SU1464797A1 - Способ изготовления мдп-транзисторов - Google Patents

Способ изготовления мдп-транзисторов

Info

Publication number
SU1464797A1
SU1464797A1 SU4197500/25A SU4197500A SU1464797A1 SU 1464797 A1 SU1464797 A1 SU 1464797A1 SU 4197500/25 A SU4197500/25 A SU 4197500/25A SU 4197500 A SU4197500 A SU 4197500A SU 1464797 A1 SU1464797 A1 SU 1464797A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
irradiated
ultra
threshold voltage
during
mis transistors
Prior art date
Application number
SU4197500/25A
Other languages
English (en)
Inventor
В.Р. Гитлин
Ю.Г. Замотайлов
А.Н. Ивакин
С.Г. Кадменский
М.Н. Левин
И.Е. Лобов
С.С. Остроухов
Original Assignee
В.Р. Гитлин
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by В.Р. Гитлин filed Critical В.Р. Гитлин
Priority to SU4197500/25A priority Critical patent/SU1464797A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1464797A1 publication Critical patent/SU1464797A1/ru

Links

Landscapes

  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Abstract

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления интегральных микросхем. Цель изобретения повышение производительности способа, а также улучшение точности подгонки порогового напряжения и увеличение процента выхода годных изделий. Подгонка порогового напряжения Uв способе осуществляется в два этапа, первый из которых осуществляют путем облучения пластин со структурами дозой насыщения рентгеновским излучением, второй - облучением ультрафиолетовым пучком с энергией квантов 4,35 8,0 ЭВ. Ультрафиолетовое облучение структуры проводят до получения порога U± ΔU, где знаки "+" и "-" соответственно для p и n канальных МДП транзисторов, ΔU величина изменения порогового напряжения при окончательной термической обработке, последнюю проводят при 400 - 450°С в течение 0,5 1,0 ч. 1 з. п. ф-лы.
SU4197500/25A 1987-02-19 1987-02-19 Способ изготовления мдп-транзисторов SU1464797A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4197500/25A SU1464797A1 (ru) 1987-02-19 1987-02-19 Способ изготовления мдп-транзисторов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4197500/25A SU1464797A1 (ru) 1987-02-19 1987-02-19 Способ изготовления мдп-транзисторов

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1464797A1 true SU1464797A1 (ru) 1995-11-20

Family

ID=60534609

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU4197500/25A SU1464797A1 (ru) 1987-02-19 1987-02-19 Способ изготовления мдп-транзисторов

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1464797A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2533100C2 (ru) * 2011-11-15 2014-11-20 Сименс Акциенгезелльшафт Детектор опасности для работы в ядерной сфере, имеющий нагревательную систему для нагрева типично не-радиационно-устойчивых полупроводниковых компонентов для увеличения функционального срока службы

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2533100C2 (ru) * 2011-11-15 2014-11-20 Сименс Акциенгезелльшафт Детектор опасности для работы в ядерной сфере, имеющий нагревательную систему для нагрева типично не-радиационно-устойчивых полупроводниковых компонентов для увеличения функционального срока службы

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Claudy et al. PUVA treatment of alopecia areata
KR920006252B1 (en) Analog-to-digital converter made with focused ion beam technology
UA41249C2 (uk) Спосіб обробки відхідного газу з домішками оксидів азоту і сірки та пристрій для його здійснення
NO161972C (no) Analogifremgamgsmaate ved fremstilling av terapeutisk aktive 1-substituerte tetralinderivater.
SU1464797A1 (ru) Способ изготовления мдп-транзисторов
FR2564106B1 (fr) Vecteurs d'expression du facteur ix, cellules transformees par ces vecteurs et procede de preparation du facteur ix.
FR2096712A1 (en) Steroid/b group vitamin compsns - for prevention and treatment of skin-photosensitivity disorders
SU1384106A2 (ru) Способ изготовления мдп бис
SE8107468L (sv) Komposition for behandling av psoriasis pa basis av en 1,8-dihydroxi-9-antron substituerad i 10-stellningen
FI880156A0 (fi) Suurjännitettä kehittävä piiri, jolla on hyvin pieni virrankulutus
ATE40116T1 (de) 1-acyl-3-pyridylmethylguanidine und deren verwendung als antihypertensiva.
SU1324525A1 (ru) Способ обработки полупроводниковых материалов
IL74642A (en) Pharmaceutical composition constituted by 9alpha,11beta-dichloro-16alpha-methyl-21-oxycarbonyl dicyclohexylmethyloxy pregna-1,4-diene-3,20-dione,and an inert excipient
JPS6433970A (en) Field effect semiconductor device
SU1424634A1 (ru) Способ радиационной обработки транзисторов
JPS57160171A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS5228632A (en) Non-failure power source
IT8620460A0 (it) Procedimento per la realizzazione dell'isolamento di circuiti integrati a elevatissima scala d'integrazione, in particolare in tecnologia mos e cmos.
DK223090D0 (da) Anvendelse af 1,2,4-benzotriazinoxider som straalingssensibiliserende midler og selektive cytotoksiske midler
JPS57136368A (en) Manufacture of mis transistor
UA13359A (ru) Способ стабилизации электролюминисцентных пленочных дпд-структур
JPS5227995A (en) Rotating device for electron beam irradiation
JPS5279785A (en) Production of semiconductor device
JPS5412683A (en) Semiconductor device
JPS5396769A (en) Production of mis integratd circuit