SU1372312A2 - Стабилитрон - Google Patents
Стабилитрон Download PDFInfo
- Publication number
- SU1372312A2 SU1372312A2 SU864104604A SU4104604A SU1372312A2 SU 1372312 A2 SU1372312 A2 SU 1372312A2 SU 864104604 A SU864104604 A SU 864104604A SU 4104604 A SU4104604 A SU 4104604A SU 1372312 A2 SU1372312 A2 SU 1372312A2
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- transistors
- range
- currents
- pair
- zener diode
- Prior art date
Links
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к электротехнике и может быть использовано как в силовой электротехнике, так и в аналоговой вычислительной технике. Цель изобретени - расширение диапазона рабочих токов и рассеиваемой МОЩНОСТИ;, В устр-ве осуществлена разв зка между комплементарными транзисторами 1 и 2 первой пары и комплементарными транзисторами 3 и 4 второй пары. Транзисторы 1 и 2 задают величину диапазона экспоненциальных вольтамперных характеристик (ВАХ), транзисторы 3 и 4 задают диапазон выходных токов. Транзисторы 1 и 2 всегда наход тс на пологом участке ВАХ, обеспечива питание баз транзисторов 3 и 4 стабильными токами. 1 ил.
Description
О
(Л
С
to
л
14)
1,
Изобретение относитс к электротехнике , может быть использовано в источниках электропитани радиоэлектронной аппаратуры, в аналоговых экспоненциальных преобразовател х и других аналогичных устройствах и вл етс усовершенствованием изобретени по авт.св. (Р 905808.
Цель изобретени - расширение диапазона рабочих токов и рассеиваемой мощности.
На чертеже показана электрическа схема предлагаемого стабилитрона.
Стабилитрон содержит первый 1 и второй 2 транзисторы с противоположным типом проводимости, образующие первую комплементарную пару, а также третий 3 и четвертый 4 транзисторы с противоположным типом проводимости , образующие вторую комплементарную пару транзисторов. Причем эмиттеры транзисторов 1 и 3 одного типа проводимости подключены к первому выводу 5 стабилитрона, а эмиттеры транзисторов 2 и 4 другого типа проводимости подключены к второму выводу 6 стабилитрона, база транзистора 1 соединена с базой транзистора 2, коллектор транзистора 3 соединен с коллектором транзистора 4, коллектор транзистора 2 соединен с базой транзистора 3, а коллектор транзистора 1 соединен с базой транзистора 4.
Стабилитрон работает следующим образом.
В стабилитроне осуществлена разв зка между транзисторами 1 и 2, задающими величину диапазона экспоненциальных вольтамперных характеристик (ВАХ), и транзисторами 3 и 4, задающими диапазон выходнытс токов. Выходной ток элемента, протекающий через выводы 5 и 6, определ етс
транзисторами 3 и 4, геометрические размеры которых могут быть выбраны значительно больше размеров транзисторов 1 и 2. Поэтому тепловые токи I р J и транзисторов 3 и 4 значительно больше тепловых токов Iцот и I 1(05 транзисторов 1 и 2. Это означает , что нелинейные искажени экспоненциальных ВАХ могут возникнуть лишь при более высоких значени х выходного напр жени .
Диапазон экспоненциальных ВАХ данного стабилитрона - диодного элемента ограничен снизу условием
Uf,c
m«i.
фактор неидеальности эмит- терного перехода; температурный потенциал.
10
В этом случае будут справедливы аппроксимации дл токов базы и коллектора бипол рного транзистора
I,
/ Ufij -UTS 1 .
I, exp ( ) .
«о т.- it
I. I
exp (
..
r
0
где и
Гб
и U
Is I X
Ь 6с
- пороговые напр жени дл токов базы и коллектора, при которых
, а 1. 1,.
Тогда транзисторы 1 и 2 всегда будут находитьс на пологом участке ВАХ, обеспечива питание баз транзисторов 3 и 4 стабильными токами.
Стабилитрон предназначен дл изготовлени по планарной полупроводниковой технологии. Геометрические размеры транзисторов 3,4, и 1,2 могут быть равны попарно один другому или отличатьс при различных концентраци х легирующих примесей в полупроводнике областей баз. В то же врем геометрические размеры транзисторов 3 и 4 должны быть значительно больше размеров транзисторов 1 и 2, поскольку протекающие через них токи значительно больше. Топологи изготовлени транзисторов гребенчата .
Таким образом, предлагаемый стабилитрон по сравнению с известным имеет более широкий диапазон выходных токов и мощностей рассе ни в области экспоненциальных ВАХ.
55
Claims (1)
- Формула изобретениСтабилитрон по авт.св. № 905808, отличающийс тем, что, с целью расщирени диапазона рабочих токов и рассеиваемой мощности, в него введена втора пара комплементарных транзисторов, коллекторы которых31372312объединены, а база-эмиттерные цепи с противоположным типом проводимости включены последовательно в коллектор- соответственно эмиттерами к выводам ные цепи транзисторов первой пары стабилитрона.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU864104604A SU1372312A2 (ru) | 1986-08-18 | 1986-08-18 | Стабилитрон |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU864104604A SU1372312A2 (ru) | 1986-08-18 | 1986-08-18 | Стабилитрон |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU905808 Addition |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1372312A2 true SU1372312A2 (ru) | 1988-02-07 |
Family
ID=21251667
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU864104604A SU1372312A2 (ru) | 1986-08-18 | 1986-08-18 | Стабилитрон |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1372312A2 (ru) |
-
1986
- 1986-08-18 SU SU864104604A patent/SU1372312A2/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Авторское свидетельство СССР № 905808, кл. G 05 F 3/22, 1982. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR940006365B1 (ko) | 전류 미러 회로 | |
JPH05173658A (ja) | バイポーラ・トランジスタの逆飽和電流の温度補償装置 | |
US11199565B1 (en) | Undervoltage detection circuit | |
SU1372312A2 (ru) | Стабилитрон | |
GB2113435A (en) | Improvements in or relating to analog multiplier circuits and current ratio circuits | |
US4947103A (en) | Current mirror have large current scaling factor | |
KR100228354B1 (ko) | 전원전압 및 온도변화에 무관한 기준전압 발생기 | |
Beasom et al. | Process characteristics and design methods for a 300° C quad operational amplifier | |
SU726515A2 (ru) | Параметрический стабилизатор напр жени | |
SU750465A1 (ru) | Источник опорного напр жени | |
US3280338A (en) | Constant current biasing circuit | |
SU1656667A1 (ru) | Усилитель мощности | |
SU1410006A1 (ru) | Источник тока | |
SU1449980A1 (ru) | Инжекционный источник стабильного напр жени | |
SU603096A1 (ru) | Двухтактный усилитель | |
SU408431A1 (ru) | ||
RU1824667C (ru) | Генератор импульсов | |
SU612234A1 (ru) | Параметрический стабилизатор посто нного напр жени | |
SU1398056A1 (ru) | Мостовой транзисторный инвертор | |
RU2099862C1 (ru) | Усилитель-ограничитель тока | |
SU1460715A1 (ru) | Стабилизатор тока | |
SU666632A1 (ru) | Дифференциальный усилитель | |
SU930303A1 (ru) | Стабилизатор напр жени | |
SU1538222A1 (ru) | Составной транзистор | |
SU1480094A1 (ru) | Выходной каскад операционного усилител |