SU1306407A1 - Полупроводниковый прибор - Google Patents

Полупроводниковый прибор

Info

Publication number
SU1306407A1
SU1306407A1 SU3769128/25A SU3769128A SU1306407A1 SU 1306407 A1 SU1306407 A1 SU 1306407A1 SU 3769128/25 A SU3769128/25 A SU 3769128/25A SU 3769128 A SU3769128 A SU 3769128A SU 1306407 A1 SU1306407 A1 SU 1306407A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
provision
thanks
value
semiconductor device
interval
Prior art date
Application number
SU3769128/25A
Other languages
English (en)
Inventor
В.Я. Принц
П.А. Бородовский
А.Ф. Булдыгин
Original Assignee
Институт Физики Полупроводников Со Ан Ссср
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Физики Полупроводников Со Ан Ссср filed Critical Институт Физики Полупроводников Со Ан Ссср
Priority to SU3769128/25A priority Critical patent/SU1306407A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1306407A1 publication Critical patent/SU1306407A1/ru

Links

Landscapes

  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

Изобретение относится к функциональной микроэлектронике, микрофотоэлектронике, вычислительной технике. Целью изобретения является расширение функциональных возможностей полупроводникового прибора за счет обеспечения управляемого переключения прибора из низкоомного в одно из более высокоомных состояний при пропускании через прибор тока выше порогового значения, обеспечения возможности записи и сохранения информации о величине и полярности напряжения, прилагаемого к прибору при записи, обеспечения непрерывной регистрации поглощенного прибором излучения. Полупроводниковый прибор содержит полуизолирующую подложку на основе соединения ABлегированного компенсирующей примесью с глубоким уровнем с концентрацией в интервале 5·10-5·10см. На подложке расположена полупроводниковая пленка из соединения ABс двумя омическими контактами. Величина произведения толщины пленки на концентрацию электронов в ней находится в интервале 5·10-10см. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.
SU3769128/25A 1984-07-10 1984-07-10 Полупроводниковый прибор SU1306407A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU3769128/25A SU1306407A1 (ru) 1984-07-10 1984-07-10 Полупроводниковый прибор

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU3769128/25A SU1306407A1 (ru) 1984-07-10 1984-07-10 Полупроводниковый прибор

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1306407A1 true SU1306407A1 (ru) 1995-04-20

Family

ID=60539995

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU3769128/25A SU1306407A1 (ru) 1984-07-10 1984-07-10 Полупроводниковый прибор

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1306407A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0373893A3 (en) Mos type field effect transistor formed on a semiconductor layer on an insulator substrate
EP0339962A3 (en) Field effect semiconductor device
ATE37967T1 (de) Halbleiterbauelement mit kontaktloch.
JPS5676574A (en) Schottky injection electrode type semiconductor device
DE3766861D1 (de) Diamant-strahlungsdetektor und detektionsverfahren.
GB1394183A (en) Semiconductor devices
SU1306407A1 (ru) Полупроводниковый прибор
EP0348916A3 (en) Mosfet equivalent voltage drive semiconductor device
JPS52135685A (en) Semiconductor device
Singh et al. Radiation-induced interface traps in power MOSFETs
JPS5286084A (en) Field effect transistor
Katayama et al. Differential Negative Resistance of n‐Type Inversion Layer in Silicon MOS Field‐Effect Transistor
SE8403943L (sv) Felteffektanordning med berarutfrysning
JPS52120774A (en) Semiconductor device
KR920015453A (ko) 스위칭 반도체장치의 제조방법
JPS5322379A (en) Junction type field eff ect transistor
FR2382744A1 (fr) Dispositif de charge a courant extremement faible pour un circuit integre
Blum et al. Use of a surrounding p-type ring to decrease backgate biasing in GaAs MESFET's
JPS5318973A (en) Production of two kinds of schottky barrier diodes
Aukerman et al. Capacitance-voltage dependence of zinc-diffused GaAs pn junctions
JPS6480073A (en) Semiconductor device
GB1534338A (en) Integrated circuits
JPS56133871A (en) Mos field effect semiconductor device with high breakdown voltage
SU401267A1 (ru) Полупроводниковый поверхностно-барьерный прибор
SU619876A1 (ru) Устройство дл измерени концентрации носителей тока в полупроводниках