SU408431A1

SU408431A1 -

Info

Publication number: SU408431A1
Application number: SU1751170A
Authority: SU
Inventors: Фед Э.
Priority date: 1972-02-21
Filing date: 1972-02-21
Publication date: 1973-12-10

Description

НИЗКОВОЛЬТНЫЙ ИСТОЧНИК ОПОРНОГО НАПРЯЖЕНИЯ

1

Изобретение касаетс электротехники и радиотехники и может быть использовано в качестве источника питани радиоэлектронной аппаратуры.

Известные низковольтные источники опорного напр жени , содержащие стабилизатор тока , выполненный по схеме эмиттерного повторител на транзисторе, характеризуютс тем, что в них отсутствует качественна термокомпенсаци , кроме того, применение в этих источниках стабилитронов, имеющих сравнительно высокое напр жение питани (по сравнению с низковольтным выходным напр жением источника), требует применени или дополнительного источника питани , или высокого входного напр жени . Это приводит к резкому снижению к.п.д. стабилизатора и к увеличению его веса и габаритов.

Цель изобретени - снизить напр жение питани источника и обеспечить получение температурной компенсации в щироком диапазоне температур.

Это достигаетс тем, что входна цепь эмиттерного повторител выполнена в виде моста, одно плечо которого образовано последовательной цепочкой из перехода база-эмиттер транзистора и эмиттерного резистора, второе - резистором, соединенным последовательно с эмиттерным резистором, остальные

два плеча состо т из оДного диода каждое, при этом диоды соединены последовательно и подключены в пр мом направлении к базе транзистора, а в диагонали моста между точками соединени диодов и резисторов включен термокомпенсирующий резистор, причем выходные клеммы подключены параллельно эталонному резистору, вл ющемус коллекторной нагрузкой транзистора.

На чертеже представлена принципиальна : электрическа схема источника.

Термокомпенсированный источник опорного напр жени представл ет собой стабилизатор тока, выполненный по схеме эмиттерного повторител и включающий в себ транзистор 1, диоды 2, 3 и резисторы 4-7. Опорное напр жение образуетс при протекании стабилизированного тока через эталонный резистор 4, вл ющийс коллекторной нагрузкой транзистора . Опорное напр жение можно снимать с части резистора 4, в результате чего по вл етс возможность измен ть опорное напр жение от нул до номинальной величины.

Минимальное напр жение питани источника определ етс напр жением опорных диодов 2, 3 и минимальным падением напр жени на коллектор-эмиттерном переходе транзистора 1 в режиме усилени .

Термокомпенсаци опорного выходного напр жени достигаетс включением резистора 6, по которому протекает компенсирующий ток. Этот резистор включаетс в диагональ моста, образованного переходом эмиттер-база транзистора 1, эмиттерным резистором 5, резистором 7 и диодами 2 и 3.

Термокомпенсаци опорного напр жени достигаетс путем подгонки соотношени резисторов 7 и 6 таким образом, чтобы ток, протекающий через резистор 5, не зависел от изменений температуры окружающей среды. При этом, ток, протекающий через резистор 4, а следовательно, и опорное напр жение также не будут зависеть от изменений температуры.

Предлагаемый источник опорного напр жени может найти широкое применение в стабилизаторах напр жени , нижний предел выходного напр жени которых лежит от 2 в и выше, а также в р де других радиоэлектронных устройств (преобразовател х напр жени , аналоговых преобразовател х, стабилизаторах тока и т. д.), работающих при пониженном напр жении питани .

Предмет изобретени

Низковольтный источник опорного напр жени , содержащий стабилизатор тока, выполненный по схеме эмиттерного повторител на транзисторе, отличающийс тем, что, с целью снижени напр жени питани источника и получени температурной компенсации в широком диапазоне температур, входна цепь эмиттерного повторител выполнена в виде моста, одно плечо которого образовано последовательной цепочкой из перехода база-эмиттер транзистора и эмиттерного резистора , второе - резистором, соединенным последовательно с эмиттерным резистором, остальные два плеча состо т из одного диода каждое, при этом диоды соединены последовательно и подключены в пр мом направлении к базе транзистора, а в диагонали моста, между точками соединени диодов и резисторов включен термокомпенсирующий резистор, причем выходные клеммы подключены параллельно эталонному резистору, вл ющемус коллекторной нагрузкой транзистора.