SU1449980A1 - Инжекционный источник стабильного напр жени - Google Patents

Description

(21)4245224/24-07

(22)15.05.87

(46) 07.01.89. Бгол. № 1

(71)Московский институт радиотехники , электроники и автоматики

(72)Д.В. Игумнов, В.А. Масловский, И.С. Громов и И.И. Русак

(53)62.316.722.1(088.8)

(56)Степаненко ИЛ. Основы микроэлектроники . М.: Советское радио, 1980. с. 337-338.

Микроэлектроника, 1983, № 5, с. 455,рис. 2а.

(54)ИНЖЕКЦИОННЬЙ ИСТОЧНИК СТАБИЛЬНОГО НЛПРЯЖЕН1Ш

(57)Изобретение относитс  к электротехнике и может быть использовано в качестве стабильного низковольтного источника дл  микроэлектронных устройств с инжекционным питанием. Цель изобретени  - повышение коэффициента стабилизации. Устройство содержит р-п-р и п-р-п транзисторы 1 и 2, базы которых соединены между собой, балластный резистор 3, один вывод которого подключен к эмиттеру р-п-р транзистора I, две входные клеммы 4 и 5, одна из которых 4 подключена к второму выводу балластного резистора 3, а друга  5 - к эмиттеру п-р-п транзистора 2, и две выходные клеммы 6 и 7, кажда  из которых подключена к коллектору оцного из транзисторов. В устройстве осуществл етс  повьппение коэффициента стабилизации за счет введени  в него дополнительного п-р-п транзистора В, коллектор которого подключен к коллектору р-п-р транзистора I, а эмиттер и база подключены соответственно к коллектору и базе основного п-р-п транзистора 2. I ил.

а $8

(О

S

-0

со

со

00

Изобретение относитс  к электротехнике и может быть использовано в качестве стабильного низковольтного источника дл  микроэлектронных устройств с инжекционным питанием.

Цель изобретени  - повьппение коэффициента стабилизации источника.

На чертеже приведена принципиальна  электрическа  схема источника стабильного напр жени .

Источник стабильного напр жени  состоит из р-п-р транзистора , п-р-п транзистора 2, балластного резистора 3, входных клемм 4 и 5, выходных клемм 6 и 7 и регулирующего , п-р-п транзистора 8. Базы транзисторов 1,2 и 8 соединены между собой. Эмиттер транзистора 1 подключен к одному из вьшодов резистора 3, второй вьтод которого подключен к клемме 4. Клемма 5 подключена к эмиттеру транзистора 2, коллектор которого подключен к клемме 7 и эмиттеру транзистора 8, коллектор которого подключен к клемме 6 и коллектору транзистора 1 .

Последовательно включенные эмит- терные переходы транзисторов I и 2 вместе с резистором 3 образуют обычный диодный стабилизатор напр жени . Транзисторы 1 и 2 работают в инжек- ционном режиме и выполн ют функции инжекторов. Токи эмиттеров транзисторов 1 и 2 порождают избыточный зар д основных носителей в коллекторах этих транзисторов (дырок в коллекторе р-п-р транзистора 1 и электронов в коллекторе п-р-п транзистора 2). За счет этого зар да на коллекторных переходах транзисторов 1 и 2 по вл ютс  инжекционные напр жени . Максимальна  величина инжекционного напр жени  на транзисторе в основном определ етс  равновесной высотой потенциального барьера коллекторного перехода и дл  кремниевых транзисторов примерно равна 0,7-0,8 В. Сумма инжекционных напр жений транзисторов 1 и 2 образует выходное напр жение источника.

При возрастании выходного напр жени  увеличиваетс  инжекционное напр жение на коллекторном переходе транзистора 2, а следовательно, и напр жение между базой и эмиттером

транзистора 8. Это приводит к увеличению тока коллектор транзистора 8 и следовательно, к уменьшению выходного напр жени  за счет увеличени 

падени  напр жени  на внутреннем сопротивлении источника. Таким образом, за счет использовани  дополнительного регулирующего транзистора 8 в инжекцйонном источнике стабильного

напр жени  улучшаетс  стабильность выходного напр жени , что соответствует возрастанию примерно на пор док коэффициента стабилизации предлагаемого источника по сравнению с известным .

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   Инжекционный источник стабильного напр жени , содержащий р-п-р и п-р-п транзисторы, базы которых соединены между собой, балластный резистор, один вывод которого подключен к эмиттеру р-п-р транзистора, две входные клеммы, одна из которых подключена к второму вьгооду балластного резистора , а друга  - к эмиттеру п-р-п транзистора, и две выходные клеммы, кажда  из которых подключена к кол

   лектору одного из транзисторов, о тличающийс  тем, что, с целью повьш1ени  коэффициента стабилизации , в него введен дополнительный п-р-п транзистор, коллектор которого подключен к коллектору р-п-р транзистора , а эмиттер и база подключены соответственно к коллектору и базе основного п-р-п транзистора.