SU1356972A3 - Электрофотографический материал - Google Patents
Электрофотографический материал Download PDFInfo
- Publication number
- SU1356972A3 SU1356972A3 SU782657653A SU2657653A SU1356972A3 SU 1356972 A3 SU1356972 A3 SU 1356972A3 SU 782657653 A SU782657653 A SU 782657653A SU 2657653 A SU2657653 A SU 2657653A SU 1356972 A3 SU1356972 A3 SU 1356972A3
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- layer
- trigonal selenium
- treated
- dark
- photoconductor
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/087—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and being incorporated in an organic bonding material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к электрофотографическому материалу и может i быть использовано в ксерографии. Цель изобретени - улучшение качества материала . Электрофотографический материал с дополнительным слоем св зующего из электрически изолирующего органического вещества представл ет собой электропровод щую подложку с нанесенным на нее последовательно генерирующим слоем фотопроводника на основе тригонального селена, обработанного гидроокисью, карбонатом, ацетатом или селенитом вещества, выбранного из группы, включающей натрий, калий, литий, рубидий и цезий, при их содержании в слое фотопроводника, равном 0,01-12,0% от массы тригонального селена и диспергированного в органической смоле, и транспортирующим слоем на основе электрически изолирующего органического вещества. 1 з.п. ф-лы, 1 табл. О) со ел О5 N0 Ы
Description
Изобретение относитс к злектро- фотографическим материалам и может быть использовано в ксерографии.
Целью изобретени вл етс улучшение качества материала за счет снижени его темнового спада до и после циклического его использовани .
Электрофотографический материал с дополнительным слоем св зующего из электрически изолирующего органического вещества представл ет собой электропровод щую подложку с нанесенным на нее последовательно генерирующим слоем фотопроводника на основе тригонального селена, обработанного гидроокисью, карбонатом, ацетатом или селенитом вещества, выбранного из группы, включающей г. натрий, калий.
Пример 3. Получение обработанного тригонального селена, содержащего 0,01% Na от массы селена. р. Процесс- ведут, как в примере 1 , с той разницей, что используют 0,01 N раствор NaOH.
Пример 4. Получение обработанного тригонального селена, содер- 10 жащего 1,0% лити .
Процесс ведут, как в примере 1, с той разницей, что используют 4,8 N раствор гидрата окиси лити . Общее содержание селенита лити и карбона- 15 та лити 1,0 мас.%.
Пример 5, Получение обработанного тригонального селена, содер-. жащего 1,0% кали .
Процесс ведут, как в примере 1,
тритий, рубидий и цезий, при их содер- 20 ° используют 4,8 N раствор гидрата
окиси К.
Общее содержание селенита кали и карбоната капи составл ет ,0 мас,% при экви мол рном соотношении по отноше1 . Приготовление об- 25 нию к,, массе тригонального селена, раб.отанного тригонального селена, со- Пример 6, Получение обрабо- держащего 1,0% натри от массы селена, танного тригонального селена, содерТригональный селен тщательно про- жащего 1,0% рубиди .
мывают и затем заливают до объема Процесс ведут, как в примере 1, 4 л 0,6 N раствором гидроокиси натри д о используют 4,8 N раствор гидрата (NaOH). Можно использовать также окиси рубиди .
жании в слое фотопроводника 0,01- 12,0% от массы тригонального селена, И диспергированного в органической смоле.
Пример
0,6 N раствор карбоната натри (NajCO,,NaHCO,) , ацетат натри (CH,,COONa) и селенит натри (NajSeO
Данный раствор перемешивают в течение 30 мин, твердым частицам дают возможность осесть и оставл ют их в контакте с NaOH или ,, КаНСОз , CH,COONa, в течение 18 ч. Жидкую фазу декантируют, обработанный тригональный селен фильтруют через фильтровальную бумагу № 2, и затем сушат при 60 С в струе воздуха в течение 18 ч.
Среднее количество Na составл ет ,0% от общей массы тригонального селена.
Пример 2: Приготовление об- 50 .т при температуре окружающей среды . На нее при влажности менее 20% и температуре 30°С нанос т адгезионный слой, например, из 0,5%-ного раствора поливинилбутирал в этиловом - спирте толщиной сырого сло 0,00254 мм с последующей сушкой данного сло . Затем на него нанос т слой с толщиной сырого сло 0,0025 км, полученный из раствора следующим образом.
работанного тригонального селена, содержащего 12,0% Na от массы Se.
Процесс ведут, как в примере 1, с той раз 1ицей., что используют 4,8 N раствор NaOH.
Общее содержание селенита натри и карбоната натри составл ет 12 мас„% при эквимол рном соотношении по от- ношению к массе тригонального селена.
Пример 3. Получение обработанного тригонального селена, содержащего 0,01% Na от массы селена. Процесс- ведут, как в примере 1 , с той разницей, что используют 0,01 N раствор NaOH.
Пример 4. Получение обработанного тригонального селена, содер- жащего 1,0% лити .
Процесс ведут, как в примере 1, с той разницей, что используют 4,8 N раствор гидрата окиси лити . Общее содержание селенита лити и карбона- та лити 1,0 мас.%.
Пример 5, Получение обработанного тригонального селена, содер-. жащего 1,0% кали .
Процесс ведут, как в примере 1,
I
Общее содержание селенита рубиди и карбоната рубиди ,0 мас.% при эквимол рном соотношении по отношению к массе тригоналького селена.
Пример 7. Получение обрабо-- танного тригонального селена, содержащего 0,6 мас.% цези .
Процесс ведут, как в примере 1, но используют 4,8 N раствор гидрата окиси цези .
Пример 8. Приготовление электрофотографгтческого материала, содержащего 20 мас.% фотопроводника на. основе обработанного тригонального селена в электрически активной смоле.
Электропровод щую подложку, напри- кер алюминиевуюз толщиной 0,0254 мм промывают метиленхлоридом () и
ды. На нее при влажности менее 20% и температуре 30°С нанос т адгезионный слой, например, из 0,5%-ного раствора поливинилбутирал в этиловом спирте толщиной сырого сло 0,00254 мм с последующей сушкой данного сло . Затем на него нанос т слой с толщиной сырого сло 0,0025 км, полученный из раствора следующим образом.
3
В емкость помещают 0,8 г очищен- ного поли-М-винилкарбазола (ПВК), 14 мл смеси тетрагидрофурана (ТГФ) и толуола при их сойтношении 1:1, 100 г нержавеющей стальной дроби и 0,8 г обработанного тригонального селена. Полученную при этбм смесь обрабатывают в шаровой мельнице в течение 12 ч.
Получают электрофотографический материал, содержащий электропроводную подложку с нанесенным на нее слем фотопроводника, вз того в количестве 20% на основе тригонального
селена, обработанного либо гидроокисью , либо карбонатом, либо ацетатом , либо селенитом натри , вз того в количестве 1% от массы тригонаного селена.
Пример 9. Получают электро фотографическии материал с содержанием фотопроводника в количестве 25 мас.%. Материал готов т, как в примере 7, с той разницей, что на подложку нанос т слой 1%-ного, например , полиэфирного блок-сополимера в хлороформе с толщиной сухого сло 0,0025 мм. Данный слой затем покрывают вторым слоем 1%-ного ПВК в бензоле с толщиной сухого сло 0,0025 м На него нанос т слой, приготовленны из раствора, содержащего 0,328 г ПВК, 0,0109 г ТГФ, 14 мл бензола, 100 г нержавеющей стальной дроби и 0,44 г обработанного тригонального селена, полученного по примеру 1.
Пример 10. Электрофотографический материал с дополнительным слоем св зующего.
В электрофотографическом материале , полученном по примеру -7, слой с 20 мас.% фотополупроводника на основе тригонального селена, обработанного либо ,, либо NaHCO,, либо CHjCOONa, либо ,, вз тых в количестве 1% от массы тригонального селена, вл етс генерирующим носителем зар дов слоем. На данный генерирующий слой нанос т перенос щий зар ды слой, приготовленный следующим образом.
50% поликарбоновой смолы с мол. массой 50000-100000 смещивают с 50% . Г N -дифенил-N, К -бис(З-метилфенил)- -(1,1 -бифенш1)-4,4 -диамина, затем смешивают с 15% метиленхлорида и смесь нанос т поверх генерирующего сло толщиной 25 мкм с влажностью
0
25
0
5
п
35
0
не более 15%. Затем полученный материал прокаливают при 70°С в течение 18 ч в вакууме. Далее элемент зар жают до максимального потенциала 1260 В, первоначально измер ют потенциал через 0,06 с после зар дки, че- рез 0,22 с элемент зар жаетс до потенциала 1200 В, что соответствует восстановленному темновому спаду 60 В. Через 0,66 с элемент разр жаетс до потенциала 1190 В, т.е. темно- вой спад равен 70 В. Усталостньш тем- новой спад характеризуетс следующими величинами: максимальньт начальный потенциал, измеренный через 0,06 с после зар дки, 1300 В через 0,22 с в темноте разр жаетс до 1210 В, т.е. темновой спад составл ет до 90 В. Через 0,66 с элемент разр жаетс до 1190 В, темновой спад 110 В.
Пример 11. Приготовление сло , содержащего 30% обработанного тригонального селена по примеру 1, диспергированного в св зующем.
Слой готов т следующим образом.
В чистую стекл нную посуду помещают нержавеющую стальную дробь, 7,5 г полиэфира, 11,5 г обработанного селена и 21 мл хлороформа. По- . суду помещают сначала в вибратор на .1 ч, а затем содержимое помещают в вакуумный эксикатор дл удалени пузырьков воздуха. Полученную суспензию затем нанос т на алюминиев то подложку.
Электрические свойства пластины провер ли путем ее зар дки электрическим полем напр женностью 20 В/мкм и разр дки ее под действием света с А 5800 °
840
А при освещенности фотон/см с. Пластина доста5
0
g
точно хорошо разр жаетс и может быть использована дл формировани видимого изображени . Элемент зар жаетс положительной короной. Он имеет низкую скорость темнового спада по сравнению с необработанным триго- нальным селеном и имеет по сравнению с ним более стабильную фоторазр дку. Пример 12. Получение электрофотографического материала, содержащего обработанный селенитом лити и карбонатом лити тригональный селен, диспергированный в электрически активном смолистом св зующем.
Алюминиевую подложку толщиной 0,127 мм промывают хлористым метиленом и в боксе при 30 С и влажности
20 % на нее нанос т слой адгезива, например, из 0,5%-ного раствора поли- винилбутирал в этаноле толщиной 0,0127 мм с последующей сушкой сначала в течение 1 мин, а затем в течение 10 мин в сушильном шкафу при
юо с.
Генераторный слой, содержащий 20 о6.% обработанного тригонального селена, получают следующим образом.
В емкость из нтарного стекла ввод т 0,8 г очищенного ПВК и 14 мл смеси ТГФ и толуола (1:1), добавл ют 100 г дроби из нержавеющей стали и 0,8 г обработанного тригонального селена . Полученную смесь помещают в шаровую мельницу на 72 ч. Затем раствор нанос т на полученньш ранее промежуточный слой с толщиной сло во влажном состо нии 0,0127 мм и полученный материал прокаливают в вакууме при 100 С в течение 17 ч. Толщина покрыти в сухом состо нии 2 МКМо
Пример 13. Получение электрофотографического материала с дополнительным слоем св зующегоS выполн ющего функцию транспортного сло , при этом слой, включающий обработанный
спад потенциала составл ет 140 В, так как поверхностный потенциал снижаетс до 1000 В. Спуст 0,66 с
поверхностный потенциал составл ет 880 В, что свидетельствует о том, что темновой спад составл ет 260 В.
Пример 14. Получение электрофотографического Мс1териала, содер10 жащего обработанный селенитом кали к карбонатом кали тригональный селен , диспергированный в электрически активном полимерном св зующем
15
20
Материал готов т, как в примере 11, с той разницей, что используют тригональный селен, обработанный по примеру 4.
Пример 15. Получение электрофотографического материала с дополнительным слоем св зующего.
Материал готов тj как в примере 12.
Материал зар жают до максимально- 2g го потенп.иала 1400 В„ Спуст 0,22 с, в течение которых материал остаетс в темноте, его усталостный темновой спад потенциала составл ет 80 В, т.е. поверхностный потенциал падает
ный потенциал составл ет 1240 В, что соответствует темновому спаду 160 В.
тригональный селен, выполн ет функцию QР-° 320 В. Спуст 0,66 с поверхност- генераторного сло .
Получение данного материала производ т по примеру 11. Пример 16. Получение электДалее на генераторный слои нанос т , ,
i- i-рофотографического материала, содер35жащего обработанньй селенитом рубиди и карбонатом рубиди тригонапьПокрытие в виде транспортного сло следующим образом. 50 мас.% поликарбонатной смолы с мол,массой 50000- 100000 смешивают с 50 мас.% N, N -ди- фенил-М,К -бис-(3-метилфенил)-(1,1 - бифенил)-4,4 -диамина и 15 мае .% метиленхлорида и смесь нанос т в виде покрыти толщиной 25 мкм (в сухом виде) поверх генераторного сло при влажности ,15% или менее. Затем раствор сушат при 70 С в вакууме в течение 18ч,
Усталостный темновой спад данного материала, содержащего тригональный селен с селенитом лити и карбонатом лити , определ ют следующим образом. Материал оставл ют в .темноте в течение 15 ч перед зар дкой, после чего его подвергают одному циклу сн ти зар да. Затем элемент зар жают до максимального потенциала 1140 В, измер емого первоначально спуст 0,06 с после зар дки; спуст 0,22 с, в течение которых материал остаетс в , темноте, его усталостньш темновой
ньм селен, диспергированный в электрически активном полимерном св зующем .
40
MaтepиaJJ готов т, как в примере 11,, с той разницей, что используют тригональный селен, обработанный по примеру 5.
Пример 17. Получение элект- 45 рофотографического материала с дополнительным слоем св зз ощего.
Материал готов т, как в примере 12.
Элемент зар жают до максимально- . го потенциала 1500 В и измер ют потенциал сначала через 0,06 с после зар дки; через 0,22 с, в течение которых материал остаетс в темноте, его усталостный темновой спад потенциала падает до 1440 В. Спуст 0,66 с поверхностный потенциал падает до 1360 В, что свидетехйз- ствует о том, что.темновой спад равен 140 В.
50
56
спад потенциала составл ет 140 В, так как поверхностный потенциал снижаетс до 1000 В. Спуст 0,66 с
поверхностный потенциал составл ет 880 В, что свидетельствует о том, что темновой спад составл ет 260 В.
Пример 14. Получение электрофотографического Мс1териала, содержащего обработанный селенитом кали к карбонатом кали тригональный селен , диспергированный в электрически активном полимерном св зующем
Материал готов т, как в примере 11, с той разницей, что используют тригональный селен, обработанный по примеру 4.
Пример 15. Получение электрофотографического материала с дополнительным слоем св зующего.
Материал готов тj как в примере 12.
Материал зар жают до максимально- го потенп.иала 1400 В„ Спуст 0,22 с, в течение которых материал остаетс в темноте, его усталостный темновой спад потенциала составл ет 80 В, т.е. поверхностный потенциал падает
ный потенциал составл ет 1240 В, что соответствует темновому спаду 160 В.
Р-° 320 В. Спуст 0,66 с поверхност-
ньм селен, диспергированный в электрически активном полимерном св зующем .
40
MaтepиaJJ готов т, как в примере 11,, с той разницей, что используют тригональный селен, обработанный по примеру 5.
Пример 17. Получение элект 45 рофотографического материала с дополнительным слоем св зз ощего.
Материал готов т, как в примере 12.
Элемент зар жают до максимально- го потенциала 1500 В и измер ют потенциал сначала через 0,06 с после зар дки; через 0,22 с, в течение которых материал остаетс в темноте, его усталостный темновой спад потенциала падает до 1440 В. Спуст 0,66 с поверхностный потенциал падает до 1360 В, что свидетехй ствует о том, что.темновой спад равен 140 В.
50
56
Приме р 18. Получение электрофотографического материала, содержащего обработанный селенитом цези и карбонатом цези тригональный се- лен, диспергированный в электрически активном св зующем.
Материал готов т, как 6 примере 11, но используют тригональньй селен , обработанный по примеру 6.
Пример 19. Похгучение электрофотографического материала с дополнительным слоем св зующего.
Материал готов т, как в примере 12
Материал оставл ют перед зар дкой на 15 ч в темноте, после чего его подвергают одному циклу сн ти зар да . Затем материал зар жают до максимального потенциала 1540 В, измер емого первоначально спуст 0,06 с пос- ле зар дки; через 0,22 с, в течение которых материал остаетс в темноте, его усталостньш темновой спад потенциала составл ет ВО В, так как его поверхностный потенциал падает до 1460 В, Спуст 0,66 с его поверхностный потенциал падает до 1400 В, т.е. темновой спад равен 140 В.
В таблице приведены показатели электрофотографического материала с
Предлагаемьй материал
1100 920 77016,0
Известный материал
1140 1000 88012,0
1400 1320 1240:6,0
1540 1460 1400. 4,1
1500 1440 13605,5
1090 980 9107,0
ание: Толщина 25 мкм;
плотность зар да 1,2-103 Кл/м
ВНИИДИ ; Заказ .5819/39 . Тираж 421
Произв.-полигр. пр-тие, г. Ужгород, ул. Проектна , 4
использованием обработанного триго- нального селена.
Claims (2)
1.Электрофотографический материал , состо щий из электропровод щей подложки и нанесенного на нее сло фотопроводника на основе тригонально- го селена, диспергированного в органической смоле, отличающий- с тем, что, с целью улучшени качества материала за счет снижени темнового спада материала.до и после циклического его использовани , в качестве фотопроводника он содержит тригональный селен, обработанный гидроокисью , карбонатом, ацетатом или селенитом вещества , выбранного из группы, включающей натрий, калий, литий , рубидий и цезий, при их содержании в слое фотопроводника, равном 0,6-12,0% от массы тригонального селена .
2.Материал поп.1, отличающийс тем, что он дополнительно содержит слой св зующего из электрически изолирующей органической смолы, нанесенной на слой фотопроводника.
Подписное
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US83313077A | 1977-09-14 | 1977-09-14 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1356972A3 true SU1356972A3 (ru) | 1987-11-30 |
Family
ID=25263513
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU782657653A SU1356972A3 (ru) | 1977-09-14 | 1978-09-05 | Электрофотографический материал |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5454038A (ru) |
BE (1) | BE870340A (ru) |
BR (1) | BR7805962A (ru) |
CA (1) | CA1121203A (ru) |
DE (1) | DE2830673A1 (ru) |
FR (1) | FR2403586A1 (ru) |
GB (1) | GB1603468A (ru) |
NL (1) | NL189627C (ru) |
SU (1) | SU1356972A3 (ru) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57100444A (en) * | 1980-12-16 | 1982-06-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photoconductor and its manufacture |
CA1231971A (en) * | 1983-10-14 | 1988-01-26 | Trevor I. Martin | Process for preparing aryl amines |
US4543314A (en) * | 1983-12-01 | 1985-09-24 | Xerox Corporation | Process for preparing electrostatographic photosensitive device comprising sodium additives and trigonal selenium particles |
KR920013340A (ko) * | 1990-12-08 | 1992-07-28 | 강진구 | 테이프레코더의 릴디스크 제동장치 |
JPH05216260A (ja) * | 1992-02-05 | 1993-08-27 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体 |
JP5024567B2 (ja) * | 2008-03-29 | 2012-09-12 | 三菱マテリアル株式会社 | 結晶質セレン粉末とその製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3685989A (en) * | 1970-12-18 | 1972-08-22 | Xerox Corp | Ambipolar photoreceptor and method of imaging |
US3961953A (en) * | 1974-05-28 | 1976-06-08 | Xerox Corporation | Method of fabricating composite trigonal selenium photoreceptor |
US3954464A (en) * | 1974-05-28 | 1976-05-04 | Xerox Corporation | Method of fabricating a composite trigonal selenium photoreceptor |
US3911091A (en) * | 1974-06-21 | 1975-10-07 | Xerox Corp | Milling trigonal selenium particles to improve xerographic performance |
US3928036A (en) * | 1974-10-29 | 1975-12-23 | Xerox Corp | Flexible xerographic photoreceptor element |
US3981728A (en) * | 1974-10-29 | 1976-09-21 | Xerox Corporation | Xerographic imaging member having hexagonal selenium in inter-locking continuous paths |
US4050935A (en) * | 1976-04-02 | 1977-09-27 | Xerox Corporation | Trigonal Se layer overcoated by bis(4-diethylamino-2-methylphenyl)phenylmethane containing polycarbonate |
-
1978
- 1978-05-30 GB GB2393978A patent/GB1603468A/en not_active Expired
- 1978-06-26 CA CA000306238A patent/CA1121203A/en not_active Expired
- 1978-07-12 DE DE19782830673 patent/DE2830673A1/de active Granted
- 1978-09-05 SU SU782657653A patent/SU1356972A3/ru active
- 1978-09-06 FR FR7825665A patent/FR2403586A1/fr active Granted
- 1978-09-08 BE BE190368A patent/BE870340A/xx not_active IP Right Cessation
- 1978-09-12 JP JP11215678A patent/JPS5454038A/ja active Granted
- 1978-09-13 BR BR7805962A patent/BR7805962A/pt unknown
- 1978-09-13 NL NL7809329A patent/NL189627C/xx not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Патент СССР № 663331, кл. С 03 G 5/04, 1975. * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA1121203A (en) | 1982-04-06 |
DE2830673C2 (ru) | 1987-10-08 |
NL189627B (nl) | 1993-01-04 |
BR7805962A (pt) | 1979-04-24 |
JPS6356535B2 (ru) | 1988-11-08 |
FR2403586A1 (fr) | 1979-04-13 |
JPS5454038A (en) | 1979-04-27 |
DE2830673A1 (de) | 1979-03-22 |
FR2403586B1 (ru) | 1984-06-15 |
NL7809329A (nl) | 1979-03-16 |
NL189627C (nl) | 1993-06-01 |
GB1603468A (en) | 1981-11-25 |
BE870340A (fr) | 1979-01-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Faraday | X. The Bakerian Lecture.—Experimental relations of gold (and other metals) to light | |
SU1356972A3 (ru) | Электрофотографический материал | |
ATE39579T1 (de) | Multiaktive photoleitfaehige isolierende elemente mit sehr hoher elektrophotographischer lichtempfindlichkeit und panchromatischer empfindlichkeit und verfahren zu ihrer herstellung. | |
EP0056727A1 (en) | Infrared sensitive photoconductive element | |
US2985757A (en) | Photosensitive capacitor device and method of producing the same | |
US2937944A (en) | Xerographic light-sensitive member and process therefor | |
DE3010385C2 (ru) | ||
US3008825A (en) | Xerographic light-sensitive member and process therefor | |
JPH0255772B2 (ru) | ||
JPH0115865B2 (ru) | ||
US3898083A (en) | High sensitivity visible infrared photoconductor | |
US4543314A (en) | Process for preparing electrostatographic photosensitive device comprising sodium additives and trigonal selenium particles | |
US4639402A (en) | Photoreceptor containing selenium particles coated with a reaction product of a hydrolyzed silane | |
US3966470A (en) | Photo-conductive coating containing Ge, S, and Pb or Sn | |
US3543025A (en) | Electroradiographic x-ray sensitive element containing tetragonal lead monoxide | |
US3577272A (en) | Method of making x-ray sensitive electroradiographic elements | |
DE2123829C3 (de) | Photoleitfähiges Gemisch mit einer Photoleiter-Bindemittel-Mischung, die einen Schwefel enthaltenden Photoleiter enthält | |
DE2513191A1 (de) | Photoleitfaehige masse und ihre verwendung | |
JPS5662164A (en) | Liquid drop charger | |
CA1125495A (en) | Cadmium sulfide/cadmium carbonate/cadmium oxide photoconductor | |
Faraday | THILOSOTHIC/IL TRANSACTIONS | |
EP0473800B1 (en) | Laminated organic photosensitive material | |
JPS63178249A (ja) | 電子写真感光体 | |
SU996981A1 (ru) | Электрофотографический материал | |
DE2364763C3 (de) | 28.12.72 Japan 1945-73 4-Dlcyanomethylen-4H-inden eckige Klammer auf 1,2-b eckige Klammer zu thiophene, Verfahren zu Ihrer Herstellung und diese enthaltendes elektrophotographisches, lichtempfindliches Material |