224A SU1497664A1 SU 1497664 A1 SU1497664 A1 SU 1497664A1 SU 874237224 A SU874237224 A SU 874237224A SU 4237224 A SU4237224 A SU 4237224A SU 1497664 A1 SU1497664 A1 SU 1497664A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
resistor
capacitive element
limiter
inductance
common screen
Prior art date
Application number
SU874237224A
Other languages
English (en)
Inventor
Александр Васильевич Захалявко
Николай Иванович Лелюх
Original Assignee
Предприятие П/Я Р-6028
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Р-6028 filed Critical Предприятие П/Я Р-6028
Priority to SU874237224A priority Critical patent/SU1497664A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1497664A1 publication Critical patent/SU1497664A1/ru

Links

Landscapes

  • Tone Control, Compression And Expansion, Limiting Amplitude (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к радиоэлектронике и может быть использовано в радиоэлектронных системах различного назначени . Цель изобретени  - увеличение допустимого уровн  падающей мощности. Ограничитель мощности содержит транзисторный модуль 1, включающий изолирующую подложку и токопровод щий слой (ТС) полупроводника, на котором размещены первый и второй металлические электроды (МЭ) и расположенный между ними третий МЭ, выполненный в виде перехода Шотки, а также индуктивность 7, резистор 8, емкостный элемент 9, одной обкладкой подключенный к общему экрану 10. Поставленна  цель достигаетс  тем, что друга  обкладка емкостного элемента 9 подключена к точке соединени  индуктивности 7 и резистора 8, который подключен к общему экрану 10. Первый и второй МЭ  вл ютс  соответственно входом и выходом ограничител . Цепь из индуктивностей 7 и 11, резистора 8 и емкостный элемент 9 служит нагрузкой пульсаци м тока и фиксирует потенциал на третьем МЭ, который управл ет проводимостью ТС, преп тству  прохождению ВЧ-сигнала на выход ограничител . Уровень порога ограничени  зависит от толщины ТС. 2 ил.

Description

Од Од
/ W
фиг.}
3149
Изобретение относитс  к радиоэлектронике дл  использовани  в радио - эле ктронных системах различного назначени ,
Цель изобретени  - увеличение допустимого уровн  падающей мощности,
На фиг.1 схематически представлен ограничитель мощности; на фиг.2 - транзисторный модуль,
Ограничитель мощности содержит транзисторный модуль 1, включающий изолирующую подложку 2 и токопровод - щий слой 3 полупроводника, на котором размещены первый 4 и второй 5 ме- таллические электроды, выполненные в виде омических контактов, и расположенный между ними третий металлический электрод 6, выполненный в виде перехода Шоттки,
Третий металлический электрод 6 соединен через индуктивность 7 и параллельно соединенные резистор 8 и емкостный элемент 9 с общим экраном 1U, Индуктивность II включена между вторым металлическим электродом 5 и общим экраном 10.
Первый 4 и второй 5 металлические электроды  вл ютс  соответственно входом и выходом ограничител  мощное ти.
Индуктивность 11 замыкает цепь по посто нному току.
Ограничитель мощности работает следующим образом,
При подаче на вход, первый металлический электрод 4, высокочастотног сигнала в токопровод щем слое 3 распростран ютс  высокочастотные колебани , В случае, когда токопровод щ й слой 3 выполнен из полупроводника п- типа, отрицательный полупериод высокочастотных колебаний вызывает прохождение пр мого тока через третий металлический электрод 6, который
 вл етс  вьпф мл ющим.
Цепь из индуктивностей 7 и 11, ре- зисторл 8 и емкостный элемент 9 служит нагрузкой пульсаци м тока и фиксирует потенциал н  третьем металлическом электроде 6, завис щий по величине от уровн  входной высокочастотной мощности, который управл ет проводимостью токопровод щего сло  3, преп тству  прохождению высокочастотного сигнала на выход ограничител .
Уровень порога ограничител  зависит от ТОЛ1ЦИНЫ токопровод щего сло  3
Если третий металлический электрод 6 одинаково удален от первого 4 и второго 5 металлических электродов 4 и 5, то мощность, прикладываема  к третьему металлическому электроду 6 уменьшаетс  в четыре раза.

Claims (1)

  1. Формула изобретени 
    Ограничитель мощности, содержащий транзисторный модуль, включающий изолирующую подложку с токопровод щим слоем полупроводника, на котором размещены первый и второй металлические электроды, выполненные в виде омических контактов, и расположенный между ними по меньшей мере один третий металлический электрод, выполненный в виде перехода Шоттки, подключенного к управл ющей цепи, выполненной в виде последовательно соединенных индуктивности и резистора и включающей емкостный элемент, одной обкладкой подключенный к общему экрану, отличающий с  тем, что, с целью увеличени  допустимого уровн  падающей мощности, друга  обкладка емкостного элемента подключен.а к точке соединени  индуктивности и резистора, который подключен к общему экрану, при этом первый и второй электрода  вл - соответственно входом и выходом ограничител  мощности.
    фиг. 2
SU874237224A 1987-04-27 1987-04-27 Ограничитель мощности SU1497664A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874237224A SU1497664A1 (ru) 1987-04-27 1987-04-27 Ограничитель мощности

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874237224A SU1497664A1 (ru) 1987-04-27 1987-04-27 Ограничитель мощности

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1497664A1 true SU1497664A1 (ru) 1989-07-30

Family

ID=21301177

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU874237224A SU1497664A1 (ru) 1987-04-27 1987-04-27 Ограничитель мощности

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1497664A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Обзоры по электронной технике. Сер. Электроника СВЧ, 1983, вып.9 *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4135168A (en) Reverse channel GaAsFET oscillator
ATE145770T1 (de) Stand-by-speiseschaltung
JPH0763140B2 (ja) ゲ−ト回路
JPS59186410A (ja) 帰還型増幅器
US3323071A (en) Semiconductor circuit arrangement utilizing integrated chopper element as zener-diode-coupled transistor
US5670917A (en) AC coupled termination
SU1497664A1 (ru) Ограничитель мощности
US2930996A (en) Active element impedance network
US4321485A (en) High-frequency transistor switch
US6753716B2 (en) Balanced load switch
JPS63209198A (ja) 半導体装置
JPS5814623A (ja) 電気負荷の短絡保護装置
US3968479A (en) Complementary storage element
US3634731A (en) Generalized circuit
JPH10256850A (ja) 半導体装置及び高周波電力増幅器
US4306162A (en) R-S Flip-flop circuit having a predetermined initial operating condition
JPH06216736A (ja) バリスタを備える固体リレー
SU860031A2 (ru) Стабилизатор посто нного напр жени
US3240955A (en) Bistable electronic circuit having oscillatory and non-oscillatory stable states
SU1658269A1 (ru) Устройство дл защиты от перегрузки в сети посто нного тока
US4045705A (en) Electron bombarded semiconductor device
SU944007A1 (ru) Устройство дл управлени двухоперационным тиристором
SU1305792A1 (ru) Лини задержки
JPH0337326B2 (ru)
GB1351007A (en) Amplifier using at least one negative conductance diode