SU1464797A1 - Способ изготовления мдп-транзисторов - Google Patents
Способ изготовления мдп-транзисторовInfo
- Publication number
- SU1464797A1 SU1464797A1 SU4197500/25A SU4197500A SU1464797A1 SU 1464797 A1 SU1464797 A1 SU 1464797A1 SU 4197500/25 A SU4197500/25 A SU 4197500/25A SU 4197500 A SU4197500 A SU 4197500A SU 1464797 A1 SU1464797 A1 SU 1464797A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- irradiated
- ultra
- threshold voltage
- during
- mis transistors
- Prior art date
Links
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления интегральных микросхем. Цель изобретения повышение производительности способа, а также улучшение точности подгонки порогового напряжения и увеличение процента выхода годных изделий. Подгонка порогового напряжения Uв способе осуществляется в два этапа, первый из которых осуществляют путем облучения пластин со структурами дозой насыщения рентгеновским излучением, второй - облучением ультрафиолетовым пучком с энергией квантов 4,35 8,0 ЭВ. Ультрафиолетовое облучение структуры проводят до получения порога U± ΔU, где знаки "+" и "-" соответственно для p и n канальных МДП транзисторов, ΔU величина изменения порогового напряжения при окончательной термической обработке, последнюю проводят при 400 - 450°С в течение 0,5 1,0 ч. 1 з. п. ф-лы.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4197500/25A SU1464797A1 (ru) | 1987-02-19 | 1987-02-19 | Способ изготовления мдп-транзисторов |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4197500/25A SU1464797A1 (ru) | 1987-02-19 | 1987-02-19 | Способ изготовления мдп-транзисторов |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1464797A1 true SU1464797A1 (ru) | 1995-11-20 |
Family
ID=60534609
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU4197500/25A SU1464797A1 (ru) | 1987-02-19 | 1987-02-19 | Способ изготовления мдп-транзисторов |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1464797A1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2533100C2 (ru) * | 2011-11-15 | 2014-11-20 | Сименс Акциенгезелльшафт | Детектор опасности для работы в ядерной сфере, имеющий нагревательную систему для нагрева типично не-радиационно-устойчивых полупроводниковых компонентов для увеличения функционального срока службы |
-
1987
- 1987-02-19 SU SU4197500/25A patent/SU1464797A1/ru active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2533100C2 (ru) * | 2011-11-15 | 2014-11-20 | Сименс Акциенгезелльшафт | Детектор опасности для работы в ядерной сфере, имеющий нагревательную систему для нагрева типично не-радиационно-устойчивых полупроводниковых компонентов для увеличения функционального срока службы |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Claudy et al. | PUVA treatment of alopecia areata | |
KR920006252B1 (en) | Analog-to-digital converter made with focused ion beam technology | |
UA41249C2 (uk) | Спосіб обробки відхідного газу з домішками оксидів азоту і сірки та пристрій для його здійснення | |
NO161972C (no) | Analogifremgamgsmaate ved fremstilling av terapeutisk aktive 1-substituerte tetralinderivater. | |
SU1464797A1 (ru) | Способ изготовления мдп-транзисторов | |
FR2564106B1 (fr) | Vecteurs d'expression du facteur ix, cellules transformees par ces vecteurs et procede de preparation du facteur ix. | |
FR2096712A1 (en) | Steroid/b group vitamin compsns - for prevention and treatment of skin-photosensitivity disorders | |
SU1384106A2 (ru) | Способ изготовления мдп бис | |
SE8107468L (sv) | Komposition for behandling av psoriasis pa basis av en 1,8-dihydroxi-9-antron substituerad i 10-stellningen | |
FI880156A0 (fi) | Suurjännitettä kehittävä piiri, jolla on hyvin pieni virrankulutus | |
ATE40116T1 (de) | 1-acyl-3-pyridylmethylguanidine und deren verwendung als antihypertensiva. | |
SU1324525A1 (ru) | Способ обработки полупроводниковых материалов | |
IL74642A (en) | Pharmaceutical composition constituted by 9alpha,11beta-dichloro-16alpha-methyl-21-oxycarbonyl dicyclohexylmethyloxy pregna-1,4-diene-3,20-dione,and an inert excipient | |
JPS6433970A (en) | Field effect semiconductor device | |
SU1424634A1 (ru) | Способ радиационной обработки транзисторов | |
JPS57160171A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
JPS5228632A (en) | Non-failure power source | |
IT8620460A0 (it) | Procedimento per la realizzazione dell'isolamento di circuiti integrati a elevatissima scala d'integrazione, in particolare in tecnologia mos e cmos. | |
DK223090D0 (da) | Anvendelse af 1,2,4-benzotriazinoxider som straalingssensibiliserende midler og selektive cytotoksiske midler | |
JPS57136368A (en) | Manufacture of mis transistor | |
UA13359A (ru) | Способ стабилизации электролюминисцентных пленочных дпд-структур | |
JPS5227995A (en) | Rotating device for electron beam irradiation | |
JPS5279785A (en) | Production of semiconductor device | |
JPS5412683A (en) | Semiconductor device | |
JPS5396769A (en) | Production of mis integratd circuit |