SU1401595A1 - Shottky-diode integrated logic valve - Google Patents

Shottky-diode integrated logic valve Download PDF

Info

Publication number
SU1401595A1
SU1401595A1 SU864072241A SU4072241A SU1401595A1 SU 1401595 A1 SU1401595 A1 SU 1401595A1 SU 864072241 A SU864072241 A SU 864072241A SU 4072241 A SU4072241 A SU 4072241A SU 1401595 A1 SU1401595 A1 SU 1401595A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
valve
base
collector
anode
Prior art date
Application number
SU864072241A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Олег Витальевич Коробейников
Дмитрий Александрович Кузьмичев
Григорий Иванович Фурсин
Original Assignee
Московский Физико-Технический Институт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Московский Физико-Технический Институт filed Critical Московский Физико-Технический Институт
Priority to SU864072241A priority Critical patent/SU1401595A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1401595A1 publication Critical patent/SU1401595A1/en

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к импхмьсной технике и может быть использовано в интегральных схемах. Цель изобретени  повышение быстродействи  вентил . Венти.1ь содержит переключающей п-р - п-транзис- тор (Т) 1, диод Гиоттки 4 и шунтирующий р - п - р Т 6. За счет подключени  ко,тлекто- ра (К) р-П -р-Т 6 к аподу диода Шоттки емкость К - земл  п-р- п-Т i умсн.ьникмс  на величину емкости К -- база р п р-Т С) и увеличиваетс  емкость анод- катод диода Шоттки 4. Схема вентил  нредусмач pniiaeT возможность оснаид.епи  р п - р-Т 6 дополнительными К и введени  доно.чнительных диодов Шоттки. 1 3. п. ф-лы. 3 пл.This invention relates to a specific technique and can be used in integrated circuits. The purpose of the invention is improving the speed of the valve. Venti.1b contains a switching pr-p - p-transistor (T) 1, a Giottky diode 4 and a shunt p - n - p T 6. By connecting a co-collector (K) p-P-p-T 6 to the Schottky diode apode capacitance K - ground p-p-p-T i amplified niqs on the value of capacitance K - base p pp-T C) and the capacity of the anode-cathode of the Schottky diode 4 increases. The circuit of the ventilator pniiaeT . Py p - p-T 6 additional K and the introduction of additional Schottky diodes. 1 3. Clause f-ly. 3 square

Description

фи. 1fi one

О1O1

;с елwith ate

И:и)Г)р1М И1н- 1гиоситс  -к импульсной гехиико, и чисгиосги к ло ическим вентил м, и бьгг ь исполь.чопано в интегральных схемах.I: i) D) p1M I1n-1giosits-to the pulsed hekhi-kyo, and to the chisy-and-more to the logic gates, and was used in integrated circuits.

изобрегеми.ч  вл етс  повыигение быстролейстпи  аеитил . isobregemii.ch is the elevation of fast-paced aeityl.

На фиг, I нриведена электрическа  схема предлагаемого вентил ; на фиг. 2 - то жр. с дополнительными вы.холами; на фиг. 3 - схема соединени  вентилей.Fig. I shows the electrical circuit of the proposed valve; in fig. 2 - then zhr. with extra vols; in fig. 3 is a diagram of the valve connection.

торого зависит .задержка вентил  ггри и. ре- ходе напр жени  на входе от О к 1, определ етс  током токозадаю1лего элемента f) (кан и в случае отсутстви  шунтирующего транзистора 6). Барьерное напр жение ба- за-змиттер нтунтирующего р -п-р-тран- зистора 6 выбираетс  меньше барьерного напр жени  база - коллектор переключающего п--р - п-транзистора 1, -благодар  чему ограничиваетс  насыщение п - р-п-транВентиль интегральной логики с диодами 0 зистора 1, что важно с точки зрени  полу- Шоттки (фиг. 1) содержит переключающий чени  малой задержки при переходе входного напр жени  от 1 к 0.This depends on the delay of the valve ggry and. The voltage across the input is from O to 1, determined by the current of the current element of element f) (kan and in the absence of a shunt transistor 6). The barrier voltage of the base-zmitter of the pn-transistor transistor 6 is chosen to be less than the barrier voltage base - collector of the switching n - p - n transistor 1, - thanks to which the saturation of the n - p-n-trans valve is limited integrated logic with diode 0 of resistor 1, which is important from the point of view of semi-schottky (fig. 1), contains a switching low delay when the input voltage goes from 1 to 0.

При переходе напр жени  на входе вентил  от уровн  i к О рассасываетс  зар дWhen the voltage at the inlet of the valve goes from level i to o, the charge is absorbed

ти транзистора б р-п-р-типа по сравнению с транзистором I п-р-п-типа, а также ввиду того, что болыь-а  часть рассасывающего тока поступает в базу п-р-п-транзистоП-- р -п-транзистор I, эмиттер которого подключен к тине 2 нулевого потенциала, а база  вл етс  входом 3 ве тил , диод Шотт- ки 4, катод которого подключен к коллекто- г в базах п-р-п-1 и р-п-р- 6 транзистору переключаюШого транзистора 1, а анод ров. При этом, в силу большей и ерционнос-  вл етс  вь(ходом 5 вентил , шунтирующий р--п--р-тра1|зистор 6, эмиттер и база которого подключе(ы соответственно к базе и коллектору переключающего транзистора 1,these transistors b pnp-type compared with the transistor I pnpn type, and also due to the fact that most of the absorbing current enters the base pnpn transistor - p - p transistor I, the emitter of which is connected to 2 of zero potential, and the base is input 3, Shottka diode 4, the cathode of which is connected to the collector in the bases p-p-1 and pp-p - 6 transistor switchable transistor 1, and the anode ditch. At the same time, by virtue of the greater and the actionability is v (stroke 5 of the valve, shunt p - n - p-trat1 | resistor 6, the emitter and the base of which are connected (s respectively to the base and collector of the switching transistor 1,

а коллектор подключен к аноду диода Шотт- 20 ра 1, после рассасывани  зар да в базе ки 4..п-Р-п-транзистора i в базе р-п-р-транВ вентиле (фиг. 2) шунтирующий тран- зистора 6 рассосетс  только часть зар да, зистор 6 снабжен дополнительными коллек- Соответственно, ток коллектора п--р-п- торами и введены дополнительные диоды транзистора 1 скачком уменьшитс  до нул  Шоттки 7 (на фиг. 1 один диод), катоды ко- 25 напр жение на выходе 5 вентил  начнет торых подключены к коллектору переклю- переходить от О к 1, а ток коллектораand the collector is connected to the anode of the Schott-20 diode 1, after the resorption of the charge in the base of the ki 4..pnp transistor i in the pnpntrV base of the gate (fig. 2) of the shunt transistor 6 Only a part of the charge is dissipated, the resistor 6 is supplied with additional collections. Accordingly, the collector current n - p-pors and the additional diodes of the transistor 1 are abruptly reduced to zero Schottky 7 (in Fig. 1 one diode), the cathodes are 25 ex. The output 5 of the valve will start to be connected to the collector - switch from O to 1, and the collector current

р-п-р-транзистора б продолжает течь (до тех пор, пока зар д в его базе не уменьшитс  до нул ). В известном вентиле ток колле.сгора р-п-р-транзистора б протекает 30 на, шнну 2 земли и не оказывает вли ни  на скорость перезар дки выходной емкости - венти п , тогда как. в предла1 а1емом техническом решении благодар  подк,.пючению коллектора р-п-р-тр нзистора б к йноду диочаюи его транзистора 1, а анод каждого из которых  вл етс  соответствующим допол- иительнь(м (;дом 8 вентил  и подключен к соответствующему коллектору щунтирую- цег } Tpasi: ,.4CTOpa 6.The pn transistor b continues to flow (until the charge at its base decreases to zero). In the well-known valve, the current of the collision of the pnp transistor b flows 30 n, the ground pin 2 does not affect the recharging rate of the output capacitance — the ven p, whereas. in the proposed technical solution, due to the scrub, the collector of the ppb of the transistor b to the diode input of its transistor 1, and the anode of each of which is corresponding to the additional (m (; house 8 valve and connected to the corresponding collector schuntiruyu- tseg} Tpasi:, .4CTOpa 6.

Токозй.,31ои1пе э ;е: ленты 9 могут быть гсыключены как к входам 3, так и к выходам 5 и В вентилей, что  вл етс  эквивалентным по техническим характеристикам (фиг. 3).Current., 311; e: tapes 9 can be connected both to inputs 3 and to outputs 5 and B of the valves, which is equivalent in technical characteristics (Fig. 3).

Предлйгне.мый вентиль интегральной логики с ДИОДЯм НPreferred gate of integrated logic with diode N

образом.in a way.

Г1сли на входе 3 вентил  уровень логического «О, nept ключаюиг.ий п--р-n-l и шун- тирук11лий р- П--р-б транзисторы закрыты.G1sli at the input of the 3th valve is the logical level “Oh, nept the key is the ig-n-p-n-l and the shuntyrkulyy r-n – rb transistors are closed.

да Шоттки 4 ток коллектора р--п -р-тран Поттки работает следующим зистора б совместно с током токозадающегоyes Schottky 4 collector current p - n - p-trans Pastki operates as follows by the resistor b in conjunction with the current-generating current

элемента 9 при переходе выходного напр жени  от О к перезар жает выходную емкость вентил . Таким образом, в предлагаемом вентиле ввиду инерционности тока колна выходе 6 вентил  установлен уровень ло- 40 лектора Ц(у тируюшего р-п--р-транзистора 6 удаетс  увеличить сумм- рный ток, перезар жающий во врем  переходных процессов выходную емкость вентил , и соответственно повысить быстродействие и увеличить крутизну фронтов.element 9 when the output voltage goes from O to recharges the output capacitance of the valve. Thus, in the proposed valve, due to the inertia of the current of the collar output 6, the valve has a level of 40 lecturer C (for a rotated pn-p-transistor 6 it is possible to increase the total current that recharges the output capacitance of the valve during transients, and accordingly increase the speed and increase the steepness of the fronts.

- Емкость анод-катод диода UJOTTLK 4 в поедлагаемом вентиле работает как ускор  о- ща : при переходе напр жени  на выходе вентил  от i к О .за счет rfpoTeKaHKH тока при закрытом дио.пе Шоттки 4 через ем- сд кость уменьшаетс  врем  перезар дки вы- , ходкой erxiK.ocTH вентил , увеличение указанной емхос -.и 1р вс.дит к повышению быстро- дейстБик. Поэтому, при подключении коллектора р- --р-транзистора 6 к аноду дис (fi ircscoH «. П.р  переходе напр жени  на г. лодс 3 вентил  из О в 1 ток токрзадающего э. емента 9 ;а}) жает входную емкость вентил  при достижении входным напр жением вентил  уровн  iiopoi a переключенна  п-Р--п-транзис1ора , транзистор 1 от крываетс . напр жение на ei o -коллекторе уменыиаетс  и только после уменьшени  на- Г|р  кени  на выходе 5 вентил  от уровн  логической «1 до уровн  логического «О открываетс  Kiyin ру1о;ций р- п - р-транзис- fop б, гк;;лс. чсгс) за счет протеканк  избы- Т()чг;ого входного тока в эмиттер р---п--р- гранзистсра ( умсиылаетс  ток базы- The capacitance of the anode-cathode UJOTTLK 4 in the output valve works as an acceleration: when the voltage at the output of the valve goes from i to O. due to the rfpoTeKaHKH current when the Schottky diode is closed through capacitance, the recharge time is reduced You can use the erxiK.ocTH valve, an increase in the indicated capacitance -.and 1p will increase the speed. Therefore, when the collector of the p-p transistor 6 is connected to the dis anode (fi ircscoH ". The voltage transfer voltage across the city of the LODs 3 valve from O to 1 is current of the current generating element 9; a}) the input capacitance the gate when the input voltage reaches the level of the valve iiopoi a switched pp - ptransistor, transistor 1 closes. the voltage on the ei o-collector decreases and only after decreasing on the output voltage of the 5th valve from the logic level "1 to the logic level" O opens Kiyin ruo; p-p-transis-fop b, rk; ; hp chsgs) due to the flow of excess T () pg; th input current into the emitter p --- n - p- granzister (the base current is multiplied

а -р--п-т ц а 11 зи р; ia-p - pt c a 11 z p; i

аким образом, несмотр  на м.1ыГ| ГОК базы п р п-транзисдй Шоттки 4 достигаетс  дополнительное потора i в статическом состо нии при уровне 5 вышекие быстродействи  предлагаемого вен- логичесм. й кЬ и;) в.од1 3,  еличнна токатил , поскольку при ом на зелич ину e i-п :-ре;и|1 ) /)(. маризитпые емкости вен-кости коллектор-база р-п-р-транзистог 1/ Я во врс.  Ш рехолиь х ii)o ieccoB, от ко-ра б уменьшаетс  емкость коллектор----земл In this way, despite m. 1G | The GOK of the base p p p-transisd of Schottky 4 achieves an additional flow i in a static state at level 5 higher speeds of the proposed veni- tological. th kb and;) i.od1 3, the tokatil is large, since when im on zelich ynu e ip: -re; and | 1) /) (. marisitic venous capacitance collector-base pnp-transistor 1 / I during the rotation of the recholi x ii) o ieccoB, from the cora b the reservoir capacity decreases ---- earth

торого зависит .задержка вентил  ггри и. ре- ходе напр жени  на входе от О к 1, определ етс  током токозадаю1лего элемента f) (кан и в случае отсутстви  шунтирующего транзистора 6). Барьерное напр жение ба- за-змиттер нтунтирующего р -п-р-тран- зистора 6 выбираетс  меньше барьерного напр жени  база - коллектор переключающего п--р - п-транзистора 1, -благодар  чему ограничиваетс  насыщение п - р-п-трантил  от уровн  i к О рассасываетс  зар дThis depends on the delay of the valve ggry and. The voltage across the input is from O to 1, determined by the current of the current element of element f) (kan and in the absence of a shunt transistor 6). The barrier voltage of the base-zmitter of the pn-p-transistor 6 is chosen to be less than the barrier voltage base - the collector of the switching n - p - n transistor 1, thanks to which the saturation of the n - p-translit is limited from level i to o dissolves the charge

в базах п-р-п-1 и р-п-р- 6 транзисто ров. При этом, в силу большей и ерционнос-  in the bases pp-1 and pp-p-6 transistors. At the same time, due to the larger and more efficient

ти транзистора б р-п-р-типа по сравнению с транзистором I п-р-п-типа, а также ввиду того, что болыь-а  часть рассасывающего тока поступает в базу п-р-п-транзисто в базах п-р-п-1 и р-п-р- 6 транзисто ров. При этом, в силу большей и ерционнос- these transistors b pnp-type compared with the transistor I pnpn type, and also due to the fact that most of the absorbing current enters the base pnpn transistor in the bases of p -n-1 and pp-6 transistors. At the same time, due to the larger and more efficient

ра 1, после рассасывани  зар да в базе п-Р-п-транзистора i в базе р-п-р-транn -p п-транзистора и увеличиваетс  см кость анод катод диода Шоттки 4. After the absorption of the charge in the base of the pnp transistor i in the base of the pnpnnpp transistor, the bone anode and the Schottky cathode 4 increase.

При объединении выходов различных вентилей реализуетс  функци  «монтажное И. Если вентиль имеет дополнительные выходы 8 (фиг. 2), то возможна реализаци  функции «монтажное И на каждом дополнительном выходе 8. .When the outputs of various gates are combined, the “mounting I” function is realized. If the valve has additional outputs 8 (FIG. 2), then the “mounting AND” function on each additional output 8 is possible.

Claims (2)

1. Вентиль интегральной логики с диодами Шоттки, содержащий переключающий п-р-п-транзистор, змиттер которого подключен к шине нулевого потенциала, база соединена с входом вентил , катод диода Шоттки подключен к коллектору переключающегос  п-р- п-транзистора, а анод соединен с выходом вентил , шунтируюпиг р -п -р-транзистор, эмиттер и база которшс подключены соответственно к базе и Ko. i1. The gate of integrated logic with Schottky diodes, containing a switching pnp transistor, the emitter of which is connected to the zero potential bus, the base is connected to the input of the valve, the Schottky cathode of the diode is connected to the collector of the switching npn transistor, and the anode connected to the output of the valve, shuntypig p - p - p transistor, the emitter and the base of which are connected respectively to the base and Ko. i лектору переключающегос  п рп-транзистора , отличающийс  тем, что, с целью но- вьцпеЕж  быстродействи , кov лeктop шунтирующего р--П--р-транзистора подключен к аноду анода Шоттки.The lecturer of a switching-over pn transistor, characterized in that, for the purpose of newer speed, to the lecture of a shunt p-n-p transistor is connected to the anode of the Schottky anode. 2. Вентиль по п. 1, отличающийс  тем, что Н1унтирую1ций транзистор снабжен дополнительными коллекторами и введены допол,- нительные диоды Шоттки, катоды которых подключены к коллектору переключающего п--р-п-транзистора, а анод каждого, из которых соединен с соответствующим дополнительным выходом вентил  и подключен к соответствующему дополнительному коллектору шунтирующего р-п--р-транзистора .2. Valve according to claim 1, characterized in that the transistor is equipped with additional collectors and additional capacitors are inserted, the nominal Schottky diodes, the cathodes of which are connected to the switching n collector, and the anode of each connected to the corresponding additional output of the valve and is connected to the corresponding additional collector shunt pn - p-transistor. puz-Zpuz-Z
SU864072241A 1986-05-28 1986-05-28 Shottky-diode integrated logic valve SU1401595A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864072241A SU1401595A1 (en) 1986-05-28 1986-05-28 Shottky-diode integrated logic valve

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864072241A SU1401595A1 (en) 1986-05-28 1986-05-28 Shottky-diode integrated logic valve

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1401595A1 true SU1401595A1 (en) 1988-06-07

Family

ID=21239460

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU864072241A SU1401595A1 (en) 1986-05-28 1986-05-28 Shottky-diode integrated logic valve

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1401595A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Электроника, 1978, т. 51, Л 12, с. 3. Мурога С. Системное проектирование сверхбольших интегральных схем. Кн. 1. - М.: Мир, 1985. с. 151, рис. 3, 5, 12.а. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3958136A (en) Level shifter circuit
JPS6347012B2 (en)
SU1401595A1 (en) Shottky-diode integrated logic valve
JPS582435B2 (en) Kioku Cairo
US4084110A (en) Semiconductor switch
US4698519A (en) Monolithically integratable high-efficiency control circuit for switching transistors
JPH0155778B2 (en)
US5066874A (en) Signal output circuit having bipolar transistor in output stage and arranged in cmos semiconductor integrated circuit
US20050156643A1 (en) High-speed, current-driven latch
SU1422379A1 (en) Pulse shaper
US4617478A (en) Emitter coupled logic having enhanced speed characteristic for turn-on and turn-off
US3437844A (en) Flip-flop circuit including coupling transistors and storage capacitors to reduce capacitor recovery time
US4675548A (en) Antisaturation circuit for TTL circuits having TTL input and output compatibility
SU720724A1 (en) Inverter
RU2073935C1 (en) Complementary bipolar nand gate
SU1257810A1 (en) Flip-flop
KR900001746B1 (en) High voltage and high power drive circuit by bicmos
JPS61294924A (en) Switching circuit
JP2586601B2 (en) Current mirror circuit
SU1051716A1 (en) Semiconductor switch
JPS5915331A (en) Logical gate circuit
SU513503A1 (en) Logical element
KR920004922B1 (en) Semiconductor integrated circuit device
SU1324105A1 (en) Ttl-gate
SU1550581A1 (en) Device for shaping record discharge current