SU146774A1 - Ferrite transistor cell - Google Patents

Ferrite transistor cell

Info

Publication number
SU146774A1
SU146774A1 SU691037A SU691037A SU146774A1 SU 146774 A1 SU146774 A1 SU 146774A1 SU 691037 A SU691037 A SU 691037A SU 691037 A SU691037 A SU 691037A SU 146774 A1 SU146774 A1 SU 146774A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
cell
ferrite
transistor cell
pulse
recording
Prior art date
Application number
SU691037A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
В.И. Алехин
Г.С. Русин
Original Assignee
В.И. Алехин
Г.С. Русин
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by В.И. Алехин, Г.С. Русин filed Critical В.И. Алехин
Priority to SU691037A priority Critical patent/SU146774A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU146774A1 publication Critical patent/SU146774A1/en

Links

Landscapes

  • Digital Magnetic Recording (AREA)

Description

Известны феррит-транзисторные  чейки дл  выполнени  логических операций.Ferrite transistors are known for performing logic operations.

Предлагаема  феррит-транзисторна   чейка отличаетс  тем, что дл  обеспечени  перекрыти  импульсом «запрета импульса записи и увеличени  надежности параллельно переходу коллектор-эмиттер подключены конденсаторы разной емкости: дл   чейки, осуществл ющей операцию «запрет, меньшей, а дл   чейки записи большей.The proposed ferrite transistor cell is distinguished by the fact that in order to provide pulse override of the recording pulse and increase reliability, capacitors of different capacities are connected parallel to the collector-emitter junction: for the cell performing the operation barring, smaller, and for the recording cell more.

Принципиальна  схема описываемой феррит-транзисторной  чейки показана на чертеже.A schematic diagram of the described ferrite transistor cell is shown in the drawing.

При подаче в обмотку /  чейки тока записи ферритовый сердечник перемагничиваетс  в состо ние «1, т- е. осуществл етс  запись информации- Считывание информации производитс  подачей тока считывани  в обмотку 2 считывани , что вызывает обратное перемагничивание ферритта (в состо ние «О). В рез льтате считывани  в выходной обмотке 3 возникает импульс, усиливаемый транзистором 4. Этот выходной импульс при построении логических схем используетс  далее дл  записи или дл  запрета записи инфор.мации в последующих  чейках. Операци  запрета осуществл етс  подачей в обмотку 5 тока запрета одновременно с подачей в обмотку / тока записиВ описываемой  чейке параллельно переходу коллектор-эмиттер транзистора 4 включен конденсатор 6. В случае работы  чейки в качестве запрещающей емкость конденсатора 6 выбираетс  большей, чем у  чейки, работающей на запись. Этим достигаетс  больша  надежность запрета, так как импульс записи на.чежно перекрываетс  импульсом «зацрета Одновременно , конденсатор 6 позвол ет уменьшить помеху от заднего фронта считывающего импульса, что также повышает надежность работы  чейки.When the recording current is fed into the winding / cells, the ferrite core is re-magnetized to the state "1, i.e. information is recorded. Information is read by applying the read current to the reading winding 2, which causes reverse ferrite reversal (to the state" O "). As a result of reading, an impulse amplified by transistor 4 arises in the output winding 3. This output impulse is then used in the construction of logic circuits to record or to prohibit the recording of information in subsequent cells. The prohibition operation is performed by supplying the inhibit current to the winding 5 simultaneously with the supply to the winding / write current. In the described cell, parallel to the collector-emitter junction of transistor 4, a capacitor 6 is turned on. In the case of the cell, the capacitor 6 is chosen to be larger than record This achieves greater prohibition reliability, since the write pulse is overlapped with a "flashing" pulse. Simultaneously, the capacitor 6 reduces the noise from the falling edge of the read pulse, which also increases the reliability of the cell.

Указанные достоинства описываемой феррит-транзисторной  чейки обсловливают полезность ее применени  в вычислительпых устройствах различного назначени Предмет изобретени These advantages of the described ferrite transistor cell cause the usefulness of its application in computer devices for various purposes.

Феррит-транзисторна   чейка дл  выполнени  логических операций , отличающа с  тем, что, с целью обеспечени  перекрыти  импульсом «запрет импульса записи и увеличени  надежности, параллельно переходу коллектор-эмиттер подключены конденсаторы разной емкости-дл   чейки, осупествл ющей операцию «запрет, меньшей, дл   чейки записи большей.A ferrite transistor cell for performing logic operations, characterized in that, in order to provide a pulse override to the recording pulse and to increase reliability, capacitors of different capacitance are used for the cell, which is less for more recording cells.

SU691037A 1960-12-29 1960-12-29 Ferrite transistor cell SU146774A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU691037A SU146774A1 (en) 1960-12-29 1960-12-29 Ferrite transistor cell

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU691037A SU146774A1 (en) 1960-12-29 1960-12-29 Ferrite transistor cell

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU146774A1 true SU146774A1 (en) 1961-11-30

Family

ID=48302202

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU691037A SU146774A1 (en) 1960-12-29 1960-12-29 Ferrite transistor cell

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU146774A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB1181324A (en) Field-Effect Transistor Memory
US3699544A (en) Three transistor memory cell
KR940016262A (en) Semiconductor memory device
SU146774A1 (en) Ferrite transistor cell
US3588848A (en) Input-output control circuit for memory circuit
US3636528A (en) Half-bit memory cell array with nondestructive readout
KR850008238A (en) Semiconductor memory
GB1410875A (en) Static flipflop circuits
JPS6215955B2 (en)
JPH0217872B2 (en)
SU458035A1 (en) The control unit selection of information from a storage device
SU384132A1 (en) SCHEME OF FORMATION OF POSITIONING IMPULSES FOR MAGNETIC STORING DEVICES
JPS6313276B2 (en)
SU574773A1 (en) Recording/readout device
SU395900A1 (en) DYNAMIC MEMORY CELL ON MDP-TRANSISTORS
SU422043A1 (en)
FR2337398A1 (en) Write response circuit for flip-flops - has gate providing quick response of cross coupled transistor flip-flops and reduced current consumption
SU139480A1 (en) Ferrite transistor cell
SU486371A1 (en) Device for recording and reading from storage
ES354131A1 (en) Data storage circuits
SU469989A1 (en) Recording and reading device
SU377876A1 (en) FERRITE STORAGE DEVICE WITH LINEAR
SU425331A1 (en) ADDRESS FORMER FOR DRIVER ON TIR STRUCTURES
SU409293A1 (en) MEMORY CELL
SU570920A1 (en) Memory device with re-recording of information