SU1308165A1 - Способ получени плазмы - Google Patents
Способ получени плазмы Download PDFInfo
- Publication number
- SU1308165A1 SU1308165A1 SU843748834A SU3748834A SU1308165A1 SU 1308165 A1 SU1308165 A1 SU 1308165A1 SU 843748834 A SU843748834 A SU 843748834A SU 3748834 A SU3748834 A SU 3748834A SU 1308165 A1 SU1308165 A1 SU 1308165A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- discharge
- dielectric
- gas
- chamber
- pressure
- Prior art date
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к технике получени и управлени плазмой и может быть использовано в импульсных лазерах. Целью изобретени вл етс обеспечение разр да при пониженном давлении газа в разр дной камере. При реализации изобретени в разр дной диэлектрической камере на ее поверхности создают вакуумно-поверхно- стньй разр д путем воздействи на диэлектрик при давлении в камере 10 - 10 Па импульсным электрическим полем , напр женность которого выше критической дл возникновени вакуумноИзобретение относитс к технике получени и управлени плазмой. Целью изобретени вл етс создание разр да-при пониженном давлении. На фиг. 1 и 2 показано устройство дл получени плазмы предложенным способом, варианты. Устройство содержит источник питани 1, коммутатор 2, блок управлени поверхностного разр да и ниже пробивного напр жени в газе дл данного давлени . Через врем задержки, не превышающее времени саморазр да 10 с, воздействуют на среду в разр дной камере импульсным магнитным полем. Силовые линии пол параллельны поверхности , стенок камеры, амплитуда не ниже 100 Э, а скорость изменени более 5000 Э/с. Измен траектории элек- тронов, выход щих с поверхности диэлектрика в точках концентрации отрицательного потенциала и падающих на поверхность в точках концентрации положительного потенциала, магнитное поле обеспечивает перемещение точек падени электронов по большой площади поверхности диэлектрика со значительной скоростью. Газоотделение, возникающее при этом, повьшгает давление среды выше значений, необходимых дл пробо газа при напр женност х пол , соответствующих напр женности вакуумно-поверхностного разр да, что и вызывает возникновение разр да в газе разр дной камеры. Способ обеспечивает Создание плазмы с регулируемой задержкой относительно момента включени магнитного пол . 2 ил. I (Л со о СХ) CD ел 3, коммутатор 4, одинаковый соленоид 5,диэлектрическую вакуумную камеру 6,устройство 7 стабилизации начального давлени газа, источник 8 переменного магнитного пол 8 и многозле- ментньй электрод 9 с рассто нием между элементами 1. Способ осуществл етс следующим образом.
Description
На границе диэлектрик-газ создаетс электрическое поле с вектором напр женности Е вдоль границы, удов|t
летвор ющим соотношению Е Е . Поскольку напр женность пол Е выбрана меньшей критической дл пробо газа Е,р, но большей критической напр женности пол Е дл возникновени вакуумно-поверхностного разр да, пробо газа не происходит, а возникает слабьй вакуумно-поверхностный разр д (ВПР) вдоль границы диэлектрик-газ .
После отключени внешнего электрического пол на поверхности диэлектрика остаютс накопленные в результате ВПР зар ды, которые создают вблизи границы диэлектрнк-газ электричес- кое поле.
Характерное врем саморазр да этого пол превышает 10 с.
При выбранных- параметрах среды (давление 10 -10 Торр), движение электронов в пространстве над диэлектриком осуществл етс без столкновений с молекулами остаточного газа и не переходит в газовьш разр д. Точки старта с поверхности электронов саморазр да обычно определ ютс нарушени ми структуры поверхности диэлектрика , которые остаютс неподвижными в процессе саморазр да, в то врем как участки поглощени электронов постепенно перемещаютс по поверхности диэлектрика по мере уменьшени электрического пол зар дов, производ гаэоотделение с нее. Однако оно незнчительно и изменени состо ни газовой среды у поверхности не происходи
По вление -магнитного пол увели- чив ает скорость изменени траектории движени электронов. Выбранные скороти изменени величины магнитного пол и его амплитуды обеспечивают охват всей поверхности диэлектрика за врем нарастани пол до его максимальной величины.
При интенсивном газоотделении с участков поверхности диэлектрика, на которую электронньй поток переноситс магнитным полем, образуетс газовый слой, давление в котором превышает н чальное давление газа. При этом умен шаетс электрическа прочность поверхности диэлектрика и среды у границы диэлектрик-газ по отношению к пробою газа и образованию плазмы, В результате- возникает пробой газа в
0
5
0
5
0
5
0
5
электрическом поле диэлектрика и создаетс плазма.
Способ обеспечивает создание плазмы с регулируемой задержкой относительно момента включени электрического пол , а также после отключени внешнего электрического пол .
Устройство работает следующим образом .
По сигналу с первого- выхода блока управлени 3 напр жение источника питани 1 через коммутатор 4 поступает на электроды одновиткового соленоида 5, создающего на внутренней поверхности диэлектрической вакуумной камеры 6 импульсное электрическое поле. Выбором величины напр жени источника питани 1 устанавливают напр женность электрического пол Е на поверхности диэлектрика в пределах , где ЕкрИ Е - соответственно критические дл пробо газа и возникновени вакуумно-поверхностного разр да напр женности пол .
Сигналом с второго выхода блока управлени 3, задержанным на необходимое врем , запускаетс второй коммутатор 2, подающий напр жение питани с второго выхода источника питани 1 на источник 8 переменного магнитного пол . Выбором величины напр жени с второго выхода источника 1 и параметров источника 8 магнитного пол устанавливают скорость роста магнитного пол более 5000 Э/с при максимальной амплитуде пол не менее 100 Э.
Магнитное поле отклон ет электроны от ранее существовавшей траектории и направл ет их на новые участки поверхности диэлектрика. Под действием электронов возникает интенсивное газоотделение с указанных участков диэлектрика , вблизи участков возникает газовый слой, давление в котором превышает начальное давление г аза, и создаютс услови , благопри тные дл пробо газа.
Claims (1)
- Формула из о.б р е т е н иСпособ получени плаэмы, включающий создание на границе диэлектрик- газ импульсного вакуумно-поверхностного разр да, изменение с задержкой относительно момента по влени этого разр да, меньшей времени саморазр да, свойств среды у границы диэлектрик 13081656газ, отличающийс тем,напр женности которого расположен.р.„.„„о„ „л™„.„ого „о.;. ,ек.ор :;iiz,.Vг1./L.xZZ7/ / J / / 7 / /Ц( 7 / 7/7 7 У 7 7 7 / / Л77/У// 7 / JTу /fфие. 2JNf/ / /
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU843748834A SU1308165A1 (ru) | 1984-06-01 | 1984-06-01 | Способ получени плазмы |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU843748834A SU1308165A1 (ru) | 1984-06-01 | 1984-06-01 | Способ получени плазмы |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1308165A1 true SU1308165A1 (ru) | 1989-10-23 |
Family
ID=21122116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU843748834A SU1308165A1 (ru) | 1984-06-01 | 1984-06-01 | Способ получени плазмы |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1308165A1 (ru) |
-
1984
- 1984-06-01 SU SU843748834A patent/SU1308165A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Авторское свидетельство СССР № 1025318, кл. Н 05 Н 1/00, 1983. Авторское свидетельство СССР № 1250158, кл. Н 05 Н 1/00, 1985. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7663319B2 (en) | Methods and apparatus for generating strongly-ionized plasmas with ionizational instabilities | |
| KR100337718B1 (ko) | 반도체웨이퍼에이온들을주입하는방법,비-래스터주사주입장치,표면을갖는반도체웨이퍼로의주입방법,및워크피스처리방법및장치 | |
| US5221427A (en) | Plasma generating device and method of plasma processing | |
| US20180044780A1 (en) | Apparatus and method for sputtering hard coatings | |
| EP1726190B1 (en) | Methods and apparatus for generating strongly-ionized plasmas with ionizational instabilities | |
| US5302881A (en) | High energy cathode device with elongated operating cycle time | |
| US6522076B2 (en) | Process and switching arrangement for pulsing energy introduction into magnetron discharges | |
| US8288950B2 (en) | Apparatus and method for regulating the output of a plasma electron beam source | |
| US6054063A (en) | Method for plasma treatment and apparatus for plasma treatment | |
| KR940013298A (ko) | 고 임피던스 플라즈마 이온 주입 방법 및 장치 | |
| JPH04280055A (ja) | イオン注入及び表面処理に関する方法及び装置 | |
| SU1308165A1 (ru) | Способ получени плазмы | |
| KR20010101705A (ko) | 펄스형 기판 전극 전력을 갖는 플라즈마 에칭 방법 | |
| KR20090082384A (ko) | 기판 전처리 장치 | |
| JP2001207259A (ja) | 表面改質方法及び表面改質装置 | |
| KR20000015801A (ko) | 탄소막을 형성하기 위한 방법 | |
| JPH04351838A (ja) | イオンビーム装置の中性化器 | |
| US6205948B1 (en) | Modulator for plasma-immersion ion implantation | |
| Schneider et al. | The Effect of High-Frequency Arc Conditioning of the Electrodes on Electric Strength of Vacuum Insulation | |
| Petr et al. | Erosion of spark gap electrodes | |
| KR20040031082A (ko) | 플라스마에 의해 구조를 에칭 바디에 에칭하기 위한 방법 | |
| Tsuruta et al. | Ignition and lifetime of low current DC vacuum arc ignited by the opening of the electrodes | |
| RU1811763C (ru) | Плазменный прерыватель тока | |
| SU1542734A1 (ru) | Способ плазменной обработки плазмотроном с секционированным каналом | |
| RU97102660A (ru) | Способ управления плазменным дисплеем переменного тока |