SU1388946A1 - Блок возбуждени дл доменной пам ти - Google Patents

Блок возбуждени дл доменной пам ти Download PDF

Info

Publication number
SU1388946A1
SU1388946A1 SU864149085A SU4149085A SU1388946A1 SU 1388946 A1 SU1388946 A1 SU 1388946A1 SU 864149085 A SU864149085 A SU 864149085A SU 4149085 A SU4149085 A SU 4149085A SU 1388946 A1 SU1388946 A1 SU 1388946A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistors
transistor
field
elements
coil
Prior art date
Application number
SU864149085A
Other languages
English (en)
Inventor
Анатолий Геннадьевич Коростелев
Александр Яковлевич Лихачев
Александр Авксентьевич Волошин
Original Assignee
Симферопольский государственный университет им.М.В.Фрунзе
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Симферопольский государственный университет им.М.В.Фрунзе filed Critical Симферопольский государственный университет им.М.В.Фрунзе
Priority to SU864149085A priority Critical patent/SU1388946A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1388946A1 publication Critical patent/SU1388946A1/ru

Links

Landscapes

  • Networks Using Active Elements (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих, устройств на цилиндрических магнитных доменах. Целью изобретени   вл етс  повышение надежнос ти блока возбуждени . Блок возбуждени  содержит источники питани  1 и 2, источник ма1 нитного пол  управлени  в виде катуш-. ки и ндуктивности 3, два ключевых элемента на транзисторах 4 и 5, два демпфируюш ,их элемента на полевых транзисторах 6 и 7 с изолированными затворами разной проводимости, два накопительных элемента на конденсаторах 8 и 9 и два согласую.-. ш,их элемента на резисторах 10 и П. В блоке возбуждени  коллектор транзистора 4 соединен с положительным полюсом источника питани  I, эмиттер транзистора 4 - с коллектором транзистора 5 и первым выводом катушки 3 индуктивности, эмиттер транзистора 5 соединен с отрицательным полюсом источника 2 питани , положительный полюс которого соединен с отрицательным полюсом источника I питани  и вторым выводом катушки 3 индуктивности, два полевых транзистора 6 и 7 подключены стоками к первому выводу, а истоками - к второму выводу катушки 3 индуктивности, конденсаторы 8 и 9 включены между затвором и стоком, а резисторы - между затвором и истоком полевых транзисторов 6 и 7 соответственно. В исходном состо нии транзисторы 4, 5, 6, 7 заперты, ток в катушке индуктивности 3 отсутствует. 1 ил. а S (Л

Description

со
00 00
со
4 О5
Изобретение относитс  к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).
Целью изобретени   вл етс  повышение надежности блока возбуждени .
На чертеже изображена принципиальна  предлагаемого блока.
Блок возбуждени  содержит источники 1 и 2 питани , источник магнитного пол  уп- : равлени  в виде катушки 3 индуктивное- 10 I ти, два ключевых элемента на транзисторах 4 и 5, два демпфирующих элемента на полевых транзисторах б и 7 с изолированными затворами разной проводимости, два
где
UBX. изимкн
т - посто нна  времени дифференцирующей цепи;
tn - врем  переключени  транзисторов 4 и 5;
амплитуда напр жени  на входе дифференцирующей цепи; минимальное значение напр жени  на затворе полевого транзистора , при котором он находитс  в открытом состо нии. При выполнении этого услови  обеспечиваетс  шунтирование катушки 3 индуктив- ности транзисторами 6 и 7 на врем  переключени  транзисторов 4 и 5, т. е. устранение помех, возникающих в катушке иннакопительных элемента на конденсаторах 8 дуктивности в момент переключени  транзис- и 9 и два согласующих элемента на резисто- торов 4 и 5.
pax 10 и 11.В предлагаемом блоке возбуждени  исКоллектор транзистора 4 соединен с поло- пользованы катушка «X 3 интегральной жительным полюсом источника 1 питани , микросхемы К1602РЦЗ, транзисторы КТ805Б эмиттер транзистора 4 - с коллектором 4 и 5, полевой транзистор КП909А 6 и его I транзистора 5 и первым выводом катуш- jo экспериментальный аналог 7 другой прово- ни 3 индуктивности, эмиттер транзисто- димости, конденсаторы 8 и 9 емкостью I ра 5 - с отрицательным полюсом источ- 10 пФ и резисторы 10 и 11 сопротивле- Г ника 2 питани , положительный полюс кото- нием 10 кОм любого типа, рого соединен с отрицательным полюсом ис-Предлагаемый блок возбуждени  позвоточника 1 питани , и вторым выводом ка- л ет устранить помехи, возникающие в катушки 3 индуктивности. Два полевых тран- - т-ушке индуктивности в момент переключе- зистора 6 и 7 подключены стоками к пер- ни  транзисторов, что дает возможность ис- вому выводу, а истоками; - к второму выводу катушки 3 индуктивности. Конденсаторы 8 и 9 включены между затвором I и стоком, а резисторы 10 и 11 - между I затвором и истоком полевых транзисторов 6 I и 7 соответственно. В исходном состо нии транзисторы 4, 5, 6, и 7 заперты, ток в катушке 3 индуктивности отсутствует.
Блок возбуждени  дл  доменной пам ти,
Блок возбуждени  работает следующим 35 источники питани , источник образом.
Источники 1 и 2 питани  поочередно подключаютс  к катушке 3 индуктивности с помощью транзисторов 4 и 5, на базы которых с устройства управлени  поочередно подаютс  управл юаше сигналы в виде пр - 40 вого транзистора - с коллектором второго моугольных импульсов положительной по- транзистора и первым выводом катушки индуктивности , эмиттер второго транзистора соединен, с отрицательным полюсом второго источника питани , положительный аолюс которого соединен с отрицательным полюсом первого источника питани  и вторым выводом катушки индуктивности, отличаю- щийс  тем, что, с целью повышени  надежности блока возбуждени , он содержит два демпфирующих элемента в виде полецирую шие цепи , образованные конденсатора- 50 транзисторов с изолированными затво- ми 8 и 9 и резисторами 10 и 11, и пооче-Рами разной проводимости, два накопитель30
ключить вызываемые этими помехами сбои в работе запоминающего устройства и сохранить записанную в нем ранее информацию, т. е. повысить надежность блока возбуждени  дл  доменной пам ти.

Claims (1)

  1. Формула изобретени 
    магнитного пол  управлени  в виде катушки индуктивности и два ключевых элемента на транзисторах, коллектор первого транзистора соединен с положительным полюсом первого источника питани , эмиттер перл рности , сдвинутых по фазе друг относительно друга на 180°, з результате чего в катушке 3 индуктивности формируетс  двунаправленный ток треугольной формы.
    Положительные и отрицательные перепады импульсов, возник 1ющие в катушке 3 индуктивности в момент -переключени  транзисторов 4 и 5, поступают на затворы полевых транзисторов 6 и 7 через д ифферен45
    редно открывают полевые транзисторы б и 7. Посто нные времени дифференцируюш,их цепей в реальном устройстве выбираютс  из услови 
    t
    ных элемента на конденсаторах и два согласующих элемента на резисторах, причем стоки полевых транзисторов подключены к первому выводу, а истоки - к второму вы- 55 воду катушки индуктивности, конденсаторы включены между затвором и стоком, а резисторы - между затвором и истоком соответствующих полевых транзисторов.
    Цех 17 3U мин
    где
    UBX. изимкн
    tn -
    При вы тс  ш ти тра чени  ие пом
    л ет устранить помехи, возникающие в кат-ушке индуктивности в момент переключе- ни  транзисторов, что дает возможность ис-
    ключить вызываемые этими помехами сбои в работе запоминающего устройства и сохранить записанную в нем ранее информацию, т. е. повысить надежность блока возбуждени  дл  доменной пам ти.
    Формула изобретени 
    источники питани , источник
    вого транзистора - с коллектором второго транзистора и первым выводом катушки индуктивности , эмиттер второго транзистора соединен, с отрицательным полюсом второго источника питани , положительный аолюс которого соединен с отрицательным полюсом первого источника питани  и вторым выводом катушки индуктивности, отличаю- щийс  тем, что, с целью повышени  надежности блока возбуждени , он содержит два демпфирующих элемента в виде полемагнитного пол  управлени  в виде катушки индуктивности и два ключевых элемента на транзисторах, коллектор первого транзистора соединен с положительным полюсом первого источника питани , эмиттер транзисторов с изолированными затво- Рами разной проводимости, два накопительных элемента на конденсаторах и два согласующих элемента на резисторах, причем стоки полевых транзисторов подключены к первому выводу, а истоки - к второму вы- воду катушки индуктивности, конденсаторы включены между затвором и стоком, а резисторы - между затвором и истоком соответствующих полевых транзисторов.
SU864149085A 1986-11-17 1986-11-17 Блок возбуждени дл доменной пам ти SU1388946A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864149085A SU1388946A1 (ru) 1986-11-17 1986-11-17 Блок возбуждени дл доменной пам ти

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864149085A SU1388946A1 (ru) 1986-11-17 1986-11-17 Блок возбуждени дл доменной пам ти

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1388946A1 true SU1388946A1 (ru) 1988-04-15

Family

ID=21268254

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU864149085A SU1388946A1 (ru) 1986-11-17 1986-11-17 Блок возбуждени дл доменной пам ти

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1388946A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
За вка JP № 57-1069. кл. G И С 11/14, опублик. 1982. За вка JP № 56-22077, кл. G 11 С 11/14, опублик. 1981. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4802080A (en) Power transfer circuit including a sympathetic resonator
JP3850900B2 (ja) エレクトロルミネセンス・ランプ用電力供給回路
CA1318350C (en) Shunt regulator
EP1237264A2 (en) Low-noise switching power supply
US20060043389A1 (en) Digital signal transfer device
JPH054849B2 (ru)
US4533988A (en) On-chip CMOS bridge circuit
TW200301618A (en) Half sine wave resonant drive circuit
US4315307A (en) Switching device and switched-type power supply using the same
SU1388946A1 (ru) Блок возбуждени дл доменной пам ти
GB940669A (en) Improvements in or relating to free-running electric current converters
JPS584257Y2 (ja) 2線式アイソレ−タ
US3360732A (en) Gated circuit for producing oscillatory waveform across capacitor having twice the preselected gating frequency
KR920020845A (ko) 유도 전류 스위칭 시스템
JPS6049377B2 (ja) ドライブ回路
SU434572A1 (ru) т-ФАЗНЫЙ ГЕНЕРАТОР РЕГУЛИРУЕМОЙ ЧАСТОТЫ
JPH0230207B2 (ru)
JPH0422573Y2 (ru)
JPH0733457Y2 (ja) 電界効果トランジスタスイツチ
JPH0648971Y2 (ja) データ通信装置の発振回路
KR100202178B1 (ko) 스위치드 커패시터
US3938142A (en) Ultrasonic transmitter for the remote control of radio and television receivers
SU1583971A2 (ru) Устройство дл магнитной записи
SU1741253A1 (ru) Двухтактный ключевой усилитель мощности
RU2046362C1 (ru) Способ определения максимальной частоты срабатывания индуктивного датчика приближения