SU1272498A1 - Разностный элемент - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к цифровой вычислительной технике и может быть использовано в качестве стандартного элемента БИС типа ТТЛ, в частности заказных БИС, или в качестве отдельной НС, формирующей короткий выходной импульс по фронту спада входногсг сигнала. Расширение функциональных возможностей и снижение уровн  . выходного напр жени  низкого уровн  обеспечиваетс  введением в схему двух р-п-р-транзисторов; одного резистора и организацией новых св зей. Введенные элементы и новые св зи позвол ют вдвое снизить выходное напр жение низкого уровн  и организовать два дополнительных § режима работы устройства. Устройство содержит транзистор 1 п-р-п-типа, О) транзисторы 2 и 3 р-п-р-типа, резисторы 4-8, диоды 9-11, выход 12, дополнительный элемент 13, шину 14 питани , входы 15-17. I ил.

Description

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в качестве одного из элементов БИС ТТЛ-типа, формирующей короткий выходной импульс по фронту спада 4 5 входного сигнала.

Целью изобретения является расширение функциональных возможностей и снижение выходного напряжения низкого уровня разностного элемента. 10

На чертеже приведена принципиальная схема разностного элемента.

Устройство содержит η-p—п-транзистор 1, первый и второй р-п-р- р транзисторы, 2 и 3, резисторы 4-8, 15 диоды 9-11, причем коллектор и эмиттер транзистора 1 подключены к выходу 12 и дополнительному выходу 13 элемента, а база соединена с колт лектором транзистора 3 через тре- 20 тий резистор бис общей шиной через пятый резистор 8, база транзистора 3 соединена с коллектором транзистора 2, база которого через первый резистор 4 соединена с шиной (14 питания и эмиттерами транзисторов \2 и 3, база транзистора 2 через второй резистор 5 соединена с анодами диодов 9-11, катоды которых подключены к входам 15-17 элемента, аноды диодов 9-11 через четвертый резистор 7 соединены с базой транзисто-, ра 3.

Устройство работает следующим образом.

При поступлении на все входы 15- 17 сигналов высокого уровня транзисторы 2 и 3 закрыты, поэтому закрыт и транзистор 1. Если эмиттер транзистора 1 соединен с общей шиной, то выходом 12 устройства является коллектор и на нем (через внешнюю наг грузку) сформирован высокий уровень напряжения. Если коллектор транзистора 1 соединен с шиной 14 питания, то дополнительным выходом 13 устройства является эмиттер и на последнем - выходное напряжение низкого уровня.

При поступлении на один из входов 15 - 17 сигнала низкого уровня открывается сначала транзистор 3, а потом - транзистор 2.

Указанная последовательность отпиЗадержка отпирания транзистора 2 после отпирания транзистора 3 обусловлена также большим номиналом резистора 5 по сравнению с резистором

7. В результате отпирания транзистора 2 и перехода его в насыщение запирается трайзистор 2. Таким образом, через транзистор 3 протекает кратковременный импульс тока в базу транзистора 1 через резистор 6. В зависимости от режима включения транзистора 1 (эмиттер соединен с общей шиной, а коллектор — с выходом, или коллектор соединен ·. с шиной питания, а эмиттер - с выходом) формируется выходной импульс низкого или высокого уровня.

Коллектор и эмиттер транзистора 1 могут также соединяться с входами расширения по ИЛИ с имеющими такие , входа микросхемами.

Claims (1)

1. 25 Формула изобретения

   Разностный элемент, содержащий п-р-п-транзистор, диоды и четыре резистора, первый вывод первого ре30 зистора подключен к шине питания, второй вывод соединен с первым выводом второго резистора, первый вывод третьего резистора соединен с базой п-р-п-транзистора, коллектор ад которого подключен к выходу элемента, отличающийся тем, что, с целью расширения функ- 1 циональных возможностей и снижения выходного напряжения низкого уровад ня, введены два р-п-р-транэистора и пятый резистор, причем эмиттеры первого и второго р-п-р-транзисторов соединены с шиной'питания, база первого р-п-р-транзистора соединена с 45 первым выводом второго резистора, второй вывод которого соединен с анодами диодов и через четвертый резистор подключен к коллектору первого и базе второго р-п-р-транзисто50 ра, коллектор которого соединен с .вторым выводом третьего резистора, . база η-ρ-η-транзистора через пятый резистор соединена с общей шиной, катоды диодов подключены к входам рання транзисторов задается разньми уровнями входного напряжения отпирания (U₂ и U₃) этих транзисторов. элемента, а эмиттер п-р-п-транзисто— ра соединен с дополнительным выходом элемента.