SU1300502A1 - Устройство зар да-разр да интегрирующего конденсатора - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к устройствам автоматики и предназначено дл  формировани  на интегрирующем конденсаторе напр жени  пилообразной формы, максимальна  амплитуда которого пр мо пропорциональна длительности входного импульса, и разр да интегрирующего конденсатора до исходного состо ни  после окончани  входного импульса. Целью изобретени   вл етс  повышение помехоустойчивости устройства. Устройство содержит источник 3 тока, ин- тегрирукнций конденсатор 4, дифференциальный усилитель 5, ключевой транзистор 6, шину 7 питани  и коммутирующий диод 8. Поставленна  цель достигнута за счет введени  в устрой- стро дифференциального усилител , ключевого транзистора и коммутирующего диода, а также за счет новых св зей между элементами. 1 ил. 1C (Л Л 2 уУвШ со о о СП о ю

Description

1 .13

Изобретение относитс  к устройствам автоматики и предназначено дл  формировани  на интегрирующем конденсаторе напр жени  пилообразной формы, величина которого пропорциональна длительности входного импульса , и разр да интегрирующего конденсатора до исходного состо ни  после окончани  входного импульса.

Целью изобретени   вл етс  повышение помехоустойчивости.

На чертеже приведена схема предложенного устройства.

Устройство имеет вход 1 и выход 2 и содержит источник 3 тока, интегрирующий конденсатор 4, дифференциальный усилитель 5, ключевой транзистор 6, шину 7 питани  и коммутирующий диод 8.

Устройство работает следующим образом .

При отсутствии напр жени  U на входе 1. интегрирующий конденсатор 4 зар жен от источника 3 тока до нескольких долей милливольта. Это напр жение прикладываетс  к инвертирующему входу дифференциального усилител  5, на выходе которого формируетс  напр жение отрицательной пол рности , и через полупроводниковый переход эмиттер - база ключевого транзистора 6 протекает ток, равный току источника 3 тока, в св зи с чем интегрирующий конденсатор 4 до большей, чем указано вьше, величины зар дитс  не может. Это обеспечиваетс  за счет глубокой отрицательной обратной св зи - соединени  инвертирующего входа дифференциального усилител  5 через переход эмиттер - база ключевого транзистора 6 с его выходом.

В случае возникновени  помехи на выходе 2 положительной пол рности на выходе дифференциального усилител  5 формируетс  большее по отношению к начальному отрицательное напр жение, т.е. через полупроводниковый переход эмиттер - база ключевого транзистора 6 ток усиливаетс  до величины тока помехи и уровень напр жени  на инте- грирук цем конденсаторе 4 остаетс  неизменным. В этом режиме ключевой транзистор 6 выполн ет функции усилени  тока.

В случае же возникновени  помехи отрицательной пол рности происходит зар д интегрирующего конденсатора 4 до некоторого отрицательного напр 

5

0

5

0

5

0

5

0

5

жени , отрицательное напр жение с выхода дифференциального усилител  5 отсутствует и поэтому интегрирующий конденсатор 4 через некоторое врем  после действи  указанной помехи приобретает прежний положительнй зар д, равный дол м милливольта.

В момент поступлени  на вход 1 импульса Ug положительной пол рности на выходе дифференциального усилител  5 формируетс  большое напр жение положительной пол рности, в св зи с чем полупроводниковый переход эмиттер - база ключевого транзистора 6 заперт и тока не проводит. В св зи с отсутствием тока через ключевой транзистор 6 ток источника 3 тока ПОЛОЖИТЕЛЬНОЙ пол рности начинает протекать через интегрирующий конденсатор 4, зар жа  его. Полупроводниковый переход эмиттер - ба за ключевого транзистора 6 имеет ,в обратном направлении высокое сопротивление , поэтому ток на уровень зар да интегрирующего конденсатора 4 не вли ет . Поэтому напр жение на интегрирующем конденсаторе 4 стало пропорциональным длительности импульса.

В тот момент заднего фронта входного импульса, при котором величина напр жени /Up, становитс  меньше напр жени  на интегрирующем конденсаторе 4, дифференциальньй усилитель 5 измен ет пол рность напр жени  на своем выходе с положительной на отрицательную , полупроводниковьй переход эмиттер - база ключевого транзистора 6 оказываетс  открытым и через него потечет ток разр да интегрирующего конденсатора 4. Величина тока разр да , а следовательно, и врем  разр да ограничены внутренним сопротивлением дифференциального усилител  5 и дифференциальным сопротивлением в пр мом направлении полупроводникового перехода эмиттер - база ключевого транзистора 6. В случае, если ток разр да интегрирующего конденсатора 4 нужно з еньшить, то последовательно с полупроводниковым переходом 6 включаетс  резистор (не показан).

В случае, когда в качестве полупроводникового перехода переход эмиттер - база ключевого транзистора 6 используетс  и его допустимое обратное напр жение, меньше действующего в схеме напр жени , то последовательно с указанным переходом в пр мом

направлении включаетс  коммутирующий диод 8.

Так как интегрирующий конденсатор 4 имеет зар д положительный, а ток разр да вытекает от источника отрицательной пол рности, то до момента, когда на интегрирующем- конденсаторе 4 знак напр жени  не изменитс  с положительного на отрицательный, его разр д происходит на линейном участке экспоненты.

В момент, когда величина напр жени  на интегрирующем конденсаторе 4 становитс  близкой к нулю (конденсатор 4 полностью разр дилс ), на выходе дифференциального усилител  напр жение отрицательной пол рности уменьшаетс  автоматически до такой величины, при которой ток через полупроводниковый переход эмиттер - база ключевого транзистора 6 становитс  равным току источника тока 3, в св зи с чем изменение напр жени  на интегрирующем конденсаторе 4 прекращаетс ,

В течение всего времени, когда напр жение U ex отсутствует, напр жеРедактор М.Келемеш Заказ 1151/49

Составитель А.Маслов

Техред М.Ходанич Корректор М.Демчик

Тираж 673 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушска  наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предпри тие, г.Ужгород, ул.Проектна , 4

5

0

5

ние на интегрирующем конденсаторе 4 принудительно удерживаетс  близким к нулю, чем и достигаетс  повышение точности при воздействии помехи отрицательной пол рности на выходе 2.

Claims (1)

1. Формула изобр.е тени 

   Устройство зар да-разр да интегрирующего конденсатора, содержащее источник тока, выход которого подключен к выходу устройства и к одной из обкладок интегрирующего конденсатора, друга  обкладка которого соединена с шиной нулевого потенциала, отличающеес  тем, что, с целью повышени  помехоустойчивости, оно содержит ключевой транзистор и дифференциальный усилитель, инвертирующий и неинвертирующий входы которого подключены соответственно к выходу источника тока и к входу устройства, а выход соединен с базой ключевого транзистора, подключенного коллектором и эмиттером соответственно к шине нулевого питани  и выходу источника тока.