SU1631527A1 - Источник опорного напр жени - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к электротехнике и может быть использовано во вторичных источниках электропитани  радиоэлектронной аппаратуры. Цель изобретени  - повышение КПД путем уменьшени  минимально допустимого входного напр жени . Устройство содержит параллельный регулирующий транзистор 5, балластный резистор 9, измерительную цепь на резисторе 8 и транзисторе 6 в диодном включеннии, цепь фор- мировани  тока с положительным температурным коэффициентом на транзисторе 4 и резисторе, подключенную параллельно транзистору 6. Устройство содержит также повторитель тока транзистора 6, выполненный на транзисторах 1-3 и запитан- ный входным напр жением. Подача в базовую цепь транзистора 5 разности токов повторител  тока на транзисторах 1-3 и тока транзистора 4 позвол ет обеспечить фор- мирование термокомпенсированного выходного напр жени  с высоким коэффициентом стабилизации при входном напр жении , близком к уровню выходного напр жени . 1 ил. Ё

Description

Изобретение относитс  к электротехнике и может быть использовано во вторичных источниках электропитани  радиоэлектронной аппаратуры.

Цель изобретени  - повышение КПД путем снижени  минимально допустимого входного напр жени .

На чертеже представлена принципиальна  электрическа  схема устройства1.

Источник опорного напр жени  содержит первый 1, второй 2, третий 3, четвертый 4, п тый 5 и шстой 6 транзисторы, а также первый 7, второй 8 и третий 9 резисторы. Базы транзисторов 1 и 2 объединены, базы транзисторов 3 и 4 также объединены, коллектор транзистора 1 подключен к коллектору транзистора 3, коллектор транзистора 2 - к коллектору транзистора 4, эмиттер которого через резистор 7 соединен с общей шиной и эмиттерами транзисторов 3, 5 и 6, база транзистора б соединена с первым выводом резистора 8, резистор 9 первым выводом подключен к выходной шине 10 , а эмиттеры транзисторов 1 и 2 - к входной шине 11, коллектор транзистора 6 подключен к его базе и базе транзистора 3, база транзистора 5 соединена с коллектором транзистора 4, а его коллектор - с выходной шиной 10 и вторым выводом второго 8 резистора , второй выход третьего 9 резистора соединен с входной шиной 11 , а база транзи - стора 1-е его коллектором.

Выходное опорное напр жение, выдел ющеес  ;а выходной шине 10, определ етс  из выражени 

Uon (f-r r S4/S3)R8/R7 + иэвб, где температурный потенциал;

отношение площадей эмиттеров транзисторов 4 и 3;

иэБб - напр жение база-эмиттер транзистора 6.

При соблюдении равенства U оп - 1,205В , опорное напр жение термокомпен - сировано. Минимально допустимое напр жение , необходимое дл  работоспособности каскада задани  тока (элементы 1-4,7), определ етс  напр жени ми примерно двух р-п- переходов и составл ет 1,2 - 1,3 В. При достаточно высокоомной нагрузке падение напр жени  на резисторе 9 определ етс  токами , протекающими по цепи резистор 8 - транзистор 6 и по цепи транзистора 5. Поэтому разность между опорным и входным напр жени ми может быть очень незначительна и составл ть дес тки милливольт.

Устройство работает следующим образом .

Стабилизаци  осуществл етс  за счёт, существовани  отрицательной обратной св зи: выход источника - база транзисторов

3, 4 и 6 - коллектор транзистора 3 - коллектор транзистора 2 - коллектор транзистора , 5 (регулирующий), резистор 9 (балластный). При изменении (увеличении) входного

напр жени  увеличиваютс  выходное напр жение , ток через транзистор 6,напр жение на нем и на базах транзисторов 3 и 4, ток через транзисторы 3 и 4 (через транзистор 4 значительно меньше из-за наличи 

резистора 7), токи транзисторов 1 и 2. Поскольку изменение тока транзистора 4 мало, то весь ток приращени  транзистора 2 поступает в базу транзистора и увеличивает его выходной ток, В результате увеличиваетс  падение напр жени  на резисторе 9 и уменьшаетс  выходное напр жение до ранее установленной величины.

При изменении (увеличении) температуры уменьшаютс  напр жени  на базоэмиттерных переходах транзисторов 6, 3 и 4 и, как следствие, напр жение на выходе устройства .

Поскольку температурный коэффициент напр жени  транзистора 4 больше,

транзисторов 3 и 6, это приведет к приращению тока через транзистор 4 и уменьшению тока базы транзистора 5, уменьшению .падени  напр жени  на резисторе 9 и увеличению выходного напр жени  выше

установленной величины.

Далее в работу вступает цепь отрицательной обратной св зи. В результате ток транзистора 2 увеличиваетс  практически на столько, на сколько увеличиваетс  ток транзистора 4, а ток транзистора 5 принимаеттакое значение, при котором выходное напр жение

имеет первоначальное значение с точностью , определ емой коэффициентом усилени  цепи обратной св зи. Изменение

выходного напр жени , св занное с изменени ми температуры, компенсируютс  параметрическим образом, так как токи через транзисторы 3, 4 и 6 имеют положительный температурный дрейф, а напр жение база эмиттер транзистора б - отрицательный температурный дрейф.

Таким образом, посравнению с прототипом предлагаемый источник опорного напр жени  дл  получени  термокомпенсированного выходного напр жени  требует меньшее значение входного напр жени , что повышает КПД устройства .

Claims (1)

1. Формула изобретени  Источник опорного напр жени , содержащий шесть транзисторов, три резистора, причем база первого транзистора соединена с базой второго транзистора, базы третьего и четвертого транзисторов объединены, коллектор первого транзистора подключен

   к коллектору третьего, коллектор второго транзистора подключен к коллектору четвертого , эмиттер которого через первый резистор соединен с общей шиной и с эмиттерами третьего, п того и шестого транзисторов, база шестого транзистора соединена с первым выводом второго резистора , третий резистор первым выводом подключен к выходной шине, а эмиттеры первого и второго транзисторов - к входной шине, отличающийс  тем, что, с

   целью повышени  КПД путем снижени  минимально допустимого входного напр жени , коллектор шестого транзистора подключен к его базе и к базе третьего транзистора , база п того транзистора соединена с коллектором четвертого, а его коллектор - с выходной шиной и с вторым выводом второго регистра , второй вывод третьего резистора соединен с входной ши- ной, а база и коллектор первого транзистора объединены.