SU1359833A1 - Инжекционный лазер - Google Patents
Инжекционный лазер Download PDFInfo
- Publication number
- SU1359833A1 SU1359833A1 SU843787341A SU3787341A SU1359833A1 SU 1359833 A1 SU1359833 A1 SU 1359833A1 SU 843787341 A SU843787341 A SU 843787341A SU 3787341 A SU3787341 A SU 3787341A SU 1359833 A1 SU1359833 A1 SU 1359833A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- microns
- waveguide layer
- range
- groove
- order
- Prior art date
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к области устройств со стимулированным излучением , конкретно к полупроводниковым лазерам, и может быть использовано в интегрально-оптических устройствах. Целью изобретени вл етс обеспечение селекции мод излучени . В полупроводниковом лазере, включающем плоский резонатор и активную волноводную область, один из отражателей выполнен в виде по крайней мере одного прерывистого паза, отдельные элемен та которого имеют длину в пределах 0,5-10 мкм, а период чередовани равен 1-20 мкм: Изобретение обеспечивает одномодовую генерацию в пшроком диапазоне токов накачки. 1 ил (Л 00 ел СО оо со оо
Description
Изобретение относитс к устройст ву со стимулированным излучением, конкретно к полупроводниковым лазерам , и может быть использовано в ий- тегральнооптических устройствах.
Цель изобретени - обеспечение селекции мод излучени .
На Чертеже изображен предлагаемый лазер,
Лазер содержит волноводный 1 и активный 2 слои, отражательные элементы 3 прерывистого паза,
Волноводный Слой 1 лазера пересекаетс отражателем в виде прерывис- того паза,перпендикул рного направлению распространени лазерного излучени . Зеркальные стенки отдельных отражательных элементов 3 пересекают волноводный слой 1, Длина отражатель
ных элементов dj и период d их чередовани наход тс в пределах 0,5- jO мкм и 1-20 мкм соответственно,Глубина паза должна обеспечивать пересечение волноводного сло 1 и зависит от глубины залегани последнего.
Коэффициент прохождени через отражатель с элементами пазов с малой прозрачностью (при ширине паза более 2 мкм) определ етс отношением длин отражательного элемента паза d и интервала d.. между пазами К
dj d,,
и не
зависит от рассто ни между зеркальными стенками паза. Очевидно, что
при коэффициент прохождени увеличиваетс до 100%, а эффективный коэффициент отражени уменьшаетс до нул . Таким образом, достижение оптимальных дл конкретного интегрально-оптического устройства коэффициен тов отражени .и прохождени о существ л етс выбором соответствующего значени К, а технологически реализуетс при проведении фотолитографии через шаблон с соответствующим рисунком
В предлагаемом ижекгуюнном лазере можно использовать два и более прерывистых пазов, расположенных параллельно . При этом достигаетс улучшение селекции продольных мод излучени
Claims (1)
- Формула изобретениИнжекционный лазер преимущественно дл интегральнооптического устрой ства на многослойной гетероструктуре, включаюп(ий волноводный слой с отра-жательным элементом, вьшолненным в виде паза с зеркальными стенками, па- ресекающими волноводный слой гетеро- Структуры, отличающийс тем, что, с целью улучшени селекциимод излучени , отражатель вьтолнен в виде по крайней мере одного прерывистого паза, отдельные элементы которого имеют длину в пределах 0,5- 10 мкм, а период чередовани равен1-20 мкм, IРедактор НвСлобод никСоставитель Ю,МаслобоевТехред М.Дидык Корректор Л.ДнлипенкоЗаказ 6158/52Тираж 625, ПодписноеВНИИПй Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушска наб,, д, 4/5Производственно-полиграфическое предпри тие, г, Ужгород, ул. Проектна , 4
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU843787341A SU1359833A1 (ru) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | Инжекционный лазер |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU843787341A SU1359833A1 (ru) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | Инжекционный лазер |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1359833A1 true SU1359833A1 (ru) | 1987-12-15 |
Family
ID=21137242
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU843787341A SU1359833A1 (ru) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | Инжекционный лазер |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1359833A1 (ru) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999008352A1 (fr) * | 1997-08-08 | 1999-02-18 | Simakov, Vladimir Alexandrovich | Laser a injection |
WO2000010235A1 (fr) * | 1998-08-10 | 2000-02-24 | Vasily Ivanovich Shveikin | Laser a injection |
US6649938B1 (en) | 1998-03-12 | 2003-11-18 | D-Led Corporation | Semiconductor optical amplifier |
-
1984
- 1984-07-20 SU SU843787341A patent/SU1359833A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Goldrem L, et all, Etehed mirror and groovecorpled GalnAsP/InP laser devices for integrated optics о IEEE J, Quant. Electro 1982,v. QE-18, 18, p. 1679. Shames M. et all. Monolithic in- - tegration of GaAS-(GaAl)As light modulators and DBR lasers.Applo Phys Lett, 1978, V. 32, 5, p, 314. * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999008352A1 (fr) * | 1997-08-08 | 1999-02-18 | Simakov, Vladimir Alexandrovich | Laser a injection |
US6649938B1 (en) | 1998-03-12 | 2003-11-18 | D-Led Corporation | Semiconductor optical amplifier |
WO2000010235A1 (fr) * | 1998-08-10 | 2000-02-24 | Vasily Ivanovich Shveikin | Laser a injection |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3996492A (en) | Two-dimensional integrated injection laser array | |
US4658403A (en) | Optical element in semiconductor laser device having a diffraction grating and improved resonance characteristics | |
JPH0666509B2 (ja) | 分布帰還型半導体レ−ザ装置 | |
US4658402A (en) | Optical bistable semiconductor laser producing lasing light in direction normal to semiconductor layers | |
US3996528A (en) | Folded cavity injection laser | |
SU1359833A1 (ru) | Инжекционный лазер | |
KR950034939A (ko) | 반도체 레이저 및 이것을 사용한 광센싱장치 | |
US5396511A (en) | Semiconductor laser apparatus with curved waveguide | |
US4773077A (en) | Internal reflection interferometric semiconductor laser apparatus | |
US4751709A (en) | Semiconductor laser array device | |
US5684812A (en) | Laser mode control using external inverse cavity | |
EP0280459A1 (en) | A scanning apparatus | |
SU1329533A1 (ru) | Инжекционный лазер | |
US4805183A (en) | Distributed feedback semiconductor laser device | |
JPS6354235B2 (ru) | ||
US5070508A (en) | Semiconductor laser with adjustable light beam | |
JPS5911690A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
GB2168531A (en) | An interferometric semiconductor laser device | |
JPS6159554B2 (ru) | ||
JPH0690336B2 (ja) | 立体光回路 | |
JPS5992588A (ja) | 単一軸モ−ド半導体レ−ザ | |
JPS649679A (en) | Semiconductor laser of long resonator length | |
JPS63278290A (ja) | 半導体レ−ザおよびその使用方法 | |
JPS63263786A (ja) | 半導体レ−ザ | |
JPS6450588A (en) | Manufacture of optical path rise type semiconductor light-emitting element |