SU1487103A1 - Dynamic memory with error correction - Google Patents

Dynamic memory with error correction Download PDF

Info

Publication number
SU1487103A1
SU1487103A1 SU874336934A SU4336934A SU1487103A1 SU 1487103 A1 SU1487103 A1 SU 1487103A1 SU 874336934 A SU874336934 A SU 874336934A SU 4336934 A SU4336934 A SU 4336934A SU 1487103 A1 SU1487103 A1 SU 1487103A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
inputs
outputs
information
unit
control
Prior art date
Application number
SU874336934A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Gennadij A Chetverikov
Original Assignee
Gennadij A Chetverikov
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Gennadij A Chetverikov filed Critical Gennadij A Chetverikov
Priority to SU874336934A priority Critical patent/SU1487103A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1487103A1 publication Critical patent/SU1487103A1/en

Links

Landscapes

  • Error Detection And Correction (AREA)
  • Detection And Correction Of Errors (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Description

Изобретение относится к цифровой вычислительной технике, в частности к запоми2The invention relates to digital computing, in particular to the memory2

нающим устройствам, выполненным на полупроводниковых динамических элементах памяти. Цель изобретения — упрощение устройства. Устройство содержит блок 1 накопителей, магистральный элемент 2, блок 3 коррекции, регистр 4 данных, коммутаторы 5, 8, счетчик 6, регистр 7 адреса, дешифратор 9 адреса, блок 10 управления. В устройстве происходит периодический независимый от наличия сигнала обращения контроль информации и исправление одиночных ошибок, что существенно уменьшает вероятность появления неисправимых двойных ошибок, которые могут возникнуть при длительной работе памяти. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.instrumental devices made on semiconductor dynamic memory elements. The purpose of the invention is to simplify the device. The device comprises a storage unit 1, a trunk element 2, a correction unit 3, a data register 4, switches 5, 8, a counter 6, an address register 7, an address decoder 9, a control block 10. In the device, periodic control of information and correction of single errors, independent of the presence of the circulation signal, occurs, which significantly reduces the probability of unrecoverable double errors that can occur during long-term memory operation. 2 hp f-ly, 4 ill.

££

ооoo

<1<1

ооoo

{риг1 {rig 1

14871031487103

Изобретение относится к цифровой вычислительной технике, в частности к запоминающим устройствам (ЗУ), выполненным на полупроводниковых динамических элементах памяти.The invention relates to digital computing, in particular to a storage device (memory), performed on semiconductor dynamic memory elements.

Целью изобретения является упрощение устройства путем сокращения аппаратурных затрат без снижения его быстродействияThe aim of the invention is to simplify the device by reducing hardware costs without reducing its speed

На фиг. 1 представлена блок-схема динамического запоминающего устройства с коррекцией ошибок; на фиг. 2 — приведена схема блока коррекции; на фиг. 3 — схема накопителя; на фиг. 4 — схема блока управления.FIG. 1 is a block diagram of a dynamic memory device with error correction; in fig. 2 shows a diagram of the correction unit; in fig. 3 - drive diagram; in fig. 4 is a diagram of the control unit.

Запоминающее устройство содержит накопитель 1, который своими двунаправленными входами соединен с выходами магистрального элемента 2 и входами блока 3 коррекции, регистр 4 данных, входы которого соединены с выходами второго коммутатора 5, счетчик 6 и регистр 7 адреса, выходы которых являются первыми и вторыми входами первого коммутатора 8, первый выход которого соединен с входом дешифратора 9 адреса. Управляющие входы счетчика 7 и коммутатора 8 соединены с выходами блока 10 управления. Устройство соединено с внешними устройствами с помощью адресного входа 11, информационного входа 12 устройства, первого информационного выхода 13 устройства, а также управляющих входов 14, 15 и 16 устройства, и вторым информационным выходом 17 устройства, соединенным с выходом информационного регистра 4; блок 3 коррекции содержит узел 18 вычисления синдрома, своими выходами соединенный с декодирующим ПЗУ 19, выходы которого соединены с входами дешифратора 20, выходы которого соединены с первыми входами сумматора 21 по модулю два. Блок 1 накопителя содержит основной накопитель 22 и контрольный накопитель 23, выходы которых соединены с элементом 24 с тремя состояниями и с элементом И 25, управляющие входы которых соединены с выходом инвертора 26. Блок 10 управления содержит ре. гистр 27 сдвига, элемент И 28, два элемента ИЛИ 29 и 30, КБ-триггер 31, два элемента И 32, 33.The storage device contains a drive 1, which is connected to the outputs of the trunk element 2 and the inputs of the correction unit 3 by its bidirectional inputs, a data register 4 whose inputs are connected to the outputs of the second switch 5, a counter 6 and an address register 7 whose outputs are the first and second inputs switch 8, the first output of which is connected to the input of the decoder 9 address. The control inputs of the counter 7 and switch 8 are connected to the outputs of the control unit 10. The device is connected to external devices using the address input 11, the information input 12 of the device, the first information output 13 of the device, as well as the control inputs 14, 15 and 16 of the device, and the second information output 17 of the device connected to the output of the information register 4; The correction unit 3 comprises a syndrome calculating unit 18, its outputs connected to a decoding ROM 19, the outputs of which are connected to the inputs of the decoder 20, the outputs of which are connected to the first inputs of the adder 21 modulo two. The storage unit 1 contains the main storage 22 and the control storage 23, the outputs of which are connected to the three-state element 24 and And 25, the control inputs of which are connected to the output of the inverter 26. The control 10 includes the re. shifter 27, AND 28 element, two elements OR 29 and 30, KB trigger 31, two AND elements 32, 33.

Устройство работает следующим образом.The device works as follows.

По шине 15 на второй вход блока 10 управления поступает синхронизирующая серия. Сигнал обращения к памяти поступает по шине 16 на первый вход блока 10 управления и совпадает по времени с импульсами синхронизирующей серии. Частота синхросерии в три раза больше частоты сигналов обращения. При поступлении по шине 16 сигнала обращения на первом выходе регистра 27 устанавливается единичный уровень, а на втором и третьем — нулевые уровни. Если по шине 14 в это время подается единичныйThe bus 15 to the second input of the control unit 10 receives the synchronization series. The memory access signal is fed through the bus 16 to the first input of the control unit 10 and coincides in time with the pulses of the synchronization series. The frequency of the sync series is three times the frequency of the circulation signals. When a circulation signal arrives on bus 16, a single level is set at the first output of register 27, and zero levels are set at the second and third. If the bus 14 at this time served a single

уровень (сигнал «Запись»), то открываются элементы И 28, 33 и на выходах элементов ИЛИ 29 и 30 появляются единичные уровни, под воздействием которых в накопителе 1 производится запись информации. Если при наличии сигнала обращения по шине 14 подается нулевой уровень, то открывается только элемент И 33 и единичный уровень появляется на выходе элемента ИЛИ 30, под воздействие которого в накопителе происходит считывание информации.level (“Record” signal), the AND 28, 33 elements are opened, and single levels appear at the outputs of the OR elements 29 and 30, under the influence of which information is recorded in drive 1. If there is a zero level in the presence of a circulation signal on bus 14, then only element AND 33 opens and a single level appears at the output of element OR 30, under the influence of which information is read in the accumulator.

По второму синхроимпульсу единичный уровень переписывается на второй выход регистра 27 и через элемент ИЛИ 30 подается в накопитель, где вызывает считывание информации. В этом такте происходит регенерация — считывание и контроль информации. В случае обнаружения ошибки в этом такте управляющим сигналом, поступающим на 5-вход, взводится КЗ-триггер 31.According to the second clock pulse, the unit level is rewritten to the second output of register 27 and through the element OR 30 is fed to the drive, where it causes reading of information. In this tact, regeneration takes place - reading and control of information. In case of detection of an error in this cycle, the control signal arriving at the 5th input is triggered by a short-circuit trigger 31.

Третий синхроимпульс переписывает единичный уровень на третий выход регистра 27 если К5-триггер 31 находится в единичном состоянии, и появляются единичные уровни на выходах элементов ИЛИ 29 и 30. Производится запись в накопитель 1. Четвертый синхроимпульс, совпадающий с сигналом обращения, устанавливает единичный уровень на первом выходе регистра 27.The third sync pulse overwrites the unit level to the third output of register 27 if K5-flip-flop 31 is in the unit state, and unit levels appear at the outputs of the OR elements 29 and 30. The write to drive 1 is performed. The fourth sync pulse coinciding with the inversion signal sets the unit level to first exit register 27.

Таким образом, промежуток времени между сигналами обращения регистром 27 делится на три такта. В первом такте при наличии сигнала обращения происходит запись или считывание информации, во втором — регенерация и чтение информации для ее контроля, в третьем — запись в память скорректированной информации, если в предыдущем такте обнаружена ошибка.Thus, the time interval between the inversion signals of the register 27 is divided into three clock cycles. In the first cycle, if a reference signal is present, information is recorded or read, in the second, regeneration and reading of information for its control occurs, in the third cycle, the corrected information is written to the memory if an error was detected in the previous cycle.

Сигналом первого такта происходит сброс КЗ-триггера 31, фиксирующего ошибку в слове, считанном во втором такте. Кроме того, единичный уровень этого сигнала подключает первый коммутатор 8 на адресные шины памяти, входы дешифратора 9, выходы регистра 7 адреса, а на входы информационного регистра 4 — информационные входы 12 устройства, нулевой уровень этого сигнала подключает на адресные входы памяти выходы счетчика 6, а на входы информационного регистра 4 — выходы блока 3 коррекции. Передним фронтом этого сигнала производится прибавление единицы к содержимому счетчика 6. Единичным уровнем с выхода элемента ИЛИ 29 выход магистрального элемента 2 переводится в активное состояние, а выход элемента 24 с тремя состояниями через инвертор 26 переводится в высокоимпедансное состояние. В результате информация с выходов информационного регистра 4 поступает в основной накопитель и в блок 3 коррекции. Нулевое состояние выхода элемента 29 переводит магистральный элемент 2 в высокоимпедансное состоя5The signal of the first cycle resets the short-circuit flip-flop 31, which fixes an error in the word read in the second cycle. In addition, the unit level of this signal connects the first switch 8 to the address memory buses, the decoder inputs 9, the outputs of the address register 7, and the information inputs 4 of the device to the information register 4 inputs; the zero level of this signal connects the counter outputs 6 to the address inputs of the memory, and the inputs of the information register 4 - the outputs of the block 3 correction. The leading edge of this signal is the addition of the unit to the contents of counter 6. With the unit level from the output of the element OR 29, the output of the trunk element 2 is brought to the active state, and the output of the element 24 with three states through the inverter 26 is switched to the high-impedance state. As a result, information from the outputs of the information register 4 enters the main drive and the correction unit 3. The zero output state of element 29 converts trunk element 2 into a high-impedance state5

14871031487103

66

ние, а элемент 24 — в активное, и информация из основного накопителя поступает в блок 3 коррекции.element, and the element 24 - in the active, and information from the main drive enters the block 3 correction.

Единичный уровень на выходе элемента И 32 возникает в третьем такте при наличии сигнала ошибки, который вырабатывается во втором такте в блоке 3 коррекции и запоминается в триггере 31, что позволяет фиксировать в информационном регистре 4 считанную и откорректированную информацию второго такта. Нулевой уровень на выходе элемента И 32 переводит информационный регистр 4 в режим пропускания информации с выходов второго коммутатора 5 без запоминания.The unit level at the output of the AND 32 element occurs in the third cycle when there is an error signal, which is generated in the second cycle in correction block 3 and stored in trigger 31, which allows recording the read and corrected information of the second cycle in information register 4. The zero level at the output of the element And 32 translates the information register 4 in the mode of transmission of information from the outputs of the second switch 5 without memorization.

При обращении к устройству по записи на информационный вход 12 устройства подается информация, подлежащая записи в память, с адресного входа 1! устройства на регистр 7 адреса поступает код адреса, по шине 16 на вход блока 10 управления поступает сигнал обращения, а по шине 14 — сигнал записи. Информация для записи через второй коммутатор 5, информационный регистр 4 магистральный элемент 2 поступает на входы основного накопителя 22 и блока 3 коррекции, в котором передается на первый вход узла 18 вычисления синдрома, а на второй вход,который предназначен для приема контрольных разрядов, подается нулевой уровень с выхода элемента И 25. В узле 18 вычисления синдрогт'а происходит формирование контрольных битов кода Хеммннга, позволяющих обнаруживать и исправлять одиночные ошибки. Контрольные биты с выхода узла 18 вычисления синдрома поступают на входы контрольного накопителя 23. Единичный сигнал с первого выхода блока 10 управления подключает через первый коммутутор 8 на адресные входы накопителя 1 и вход дешифратора 9 содержимое регистра 7 адреса. Под воздействием управляющих сигналов с второго и третьего выходов блокаWhen accessing the device by writing to the information input 12 of the device, the information to be written to the memory is fed from address input 1! device address register 7 receives the address code, the bus 16 to the input of the control unit 10 receives the access signal, and bus 14 - the write signal. Information for recording through the second switch 5, the information register 4 main element 2 is fed to the inputs of the main drive 22 and correction unit 3, which is transmitted to the first input of the syndrome calculating unit 18, and to the second input, which is intended to receive check bits, zero the level from the output of the And 25 element. In node 18 of the syndrogate's calculation, the control bits of the Hemmming code are formed, which allow detecting and correcting single errors. The control bits from the output of the syndrome computation node 18 are fed to the inputs of the control accumulator 23. A single signal from the first output of the control unit 10 connects through the first switch 8 to the address inputs of the accumulator 1 and the input of the decoder 9 the contents of the register 7 address. Under the influence of control signals from the second and third block outputs

10 управления в накопителе происходит запись информационных битов и контрольных битов кода Хеминга.10 control in the drive is recording information bits and control bits of the Heming code.

В цикле считывания с адресного входаIn the read cycle from the address input

11 поступает код адреса, с шины 16 — сигнал обращения, с шины 14 — сигнал считывания.11 receives the address code, from the bus 16 - the circulation signal, from the bus 14 - the read signal.

Работа адресной части аналогична циклу записи. Под воздействием управляющего сигнала с второго выхода блока 10 управления в накопителе 1 происходит считывание информации по адресу, принятому на регистр 7 адреса. Считанные биты с основного 22 и контрольного 23 накопителей поступают на входы блока 3 коррекции, где узел 18 вычисления синдрома формирует синдром кода Хемминга, который декодируется в декодирующем ПЗУ 19. При наличии синдрома, соответствующего одиночной ошибке, на вход дешифратора 20 подается с выхода декодирующего ПЗУ код, соответствующий номеру разряда, в котором обнаружена ошибка. С выхода дешифратора 20 дешифрированный код позиции ошибки поступает на первые вхо ды сумматора 21 по модулю два, на вторые входы которого подается считанная информация, в результате чего информационный разряд, в котором обнаружена ошибка, инвертируется и ошибка исправляется. С выхода сумматора 21 по модулю два исправленная информация поступает на первый информационный выход 13 устройства. Запись или считывание информации происходит в первом такте работы устройства.The work of the address part is similar to the write cycle. Under the influence of the control signal from the second output of the control unit 10 in the drive 1, information is read at the address adopted on the address register 7. Read bits from the main 22 and control 23 drives go to the inputs of the correction block 3, where the syndrome calculating node 18 forms the Hamming code syndrome, which is decoded in the decoding ROM 19. In the presence of a syndrome corresponding to a single error, the decoder 20 is input from the decoder ROM the code corresponding to the digit in which the error was found. From the output of the decoder 20, the decoded error position code goes to the first inputs of modulator 21 modulo two, the second inputs of which receive the read information, as a result of which the information bit in which the error is detected is inverted and the error is corrected. From the output of the adder 21 modulo two corrected information is supplied to the first information output 13 of the device. Writing or reading information occurs in the first cycle of the device.

Во втором такте блок 10 управления нулевым уровнем на первом выходе подключает через первый коммутатор 8 на адресные входы накопителя 1 и входы дешифратора 9 содержимое счетчика 6, под воздействием сигнала с второго выхода блока 10 управления происходит считывание из накопителя 1 информационных и контрольных битов в блок 3 коррекции. В блоке 3 коррекции, как и при считывании в первом такте, происходит формирование синдрома кода Хемминга. декодирование его и (в случае наличия синдрома одиночной ошибки) выдача с первого выхода декодирующего ПЗУ 19 сигнала ошибки, который.поступает в блок 10 управления и взво дит КЗ-триггер 31, а с вторых выходов декодирующего ПЗУ 19 на входы дешифратора 20 подается код номера разряда, имеющего ошибку. Этот код дешифрируется в дешифраторе 20 и с выходов дешифратора 20 поступает на первые входы сумматора 21, где суммируется по модулю два со считанной информацией, тем самым производя исправление одиночной ошибки. С выходов сумматора 21 по модулю два скорректированная информация поступает через второй коммутатор 5 на вход информационного регистра 4 В третьем такте работы устройства при наличии логической единицы на выходе КЗтриггера 31 на выходе элемента И 32 возникает единичный уровень, который поступает на управляющий вход информационного регистра 4 и фиксирует в нем информацию, которая распространилась за время второго такта. Единичное состояние элемента И 32 вызывает появление циничного состояния на выходе элемента ИЛИ 29, которое вызывает переход выходов магистрального элемента 2 в активное состояние, выходов элемента 24 — в высокоимпедансное состояние, выходов элемента И 25 — в нулевое состояние за счет соответствующих связей блока 10 управления с управляющими входа ми этих элементов. Исправленная информация с выходов информационного регистра 4 через магистральный элемент 2 поступает на входы накопителя 1 и блока 3 коррекции.In the second cycle, the zero-level control unit 10 at the first output connects through the first switch 8 to the address inputs of the drive 1 and the decoder 9 inputs the contents of counter 6, the signal from the second output of the control unit 10 reads from the drive 1 information and control bits to block 3 correction. In block 3 of the correction, as in the reading in the first cycle, the Hamming code syndrome is formed. decoding it and (in the case of a single error syndrome) issuing from the first output of the decoding ROM 19 an error signal that enters the control unit 10 and plays the short-trigger 31, and from the second outputs of the decoder ROM 19 the code number is supplied to the inputs of the decoder 20 discharge having an error. This code is decrypted in the decoder 20 and from the outputs of the decoder 20 enters the first inputs of the adder 21, where it is modulo two with the read information, thereby correcting a single error. From the outputs of the adder 21 modulo two, the corrected information goes through the second switch 5 to the input of the information register 4 In the third device operation cycle, if there is a logical unit at the output of the C Trigger 31, the output level of the element 32 produces a unit level that goes to the control input of the information register 4 and captures in it the information that has spread during the second cycle. The unit state of the element AND 32 causes the appearance of a cynical state at the output of the element OR 29, which causes the outputs of the trunk element 2 to switch to the active state, the outputs of the element 24 to the high-impedance state, the outputs of the element 25 and 25 to the zero state due to the corresponding connections of the control unit 10 control inputs of these elements. Corrected information from the outputs of the information register 4 through the main element 2 is fed to the inputs of the drive 1 and block 3 correction.

В блоке 3 коррекции информация поступает на первые входы узла 18 вычисленияIn block 3 correction information is supplied to the first inputs of the node 18 calculations

77

14871031487103

8eight

синдрома, на вторые входы которого поступает нулевой уровень с выходов элемента И 25, в результате чего на выходе узла 18 вычисления синдрома будут сформированы контрольные биты кода Хемминга, которые поступят на входы накопителя 1. Под воздействием единичного уровня на выходе элемента ИЛИ 30 в накопителе происходит перезапись скорректированной информации по адресу, в котором была обнаружена ошибка в предыдущем такте. Регенерация информации в устройстве совмещена со считыванием информации во втором такте и происходит не зависимо от наличия сигнала обращения на шине 16.syndrome, the second inputs of which arrive at the zero level from the outputs of the element And 25, as a result of which the output bits of the syndrome’s 18 calculations will form the control bits of the Hamming code, which will go to the inputs of the accumulator 1. Under the influence of the unit level, the output of the element OR 30 occurs in the accumulator overwriting the corrected information to the address where the error was detected in the previous clock cycle. The regeneration of information in the device is combined with the reading of information in the second cycle and occurs regardless of the presence of a circulation signal on the bus 16.

Таким образом, в предлагаемом устройстве происходит переодический независимый от наличия сигнала обращения контроль информации и исправление одиночных ошибок, что существенно уменьшает вероятность появления неисправимых двойных ошибок, которые могут возникнуть при длительной работе памяти.Thus, in the proposed device, periodic control of information and correction of single errors, independent of the presence of a circulation signal, occurs, which significantly reduces the likelihood of unrecoverable double errors that can occur during long-term memory operation.

Claims (3)

Формула изобретенияClaim 1. Динамическое запоминающее устройство с коррекцией ошибок, содержащее блок накопителей, блок коррекции, регистр данных, счетчик, первый коммутатор, второй коммутатор, дешифратор адреса, блок управления, регистр адреса, входы которого являются адресными входами устройства, выходы регистра адреса соединены с первыми информационными входами первого коммутатора, вторые информационные входы которого соединены с выходами счетчика, первые выходы первого коммутатора соединены с входами дешифратора адреса, выходы которого соединены с входами выборки блока накопителей, адресные входы блока накопителей соединены с вторыми выходами первого коммутатора, выходы контрольных разрядов блока накопителей соединены с входами контрольных разрядов блока коррекции, информационные входы которого являются информационными выходами устройства, второй выход блока коррекции соединен с входом сигнала ошибки блока управления, входы обращения, синхронизации и записи которого являются соответствующими входами устройства, первый выход блока управления соединен с управляющим входом первого коммутатора и тактовым- входом счетчика, второй и третий выходы блока управления соединены соответственно с входом разрешения и входом записи блока накопителей, отличающееся тем, что, с целью упрощения устройства, оно содержит магистральный элемент, входы которого соединены с регистром данных, двунаправленные входы1. Dynamic memory device with error correction, containing a storage unit, correction unit, data register, counter, first switch, second switch, address decoder, control unit, address register, whose inputs are device address inputs, address register outputs are connected to the first information the inputs of the first switch, the second information inputs of which are connected to the outputs of the counter, the first outputs of the first switch are connected to the inputs of the address decoder, the outputs of which are connected to the inputs and samples of the storage unit, the address inputs of the storage unit are connected to the second outputs of the first switch, the outputs of the control bits of the storage unit are connected to the inputs of the control bits of the correction unit whose information inputs are information outputs of the device, the second output of the correction unit is connected handling, synchronization and recording of which are the corresponding inputs of the device, the first output of the control unit is connected to the control input of the first the switch and the clock input of the counter, the second and third outputs of the control unit are connected respectively to the enable input and the write input of the storage unit, characterized in that, in order to simplify the device, it contains a trunk element, the inputs of which are connected to the data register, bidirectional inputs выходы блока накопителей соединены с выходами магистрального элемента и входами информационных разрядов блока коррекции, выходы контрольных разрядов которого соединены с входами контрольных разрядов блока накопителей, информационные входы регистра данных соединены с выходами второго коммутатора, первые информационные входы которого соединены с информационными выходами блока коррекции, вторые информационные входы второго коммутатора являются информационными входами устройства, третий четвертый, пятый выходы блока управления соединены соответственно с управляющим входом магистрального элемента, входом записи регистра данных и управляющим входом второго коммутатора.the outputs of the storage unit are connected to the outputs of the trunk element and the information bits of the correction block, the outputs of the control bits of which are connected to the inputs of the control bits of the storage block, the information inputs of the data register are connected to the outputs of the second switch, the first information inputs of the second information the inputs of the second switch are the information inputs of the device, the third fourth, fifth outputs of the control unit soy ineny respectively to the control input of the main element, the input data register and a control input of the second switch. 2. Устройство по π. 1, отличающееся тем, что блок коррекции содержит формирователь синдрома, первый дешифратор, второй дешифратор, сумматоры по модулю два, выходы которых являются информационными выходами блока коррекции, первые входы блока формирования синдрома соединены с первыми входами сумматоров по модулю два и являются входами информационных разрядов блока коррекции, вторые входы формирователя синдрома являются входами контрольных разрядов блока коррекции, выходы формирователя синдрома соединены с входами первого дешифратора и являются выходами контрольных разрядов блока коррекции, вторые входы сумматоров по модулю два соединены с выходами второго дешифратора, входы которого соединены с первыми выходами второго дешифратора, второй выход первого дешифратора является выходом сигнала ошибки блока коррекции.2. Device by π. 1, characterized in that the correction unit contains the syndrome former, the first decoder, the second decoder, modulo-two adders, whose outputs are informational outputs of the correction unit, the first inputs of the syndrome-forming unit are connected to the first inputs of modulo-two adders correction, the second inputs of the syndrome shaper are the inputs of the control bits of the correction unit, the outputs of the syndrome shaper are connected to the inputs of the first decoder and are outputs ontrolnyh discharges correction block, the second inputs of modulo two adders are connected to outputs of the second decoder, the inputs of which are connected to the first output of the second decoder, the second decoder is an output of the first output signal error correction block. 3. Устройство по π. 1, отличающееся тем, что блок накопителя содержит первый напопитель, второй накопитель, инвертор, группу элементов И, элемент с тремя состояниями, информационные входы которого соединены с выходами первого накопителя, входы выборки, адреса, разрешения н записи первого и второго накопителей соединены и являются соответственно входами выборки, адреса, разрешения и записи блока накопителей, информационные входы второго накопителя являются входами контрольных разрядов блока накопителей, выходы элемента3. Device by π. 1, characterized in that the storage unit contains the first drive, the second drive, the inverter, the group of elements AND, the three-state element whose information inputs are connected to the outputs of the first drive, the inputs of the sample, the address, the resolution n of the first and second drives are connected and respectively, the inputs of the sample, addresses, resolutions and records of the block of drives, the information inputs of the second drive are the inputs of the control bits of the block of drives, the outputs of the element с тремя состояниями подключены к информационным входам-выходам блока накопителей, выходы второго накопителя соединены с вторыми входами элементов И, выходы которых являются выходами контрольных разрядов блока накопителей, вторые входы элементов И объединены и соединены с управляющим входом элемента с тремя состояниями и выходом инвертора, вход которого под ключей к входу записи блока накопителей.with three states are connected to informational inputs-outputs of the storage unit, the outputs of the second storage unit are connected to the second inputs of the And elements, the outputs of which are the outputs of the control bits of the storage unit, the second inputs of the And elements are combined and connected to the control input of the three-state element and the output of the inverter, input which is under the keys to the entry of the drive block entry. 14871031487103 0™1 От].0 ™ 1 From]. Η 5,73Η 5.73 фиг.22 φα&3φα & 3 14871031487103 фигЛfigl
SU874336934A 1987-11-30 1987-11-30 Dynamic memory with error correction SU1487103A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874336934A SU1487103A1 (en) 1987-11-30 1987-11-30 Dynamic memory with error correction

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874336934A SU1487103A1 (en) 1987-11-30 1987-11-30 Dynamic memory with error correction

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1487103A1 true SU1487103A1 (en) 1989-06-15

Family

ID=21339623

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU874336934A SU1487103A1 (en) 1987-11-30 1987-11-30 Dynamic memory with error correction

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1487103A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0569716B1 (en) De-interleave circuit for regenerating digital data
EP0041999A1 (en) Self-correcting memory system and method
JPS59231713A (en) Synchronizing circuit
SU1487103A1 (en) Dynamic memory with error correction
US4932018A (en) Integrated circuit for generating indexing data in a CD player
JP2639012B2 (en) Image processing device
KR0127236B1 (en) Information utilizsation circuit of memory chip
JPH0721700A (en) Memory system for correcting error
SU1133625A1 (en) Dynamic storage with error correction
SU1325569A1 (en) Dynamic memory with error correction
US5222001A (en) Signal processing circuit of digital audio tape recorder
KR950005753Y1 (en) Subcode interleaving decoder circuit of compact disc
SU1547035A1 (en) Memory unit
SU693853A1 (en) Dynamic storing device
KR100207616B1 (en) Method and circuit for the processing of error flags
KR0155734B1 (en) Digital signal management method and apparatus
SU1277215A1 (en) Storage with error direction
SU1495855A1 (en) Memory with correction of errors
SU1536445A1 (en) Device with correlation of flaws and errors
SU1104588A1 (en) Storage with self-check
SU1236559A1 (en) Storage with error correction
JP3699765B2 (en) Error flag generation circuit
JP2594563B2 (en) Error correction circuit
SU1280454A1 (en) Storage
JPS6339990B2 (en)