Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by В.Н. ГлущенкоfiledCriticalВ.Н. Глущенко
Priority to SU4056291/25ApriorityCriticalpatent/SU1347794A1/ru
Application grantedgrantedCritical
Publication of SU1347794A1publicationCriticalpatent/SU1347794A1/ru
Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии получения полупроводниковых структур с высокой равномерностью степени легирования диффузионных слоев. Целью изобретения является достижение стабильности источника диффузионного легирования бором в широком диапазоне температур. На пластины нитрида бора наносят слой двуокиси кремния толщиной 0,5 - 1,5 мкм и проводят термическую обработку в окисляющей среде до полного перехода слоя двуокиси кремния в каплевидные формы борсиликатного стекла при 1000 - 1200С. Образование большого количества капель борсиликатного стекла обеспечивает достижение стабильности источника диффузионного легирования как по времени его использования без реактивации до 250 ч, так и по широкому интервалу температур от 900 до 1150С. 1 з. п. ф-лы.
SU4056291/25A1986-01-021986-01-02Способ изготовления источника диффузионного легирования
SU1347794A1
(ru)