SU750465A1 - Источник опорного напр жени - Google Patents
Источник опорного напр жени Download PDFInfo
- Publication number
- SU750465A1 SU750465A1 SU782596600A SU2596600A SU750465A1 SU 750465 A1 SU750465 A1 SU 750465A1 SU 782596600 A SU782596600 A SU 782596600A SU 2596600 A SU2596600 A SU 2596600A SU 750465 A1 SU750465 A1 SU 750465A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- collector
- transistor
- voltage
- emitter
- junction
- Prior art date
Links
Landscapes
- Control Of Electrical Variables (AREA)
Description
1
Изобретение относитс к электротехнике и предназначаетс дл использовани в радиоэлектронной аппаратуре различного назначени , в частности в стабилизаторах напр жени и тока микроэлектронных устройств.
Известны источники опорного напр жени ij и 2 .
Первое из известных устройств содержит токозадающий резистор и опорный элемент, выполненный на инверсно-включенном транзисторе в режиме электрического пробо эмиттерного перехода.
Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому изобретению вл етс источник опорного напр жени 22 , содержащий, опорный элемент, выполненный на транзисторе, например , й-р-п типа, эмиттер которого через токозадагащий резистор соединен с плюсовым входным выводом и непосредственно с одним выводом дл подключени нагрузки, коллектор с миHycoBfcJM входным выводом и другим выводом дл подключени нагрузки, базова цепь транзистора соединена с его коллекторной цепью через резистор.
Недостатком известных устройств вл етс зависимость напр жени эмит
терного перехода и его отрицательного дифференциального сопротивлени от падени напр жени на коллекторном переходе, что обусловлено положительной обратной св зью мелоду переходами и приводит к повышенной нелинейности и нестабильности. Кроме того, недостатком вл етс необходимость использовани высокоомного резистора , стабильность которого также вли ет на стабильность опорного элемента, что затрудн ет его применение в полупроводниковые интегральных микросхемах.
Целью изобретени вл етс повышение стабильности и уменьшение нелинейности путем регулировки глубины положительной обратной св зи между переходами независимо от падени напр жени на коллекторном переходе , уменьшение глубины положительной обратной св зи между переходами в К раз.
Claims (3)
- Поставленна цель достигаетс тем, что в источнике опорного напр жени , содержащем опорный элемент, выполненный на транзисторе, эмиттер которого через токозадающий резистор соединен с плюсовым входным выводом и непосредственно с одним В1лводом дл подключени нагрузки, а коллектор с минусовым входным выводом и другим выводом дл подключени нагрузки, новым вл етс то, что база транзист ра подключена к аноду прибора с диод рой вольтамперной характеристикой, катод которого соединен с коллектоpoi вышеупом нутого транзистора, в качестве прибора с диодной вольтамперной характеристикой используетс эмиттерный переход транзистора, площадь эмиттера которого в К-1 раз больше площади коллектора транзистора опорного элемента, в качестве при бора с диодной вольтамперной характеристикой использована цепочка из К-1 параллельно соединенных коллекторных переходов транзисторов, площадь коллектора каждого из которых равна площади коллектора транзистора опорного элемента. Принципиальна электрическа схема предлагаемого источника опорного напр жени с конкретной реализацией прибора с диодной вольтамперной характеристикой в виде цепочки из К-1 параллельно соединенных коллекторных переходов транзисторов п-р-п типа приведена на чертеже. Источник содержит опорный элемент выполненный на транзисторе 1 п-р-п типа, токоэадаюадий резистор 2 и прибор 3 с диодной вольтамперной характеристикой , в качестве которого использована цепочка из К-1 параллельно соединенных коллекторных переходов транзисторов 4 п-р-п типа, площадь коллектора каждого из которых равна площади коллектора транзистора 1 опорного элемента. Вольтамперна характеристика пред лагаемого 1Гсточника опорного напр жени приближенно описываетс следую щей системой уравнений; u,.-u;fs.u..., V где напр жение ме}кду коллекторо и эмиттером транзистора; UM - напр жение лавинного пробо эмиттерного перехода; ИНб(3,} -, инверсный коэффициент передачи по току;, J ,3 - токи соответственно коллекторного и эмиттерного переходов ; и - падение напр жени на К параллельно соединенных коллекторных переходов транзис торов; К - количество коллекторных пер ходов, включа коллекторный переход транзистора опорного элемента. Преобразу систему уравнени (1), получим уравнение вольтамперной характеристики опорного элемента: и,и..и ( 2) Из уравнени (2)видно, что напр жение эмиттерного перехода и, сле .довательно, его отрицательное диф;ференциальное сопротивление при заданном токе эмиттера не зависит от падени напр жени на коллекторном переходе. Измен количество параллельное соединенных коллекторных переходов транзисторов, можно управл ть величиной напр жени и отрицательным дифференциальным сопротивлением эмиттерного перехода при заданном токе эмиттера. Введение в источник опорного напр жени прибора с диодной вольтамперной характеристикой выгодно отличает его от известного устройства, так как при этом обеспечиваетс управление отрицательным дифференциальным сопротивлением путем регулировки глубины положительной обратной св зи между переходами в К раз независимо от падени напр жени на коллекторно1 1 переходе, повышаетс линейность и стабильность величины отрицательного дифференциального сопротивлени , упрощаетс задача применени источника опорного напр жени в полупроводниковых интегральных схемах. Это позволит улучшить параметры микроэлектронных устройств, в которых используетс предлагаемый источник опорного напр жени , без необходимости применени других, более сложных схем, уменьшить количество элементов и снизить стоимость устройств , что в совокупности даст экономию в народном хоз йстве. Формула изобретени 1. Источник опорного напр жени , содержащий опорный элемент, выполненный на транзисторе, эмиттер которого через токозадающий резистор соединен с плюсовым входным выводом и непосредственно одним выводом дл подключени нагрузки, а коллектор с минусовым входным выводом и другим выводом дл подключени нагрузки, отличающийс тем, что, с целью повышени стабильности и уменьшени нелинейности путем регулировки глубины положительной обратной св зи между переходами транзистора независимо от падени напр жени на коллекторном переходе, база транзистора подключена к аноду введенного прибора с диодной вольтамперной характеристикой , катод которого соединен с коллектором вышеупом нутого транзистора .
- 2. Источник по п. 1, отличающийс тем, что, с целью уменьшени глубины обратной св зи между переходами в К раз, в качестве прибора с диодной вольтамперной харак1геристикой использован эмиттерный ререход транзистора, площадь эмиттера которого в к-1 раз больше площади коллектора транзистора опорного элемента .
- 3. Источник по п. 1, отличающийс тем, что, с целью уменьшени глубины положительной обратной св зи в К раз, в качестве прибора с диодной вольтамперной характеристикой исГюльзована цепочка из К-1 параллельно соединенных коллекторныхпереходов транзисторов, площадь коллектора каждого из которых равна площади коллектора транзистора опорного элемента.Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе1.Шило В. П. Линейные интегральные схемы в радиоэлектронной аппаратуре . М., Советское радио, 1972с. 200, рис. б,. 2а.2.Авторское свидетельство СССР № 545977, кл. С 05 Р 3/08, 1974.+ 0А...Р
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU782596600A SU750465A1 (ru) | 1978-03-31 | 1978-03-31 | Источник опорного напр жени |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU782596600A SU750465A1 (ru) | 1978-03-31 | 1978-03-31 | Источник опорного напр жени |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU750465A1 true SU750465A1 (ru) | 1980-07-23 |
Family
ID=20756182
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU782596600A SU750465A1 (ru) | 1978-03-31 | 1978-03-31 | Источник опорного напр жени |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU750465A1 (ru) |
-
1978
- 1978-03-31 SU SU782596600A patent/SU750465A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR940006365B1 (ko) | 전류 미러 회로 | |
SU750465A1 (ru) | Источник опорного напр жени | |
GB1485116A (en) | Non linear network | |
SU954996A2 (ru) | Источник опорного напр жени | |
EP0418025B1 (en) | Current mirror having large current scaling factor | |
SU1372312A2 (ru) | Стабилитрон | |
RU2772113C1 (ru) | Компенсационный стабилизатор напряжения | |
US4117391A (en) | Current stabilizing circuit | |
KR100228354B1 (ko) | 전원전압 및 온도변화에 무관한 기준전압 발생기 | |
RU209200U1 (ru) | Стабилизатор постоянного напряжения | |
SU924825A1 (ru) | Эмиттерный повторитель | |
KR830000469Y1 (ko) | 신호변환 회로 | |
SU1449980A1 (ru) | Инжекционный источник стабильного напр жени | |
US3280338A (en) | Constant current biasing circuit | |
RU2075825C1 (ru) | Устройство с отрицательным сопротивлением | |
SU728120A1 (ru) | Устройство дл повышени рабочего напр жени нелинейных элементов с высоким выходным сопротивлением-мультитрон | |
SU826307A1 (ru) | Стабилизатор тока | |
SU661698A1 (ru) | Пеобразователь переменного напр жени в посто нное | |
SU1108909A1 (ru) | Стабилизатор посто нного напр жени | |
SU408431A1 (ru) | ||
RU2006063C1 (ru) | Низковольтный источник эталонного напряжения | |
SU603096A1 (ru) | Двухтактный усилитель | |
SU750516A1 (ru) | Функциональный преобразователь | |
SU1259229A1 (ru) | Источник опорного напр жени | |
SU1348797A2 (ru) | Стабилизатор посто нного напр жени |