SU1473700A3 - Способ регулировани уровн мениска металла в кристаллизаторе при непрерывном вертикальном литье заготовок - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к металлургии, конкретно к вертикальному непрерывному литью заготовок преимущественно из алюмини  и его сплавов, а именно к регулированию уровн  металла в кристаллизаторе. Цель - повышение качества отливаемых заготовок за счет уменьшени  толщины кортикального сло  и рафинировани  зернистой структуры. При отливке заготовок на жидкий металл в кристаллизаторе воздействуют переменным магнитным полем, напр женность которого увеличивают при понижении и уменьшают при повышении уровн  мениска металла от заданного значени . На жидкий металл воздействуют полем промышленной частоты на уровне 1/3 ... 1/2 высоты кристаллизатора от его нижнего торца. 3 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.

Description

1

Изобретение относитс  к металлургии , конкретно - к вертикальному непрерывному литью заготовок преимущественно из алюмини  и его сплавов, и касаетс  регулировани  уровн  металла в кристаллизаторе.

Цель - повышение качества отлива- ;емых заготовок за счет уменьшени  толщины кортикального сло  и рафинировани  зернистой структуры.

На чертеже изображено устройство дл  осуществлени  предложенного способа (права  часть устройства) и спо- fсоба-прототипа (лева  часть устройства ) , продольный разрез.

Устройство содержит емкость 1 дл  подачи жидкого металла, поплавок 2 .регулировани  уровн , кристаллизатор 3, охлаждаемый с помощью жидкости 4, котора , стека , охлаждает оболочку металла 5 на участке 6 под кристаллизатором 3. Вокруг правой половины кристаллизатора установлена катушка 7, котора  питаетс  переменным напр жением 8 дл  создани  направленного магнитного пол  9 и понижени  уровн  мениска от точки 10 при литье по известному способу (прототип) до точки 11 по предложенному способу. Точка 11 расположена на уровне 12 Пересе-

й -J

W 1

С

чени  фронта 13 затвердевани  (в результате косвенного охлаждени ) и фронта 14 затвердевани  (в результате непосредственного охлаждени ),т.е. высота соприкосновени  металла с кристаллизатором уменьшилась от h, до

V

П р и м е р. В алюминиевый кристаллизатор 3 диаметром 320 мм и высотой 100 мм подают алюминиевый сплав типа 2214 и выт гивают заготовку со скоростью 60 мм/мкн. Поплалок регулирует уровень металла на полувысоте кристаллизатора, а охлаждающа  жидкость подаетс  на отливаемую оболочку заготовки на рассто нии около 1 см киже торца кристаллизатора 3. Кристаллизатор окружен кольцевой катушкой с внутренним диаметром 372 мм, внешним диаметром 465 мм и высотой 48 мм, образованной 120 витками эмалированной медной проволоки диаметром 3,35мм и подсоединенной к переменному току частотой 50 Гц.

Результаты приведены в таблице.

Из таблицы видно, что при увеличении напр жени  магнитного пол  толщина кортикального сло , постепенно уменьша сь, становитс  нулевой 40 при 180 Вт. Одновременно уменьшаетс  размер зерен до 180 мк.

Использование изобретени  позвол ет повысить качество отливаемых за

0

5

0

5

0

готовок за счет уменьшени  толщины кортикального сло , т.е. сло , состав и структура которого отличаетс  от состава и структуры металла заготовки , и получени  рафинированной зернистой структуры.

Форм у л а изобретени 

Claims (4)

1.Способ регулировани  уровн  мениска металла в кристаллизаторе при непрерывном вертикальном литье заготовок преимущественно из алюмини  и его сплавов, включающий измене,- (ние уровн  металла путем воздействи г

на жидкий металл переменным магнитным полем, вектор которого направлен лараллельно оси кристаллизатора, о т личающийс  тем, что, с целью повышени  качества отливаемых заготовок за счет уменьшени  толщины кортикального сло  и рафинировани  зернистой структуры, напр женность магнитного пол  увеличивают при понижении и уменьшают при повышении уровн  миниска металла в кристаллизаторе от заданного.

2.Способ поп.1, отличающийс  тем, что на жидкий металл воздействуют магнитным полем промышленной частоты.

3.Способ по п. 1, о т л и ч a torn , и и с   тем, что воздействие магнитным полем максимальной напр женности осуществл ют на рассто нии

1/3... 1/2 высоты кристаллизатора от его нижнего торца.

4.Способ поп.1, отличающийс  тем, что напр женность магнитного пол  увеличивают постепен- но от минимального значени  в момент начала цроцесса лить  до максимального значени  при стабилизации процесса лить .

К

Составитель Л.Дымшиц Редактор А.Маковска  Техред Л.Олийнык Корректор М.Васильева

Заказ 1731/58

Тираж 710

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретени м и открыти м при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушска  наб., д. 4/5

Подписное