SU1372312A2 - Стабилитрон - Google Patents

Стабилитрон Download PDF

Info

Publication number
SU1372312A2
SU1372312A2 SU864104604A SU4104604A SU1372312A2 SU 1372312 A2 SU1372312 A2 SU 1372312A2 SU 864104604 A SU864104604 A SU 864104604A SU 4104604 A SU4104604 A SU 4104604A SU 1372312 A2 SU1372312 A2 SU 1372312A2
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistors
range
currents
pair
zener diode
Prior art date
Application number
SU864104604A
Other languages
English (en)
Inventor
Александр Леонтьевич Якимаха
Original Assignee
А.Л. Якимаха
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by А.Л. Якимаха filed Critical А.Л. Якимаха
Priority to SU864104604A priority Critical patent/SU1372312A2/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1372312A2 publication Critical patent/SU1372312A2/ru

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к электротехнике и может быть использовано как в силовой электротехнике, так и в аналоговой вычислительной технике. Цель изобретени  - расширение диапазона рабочих токов и рассеиваемой МОЩНОСТИ;, В устр-ве осуществлена разв зка между комплементарными транзисторами 1 и 2 первой пары и комплементарными транзисторами 3 и 4 второй пары. Транзисторы 1 и 2 задают величину диапазона экспоненциальных вольтамперных характеристик (ВАХ), транзисторы 3 и 4 задают диапазон выходных токов. Транзисторы 1 и 2 всегда наход тс  на пологом участке ВАХ, обеспечива  питание баз транзисторов 3 и 4 стабильными токами. 1 ил.

Description

О
С
to
л
14)
1,
Изобретение относитс  к электротехнике , может быть использовано в источниках электропитани  радиоэлектронной аппаратуры, в аналоговых экспоненциальных преобразовател х и других аналогичных устройствах и  вл етс  усовершенствованием изобретени  по авт.св. (Р 905808.
Цель изобретени  - расширение диапазона рабочих токов и рассеиваемой мощности.
На чертеже показана электрическа схема предлагаемого стабилитрона.
Стабилитрон содержит первый 1 и второй 2 транзисторы с противоположным типом проводимости, образующие первую комплементарную пару, а также третий 3 и четвертый 4 транзисторы с противоположным типом проводимости , образующие вторую комплементарную пару транзисторов. Причем эмиттеры транзисторов 1 и 3 одного типа проводимости подключены к первому выводу 5 стабилитрона, а эмиттеры транзисторов 2 и 4 другого типа проводимости подключены к второму выводу 6 стабилитрона, база транзистора 1 соединена с базой транзистора 2, коллектор транзистора 3 соединен с коллектором транзистора 4, коллектор транзистора 2 соединен с базой транзистора 3, а коллектор транзистора 1 соединен с базой транзистора 4.
Стабилитрон работает следующим образом.
В стабилитроне осуществлена разв зка между транзисторами 1 и 2, задающими величину диапазона экспоненциальных вольтамперных характеристик (ВАХ), и транзисторами 3 и 4, задающими диапазон выходнытс токов. Выходной ток элемента, протекающий через выводы 5 и 6, определ етс 
транзисторами 3 и 4, геометрические размеры которых могут быть выбраны значительно больше размеров транзисторов 1 и 2. Поэтому тепловые токи I р J и транзисторов 3 и 4 значительно больше тепловых токов Iцот и I 1(05 транзисторов 1 и 2. Это означает , что нелинейные искажени  экспоненциальных ВАХ могут возникнуть лишь при более высоких значени х выходного напр жени .
Диапазон экспоненциальных ВАХ данного стабилитрона - диодного элемента ограничен снизу условием
Uf,c
m«i.
фактор неидеальности эмит- терного перехода; температурный потенциал.
10
В этом случае будут справедливы аппроксимации дл  токов базы и коллектора бипол рного транзистора
I,
/ Ufij -UTS 1 .
I, exp ( ) .
«о т.- it
I. I
exp (
..
r
0
где и
Гб
и U
Is I X
Ь 6с
- пороговые напр жени  дл  токов базы и коллектора, при которых
, а 1. 1,.
Тогда транзисторы 1 и 2 всегда будут находитьс  на пологом участке ВАХ, обеспечива  питание баз транзисторов 3 и 4 стабильными токами.
Стабилитрон предназначен дл  изготовлени  по планарной полупроводниковой технологии. Геометрические размеры транзисторов 3,4, и 1,2 могут быть равны попарно один другому или отличатьс  при различных концентраци х легирующих примесей в полупроводнике областей баз. В то же врем  геометрические размеры транзисторов 3 и 4 должны быть значительно больше размеров транзисторов 1 и 2, поскольку протекающие через них токи значительно больше. Топологи  изготовлени  транзисторов гребенчата  .
Таким образом, предлагаемый стабилитрон по сравнению с известным имеет более широкий диапазон выходных токов и мощностей рассе ни  в области экспоненциальных ВАХ.
55

Claims (1)

  1. Формула изобретени 
    Стабилитрон по авт.св. № 905808, отличающийс  тем, что, с целью расщирени  диапазона рабочих токов и рассеиваемой мощности, в него введена втора  пара комплементарных транзисторов, коллекторы которых
    31372312
    объединены, а база-эмиттерные цепи с противоположным типом проводимости включены последовательно в коллектор- соответственно эмиттерами к выводам ные цепи транзисторов первой пары стабилитрона.
SU864104604A 1986-08-18 1986-08-18 Стабилитрон SU1372312A2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864104604A SU1372312A2 (ru) 1986-08-18 1986-08-18 Стабилитрон

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864104604A SU1372312A2 (ru) 1986-08-18 1986-08-18 Стабилитрон

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU905808 Addition

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1372312A2 true SU1372312A2 (ru) 1988-02-07

Family

ID=21251667

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU864104604A SU1372312A2 (ru) 1986-08-18 1986-08-18 Стабилитрон

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1372312A2 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 905808, кл. G 05 F 3/22, 1982. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940006365B1 (ko) 전류 미러 회로
JPH05173658A (ja) バイポーラ・トランジスタの逆飽和電流の温度補償装置
US11199565B1 (en) Undervoltage detection circuit
SU1372312A2 (ru) Стабилитрон
GB2113435A (en) Improvements in or relating to analog multiplier circuits and current ratio circuits
US4947103A (en) Current mirror have large current scaling factor
KR100228354B1 (ko) 전원전압 및 온도변화에 무관한 기준전압 발생기
Beasom et al. Process characteristics and design methods for a 300° C quad operational amplifier
SU726515A2 (ru) Параметрический стабилизатор напр жени
SU750465A1 (ru) Источник опорного напр жени
US3280338A (en) Constant current biasing circuit
SU1656667A1 (ru) Усилитель мощности
SU1410006A1 (ru) Источник тока
SU1449980A1 (ru) Инжекционный источник стабильного напр жени
SU603096A1 (ru) Двухтактный усилитель
SU408431A1 (ru)
RU1824667C (ru) Генератор импульсов
SU612234A1 (ru) Параметрический стабилизатор посто нного напр жени
SU1398056A1 (ru) Мостовой транзисторный инвертор
RU2099862C1 (ru) Усилитель-ограничитель тока
SU1460715A1 (ru) Стабилизатор тока
SU666632A1 (ru) Дифференциальный усилитель
SU930303A1 (ru) Стабилизатор напр жени
SU1538222A1 (ru) Составной транзистор
SU1480094A1 (ru) Выходной каскад операционного усилител