SU1277381A1 - Многофункциональный элемент цифровой структуры - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к импульсной технике. Может быть использовано при формировании короткого выходного импульса ТТЛ-уровн  по фронту спада входного сигнала. Цель изобретени  повышение нагрузочной способности элемента. Устройство содержит резисторы 3,7,9,13, диоды 4,5,6, транзисторы 8,11. Дл  достижени  поставленной пели в устройство введены резистор 14,, транзистор 10, дополнительный коллектор транзистора 8. 3 ил. (Л to sj ее 00

Description

Изобретение относитс  к импульсной технике и предназначено дл  формировани  короткого выходного импульса ТТЛ-уровн  по фронту спада входного сигнала. Цель изобретени  - повьпиение нагрузочной способности элемента. На фиг.1 приведена принципиальна  схема многофунк1щонального элемента цифровой структуры; на фиг.2 - функционально-топологическа  схема многоэмиттерНого двухколлектррного транзис тора; на фиг.З - разрез А-А на фиг.2. Многофункциональный элемент цифровой структуры содержит источник 1 опорного напр жени , реализованный на последовательно включенных между шиной 2 питани  и общей шиной резисто ре 3 и диодах 4, 5 и 6, причем анод диода 4 соединен с резистором 3 и  вл етс  выходом источника 1 опорного напр жени , соединенным через первый резистор 7 с базой первого транзистора 8, коллектор которого через второй резистор 9 соединен с шиной 2 питани  и подключен к эмиттеру третьего транзистора 10 и базе второго транзистора 11, коллектор которого соединен с выходом 12, коллектором транзистора 10 и через третий резистор 13 подключен К шине 2 питани , база транзистора 10 соединена с вторым дополнительным коллектором транзистора 8 и через четвертый резистор 14 - с шиной 2 пи тани , один из эмиттеров транзистора 8 соединен с одним из эмиттеров тран зистора 11 и сигнальным входом 15 элемента, остальные эмиттеры транзи .стора 8 подключены к первым входам 16 элемента, второй эмиттер транзистора 11 соединен с вторым входом 17 управлени  элемента. Элемент работает следующим образом . При поступлении сигнала низкого Уровн  (сигнал О) на один из первых управл ющих входов 16 транзистор 8 открыт и на 1ыщен, что обеспечивает закрытое состо ние транзисторов 10 и 11 независимо от остальных сигналов в.хода 16. Если на входе 17 сигнал О, на входах 16 сигнал 1, то возможны два случа . Б первом, когда на сигна льном входе 15 имеем сигнал 1, на выходе 12 - сигнал О, так как транзистор 8 закрыт, а транзистор 11 открыт током через резистор 9 и базоэмиттерный переход транзистора 11. Во втором случае на сигнальном входе 15 сигнал О и открытый транзистор 8 запирает транзисторы 10 и 11, а поэтому на выходе 12 напр жение высокого уровн  - сигнал 1. При подаче на все управл юпще входы 16 и 17 сигнала 1 состо ние на выходе 12 зависит от изменени  напр жени  на сигнальном входе 15. При переходе этого напр жени  от уровн  1 к уровню О током через резистор 14 и базоэмиттерные переходы транзисторов 10 и 11 отпираетс  транзистор 11 и формируетс  сигнал О на выходе 12. Отпирающий ток существенно возрастает за счет добавочного тока емкости нагрузки через транзистор 10 в базу транзистора 11. Данное увеличение базового тока и обуславливает возрастание нагрузочной способности элемента. Через некоторое врем  после отпирани  транзистора 11 откроетс  и перейдет в режим насыщени  транзистор 8, что вызовет запирание транзисторов 10 и 11, и на выходе 12 вновь по витс  сигнал 1. Таким образом, элемент формирует на выходе 12 короткий импульс низкого уровн  (сигнал О) по фр-онту спада напр жени  на сигнальном входе 15 от уровн  1 до уровн  О. Форсирование режима отпирани  транзистора 11 за счет эмиттерного тока транзистора 10 позвол ет ускорить разр д емкости нагрузки, так как транзисторы 10 и 11 на большей части фронта спада выходного напр жени  работающих как пара Дарлингтона. Базовый ток 1с транзистора 11 транзистора складываетс  из эмиттерного тока I. транзистора 10 и тока 1 через резистор 9, 1,.(ь.,). ., где и - напр жение на базе транзистора 11 относительно общей 11ины; напр жение на открытом переходе база - эмиттер транзистора 10; минимальный коэффициент усилени  транзистора 10; напр жение на шине 2 питани . По формуле дл  определени  I видно, что выбором резистора 14 обеспечиваетс  необходима  величина тока Обеспечить возрастание тока в несколько раз (по Вц это R9 сравнению с Ijj 1о„ в прототипе) мож% , 9 но при в-еличине R на пор док больше R (за счет того, что минимальна  величина h, составл ет несколько дес тков единиц). Поэтому увеличение допустимой емкостной нагрузки в 2-3 раза сопровождаетс  незначительным увеличением потребл емой мощности (за счет тока через резистор 14, когда открыт транзистор 8),

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   Многофункциональный элемент цифровой структуры, содержащий источник опорного напр жени , два транзистора и три резистора, выход источника опорного напр жени  через первый резистор подключен к базе первого транзисi uZ Homexmopbf i MMUfnep 127

   чены к первым входам управлени  элемента , второй эмиттер второго транзистора соединен с вторым входом управлени  элемента, отличающийс   Тем, что, с целью повьшени  нагрузочной способности элемента, в него введены третий транзистор и четвертый резистор, дополнительный коллектор первого транзистора через четвертый резистор св зан с шиной питани , соединен с базой третьего транзистора , коллектор и эмиттер которого соединены соответственно с коллектором и базой второго транзистора. 14 тора, коллектор которого через второй резистор подключен к шине питани  и соединен с базой второго транзистора, коллектор которого через третий резистор соединен с шиной питани  и выходом элемента, один из эмиттеров первого транзистора соединен с одним из эмиттеров второго транзистора и сигнальным входом элемента, остальные эмиттеры первого транзистора подклю L