SU1359833A1 - Инжекционный лазер - Google Patents

Инжекционный лазер Download PDF

Info

Publication number
SU1359833A1
SU1359833A1 SU843787341A SU3787341A SU1359833A1 SU 1359833 A1 SU1359833 A1 SU 1359833A1 SU 843787341 A SU843787341 A SU 843787341A SU 3787341 A SU3787341 A SU 3787341A SU 1359833 A1 SU1359833 A1 SU 1359833A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
microns
waveguide layer
range
groove
order
Prior art date
Application number
SU843787341A
Other languages
English (en)
Inventor
Олег Михайлович Грудин
Михаил Николаевич Заргарьянц
Original Assignee
Предприятие П/Я А-3726
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я А-3726 filed Critical Предприятие П/Я А-3726
Priority to SU843787341A priority Critical patent/SU1359833A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1359833A1 publication Critical patent/SU1359833A1/ru

Links

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к области устройств со стимулированным излучением , конкретно к полупроводниковым лазерам, и может быть использовано в интегрально-оптических устройствах. Целью изобретени   вл етс  обеспечение селекции мод излучени . В полупроводниковом лазере, включающем плоский резонатор и активную волноводную область, один из отражателей выполнен в виде по крайней мере одного прерывистого паза, отдельные элемен та которого имеют длину в пределах 0,5-10 мкм, а период чередовани  равен 1-20 мкм: Изобретение обеспечивает одномодовую генерацию в пшроком диапазоне токов накачки. 1 ил (Л 00 ел СО оо со оо

Description

Изобретение относитс  к устройст ву со стимулированным излучением, конкретно к полупроводниковым лазерам , и может быть использовано в ий- тегральнооптических устройствах.
Цель изобретени  - обеспечение селекции мод излучени .
На Чертеже изображен предлагаемый лазер,
Лазер содержит волноводный 1 и активный 2 слои, отражательные элементы 3 прерывистого паза,
Волноводный Слой 1 лазера пересекаетс  отражателем в виде прерывис- того паза,перпендикул рного направлению распространени  лазерного излучени . Зеркальные стенки отдельных отражательных элементов 3 пересекают волноводный слой 1, Длина отражатель
ных элементов dj и период d их чередовани  наход тс  в пределах 0,5- jO мкм и 1-20 мкм соответственно,Глубина паза должна обеспечивать пересечение волноводного сло  1 и зависит от глубины залегани  последнего.
Коэффициент прохождени  через отражатель с элементами пазов с малой прозрачностью (при ширине паза более 2 мкм) определ етс  отношением длин отражательного элемента паза d и интервала d.. между пазами К
dj d,,
и не
зависит от рассто ни  между зеркальными стенками паза. Очевидно, что
при коэффициент прохождени  увеличиваетс  до 100%, а эффективный коэффициент отражени  уменьшаетс  до нул . Таким образом, достижение оптимальных дл  конкретного интегрально-оптического устройства коэффициен тов отражени  .и прохождени  о существ л етс  выбором соответствующего значени  К, а технологически реализуетс  при проведении фотолитографии через шаблон с соответствующим рисунком
В предлагаемом ижекгуюнном лазере можно использовать два и более прерывистых пазов, расположенных параллельно . При этом достигаетс  улучшение селекции продольных мод излучени 

Claims (1)

  1. Формула изобретени 
    Инжекционный лазер преимущественно дл  интегральнооптического устрой ства на многослойной гетероструктуре, включаюп(ий волноводный слой с отра-
    жательным элементом, вьшолненным в виде паза с зеркальными стенками, па- ресекающими волноводный слой гетеро- Структуры, отличающийс  тем, что, с целью улучшени  селекции
    мод излучени , отражатель вьтолнен в виде по крайней мере одного прерывистого паза, отдельные элементы которого имеют длину в пределах 0,5- 10 мкм, а период чередовани  равен
    1-20 мкм, I
    Редактор НвСлобод ник
    Составитель Ю,Маслобоев
    Техред М.Дидык Корректор Л.Днлипенко
    Заказ 6158/52Тираж 625, Подписное
    ВНИИПй Государственного комитета СССР
    по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушска  наб,, д, 4/5
    Производственно-полиграфическое предпри тие, г, Ужгород, ул. Проектна , 4
SU843787341A 1984-07-20 1984-07-20 Инжекционный лазер SU1359833A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU843787341A SU1359833A1 (ru) 1984-07-20 1984-07-20 Инжекционный лазер

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU843787341A SU1359833A1 (ru) 1984-07-20 1984-07-20 Инжекционный лазер

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1359833A1 true SU1359833A1 (ru) 1987-12-15

Family

ID=21137242

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU843787341A SU1359833A1 (ru) 1984-07-20 1984-07-20 Инжекционный лазер

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1359833A1 (ru)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999008352A1 (fr) * 1997-08-08 1999-02-18 Simakov, Vladimir Alexandrovich Laser a injection
WO2000010235A1 (fr) * 1998-08-10 2000-02-24 Vasily Ivanovich Shveikin Laser a injection
US6649938B1 (en) 1998-03-12 2003-11-18 D-Led Corporation Semiconductor optical amplifier

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Goldrem L, et all, Etehed mirror and groovecorpled GalnAsP/InP laser devices for integrated optics о IEEE J, Quant. Electro 1982,v. QE-18, 18, p. 1679. Shames M. et all. Monolithic in- - tegration of GaAS-(GaAl)As light modulators and DBR lasers.Applo Phys Lett, 1978, V. 32, 5, p, 314. *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999008352A1 (fr) * 1997-08-08 1999-02-18 Simakov, Vladimir Alexandrovich Laser a injection
US6649938B1 (en) 1998-03-12 2003-11-18 D-Led Corporation Semiconductor optical amplifier
WO2000010235A1 (fr) * 1998-08-10 2000-02-24 Vasily Ivanovich Shveikin Laser a injection

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3996492A (en) Two-dimensional integrated injection laser array
US4658403A (en) Optical element in semiconductor laser device having a diffraction grating and improved resonance characteristics
JPH0666509B2 (ja) 分布帰還型半導体レ−ザ装置
US4658402A (en) Optical bistable semiconductor laser producing lasing light in direction normal to semiconductor layers
US3996528A (en) Folded cavity injection laser
SU1359833A1 (ru) Инжекционный лазер
KR950034939A (ko) 반도체 레이저 및 이것을 사용한 광센싱장치
US5396511A (en) Semiconductor laser apparatus with curved waveguide
US4773077A (en) Internal reflection interferometric semiconductor laser apparatus
US4751709A (en) Semiconductor laser array device
US5684812A (en) Laser mode control using external inverse cavity
EP0280459A1 (en) A scanning apparatus
SU1329533A1 (ru) Инжекционный лазер
US4805183A (en) Distributed feedback semiconductor laser device
JPS6354235B2 (ru)
US5070508A (en) Semiconductor laser with adjustable light beam
JPS5911690A (ja) 半導体レ−ザ装置
GB2168531A (en) An interferometric semiconductor laser device
JPS6159554B2 (ru)
JPH0690336B2 (ja) 立体光回路
JPS5992588A (ja) 単一軸モ−ド半導体レ−ザ
JPS649679A (en) Semiconductor laser of long resonator length
JPS63278290A (ja) 半導体レ−ザおよびその使用方法
JPS63263786A (ja) 半導体レ−ザ
JPS6450588A (en) Manufacture of optical path rise type semiconductor light-emitting element