SU1264010A1 - Thermocouple and method for manufacturing same - Google Patents

Thermocouple and method for manufacturing same Download PDF

Info

Publication number
SU1264010A1
SU1264010A1 SU843798684A SU3798684A SU1264010A1 SU 1264010 A1 SU1264010 A1 SU 1264010A1 SU 843798684 A SU843798684 A SU 843798684A SU 3798684 A SU3798684 A SU 3798684A SU 1264010 A1 SU1264010 A1 SU 1264010A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
layer
electrode
thermocouple
electrical insulation
internal
Prior art date
Application number
SU843798684A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Павел Степанович Кислый
Остап Васильевич Заверуха
Ярослав Орестович Горичок
Зенон Дмитриевич Василечко
Василий Иванович Мыхайлив
Николай Михайлович Торбин
Алексей Иванович Курылив
Василий Иванович Сухоребрый
Богдан Иванович Гиль
Игорь Петрович Куритник
Богдан Иванович Стадник
Original Assignee
Ивано-Франковский Институт Нефти И Газа
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ивано-Франковский Институт Нефти И Газа filed Critical Ивано-Франковский Институт Нефти И Газа
Priority to SU843798684A priority Critical patent/SU1264010A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1264010A1 publication Critical patent/SU1264010A1/en

Links

Landscapes

  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к термометрии , а именно к измерению высоких температур в нейтральных и агрессивных средах. Цель изобретени  - повышение надежности и стабильности Метрологических свойств. Слой 2 электроизол ции размещен на всей цилиндрической поверхности внутреннего термоэлектрода 1 за исключением зоны рабочего спа  4. Слой 2 может быть вьшолнен из карбонитрида бора. Внешний электрод 3 получают осаждением поликристаллического сло  карбида с 6 кремни  при давлении газовой смеси 20-40 мм рт.ст. и температуре по (Л верхности внутреннего электрода 11001300 С одновременно на слой 2 электроизол ции и участок электрода в зоне 4 рабочего спа  до требуемой толщины . 2 с., 2 з.п. ф-лы, 1 ил.This invention relates to thermometry, in particular to the measurement of high temperatures in neutral and corrosive environments. The purpose of the invention is to increase the reliability and stability of the Metrological properties. The electrical insulation layer 2 is placed on the entire cylindrical surface of the internal thermoelectrode 1, with the exception of the working spa zone 4. Layer 2 can be made of boron carbonitride. The outer electrode 3 is obtained by deposition of a polycrystalline carbide layer with 6 silicon at a gas mixture pressure of 20–40 mm Hg. and the temperature along (L of the surface of the internal electrode of 11001300 C simultaneously to the electrically insulating layer 2 and the electrode section in zone 4 of the working spa to the required thickness. 2 s., 2 Cp f-crystals, 1 sludge.

Description

Изобретение относится к термометрии, а именно к измерению высоких температур в нейтральных и агрессивных средах.The invention relates to thermometry, namely to the measurement of high temperatures in neutral and aggressive environments.

Цель изобретения - повышение надежности и стабильности метрологических свойств.The purpose of the invention is to increase the reliability and stability of metrological properties.

На чертеже схематически представг* лена термопара.In the drawing, a thermocouple is shown schematically.

Термопара включает внутренний термоэлектрод 1, слой электроизоляции 2, внешний термоэлектрод 3. рабочий (горячий) спай 4.The thermocouple includes an internal thermoelectrode 1, an insulation layer 2, an external thermoelectrode 3. a working (hot) junction 4.

Термопара работает следующим образом .Thermocouple works as follows.

Помещают рабочий спай термопары в измеряемую среду, возникающая в результате нагрева термо-ЭДС термопары, по соединительным проводам поступает на прибор контроля термопары. Затём по известной градуировоч- ной зависимости термо-ЭДС от температуры. и определяют последнюю.The working junction of the thermocouple is placed in the measured medium, which arises as a result of heating the thermo-EMF of the thermocouple, through the connecting wires it enters the thermocouple control device. Then, according to the known calibration dependence of thermo-EMF on temperature. and determine the latter.

Предложенный способ изготовления термопары реализуется следующим образом.The proposed method for manufacturing a thermocouple is implemented as follows.

На внутренний термоэлектрод, выполненный из графита, наносят слой электроизоляции, например, из карбонитрида бора., оставляя свободной от изоляции зону рабочего спая. Для подключения соединительного провода к холодному концу электрода оставляют свободным торец или часть цилиндрической поверхности. Затем помещают термоэлектрод с изоляцией в реакционную камеру в межэлек’родное пространство газоразрядного устройства. В камере создают разрежение · ϊ0 Z’ мм рт.ст., затем через.'камеру в течение 15-20 мин пропускают чистый водород при давлении 2040 мм рт.ст., после чего включают газовый разряд с напряжением горения 500 В и удельной мощностью разряда 5-10 Вт/см2 и повышают температуру внутреннего электрода до 1100 1300 С, в течение 5-10 мин продолжают пропускать через камеру водород. Затем в результате термического разложения металлоорганического соединения кремния, например метилтрихлорсилана, подают пары соединения кремния в камеру с водородом, доводя соотношение компонентов' до 1:1 - 1:10 при давлении в камере 20-40 мм рт.ст., и расходе газовой смеси 1,5-10 л/ч. При этих ^параметрах ведут осаждение кубического карбида кремния из газовой фазы на слой электроизоляции и участок графитового электрода, свободный от изоляции в зоне рабочего спая 4, до получения внешнего электрода требуемой толщины. По еле окончания процесса осаждения внешнего электрода охлаждают графитовый электрод и при его температуре 200-300°С прекращают подачу водорода и выключают газовый разряд.A layer of electrical insulation, for example, boron carbonitride, is applied to an internal thermoelectrode made of graphite, leaving the working junction area free of insulation. To connect the connecting wire to the cold end of the electrode, an end face or part of a cylindrical surface is left free. Then, a thermoelectrode with insulation is placed in the reaction chamber in the interelectrode , the native space of the gas-discharge device. A vacuum of ϊ 0 Z 'mm Hg is created in the chamber, then pure hydrogen is passed through the chamber for 15-20 minutes at a pressure of 2040 mm Hg, after which a gas discharge with a burning voltage of 500 V and specific power is turned on discharge 5-10 W / cm 2 and increase the temperature of the internal electrode to 1100 1300 C, continue to pass hydrogen through the chamber for 5-10 minutes. Then, as a result of thermal decomposition of the organometallic silicon compound, for example methyltrichlorosilane, silicon compound vapors are fed into the chamber with hydrogen, bringing the ratio of components to 1: 1 - 1:10 at a pressure in the chamber of 20-40 mm Hg and gas flow rate 1.5-10 l / h. With these parameters, cubic silicon carbide is deposited from the gas phase onto the electrical insulation layer and the graphite electrode section, which is free from insulation in the working junction zone 4, until an external electrode of the required thickness is obtained. After barely completing the deposition of the external electrode, the graphite electrode is cooled and at its temperature of 200-300 ° C, the hydrogen supply is stopped and the gas discharge is turned off.

Claims (4)

Формула изобретенияClaim ί. Термопара, содержащая соединенные в рабочий си ай коаксиально расположенные термоэлектроды, разделенные слоем электроиг-оляции, причем внутгч ренний термоэлектрод выполнен из графита, о т л и ч а ю.щ а.я с я тем, что, с целью повышения надежности и стабильности метрологических свойств, слой электроизоляции расположен на всей цилиндрической поверхности внутреннего термоэлектрода за исключением зоны рабочего спая, а внешний электрод выполнен из поликристаллического слоя кубического карбида кремния-ί. A thermocouple containing coaxially arranged thermoelectrodes connected in a working system, separated by a layer of electrical acoustics, the internal thermoelectrode made of graphite, which is made in order to increase reliability and stability metrological properties, the layer of electrical insulation is located on the entire cylindrical surface of the internal thermoelectrode with the exception of the working junction zone, and the external electrode is made of a polycrystalline layer of cubic silicon carbide - 2. Термопара по п. 1, о т л и чающаяся тем, что слой электроизоляции выполнен из карбонитрида бора.2. A thermocouple according to claim 1, characterized in that the electrical insulation layer is made of boron carbonitride. 3. Способ изготовления термопары по пи. 1 и 2, заключающийся в последовательном нанесении на поверхность одного электрода электрической изоляции и материала второго электрода, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что поликристаллический слой карбида кремния осаждают одновременно на слой электроизоляции и на поверхность внутреннего электрода в,.зоне рабочего спая термическим разложением металлоорганического соединения кремния из неравновесной газовой фазы, содержащей пары металлоорганического соединения кремния и водород в соотношении 1:1 - 1:10, причем процесс ведут при давлении газовой смеси 20— 40 мм рт.ст., расходе смеси 1,5-3. A method of manufacturing a thermocouple by pi. 1 and 2, which consists in sequentially applying electrical insulation and the material of the second electrode on the surface of one electrode, it is important that the polycrystalline layer of silicon carbide is deposited simultaneously on the electrical insulation layer and on the surface of the inner electrode in, a working junction by thermal decomposition of an organometallic silicon compound from a nonequilibrium gas phase containing couples of an organometallic silicon compound and hydrogen in a ratio of 1: 1 to 1:10, the process being carried out at a gas pressure a mixture of 20-40 mm RT.article, a mixture flow rate of 1.5- 10 л/ч и температуре поверхности внутреннего электрода И 00-1300сС.10 l / h and the surface temperature of the internal electrode And 00-1300 s C. 4. Способ по п. 3, о т л и ч a torn и й с я тем, что в качестве соединения кремния используют метилтрихлорейлам.4. The method according to p. 3, about t and h a torn and th with the fact that methyl trichloroil is used as the silicon compound.
SU843798684A 1984-07-23 1984-07-23 Thermocouple and method for manufacturing same SU1264010A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU843798684A SU1264010A1 (en) 1984-07-23 1984-07-23 Thermocouple and method for manufacturing same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU843798684A SU1264010A1 (en) 1984-07-23 1984-07-23 Thermocouple and method for manufacturing same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1264010A1 true SU1264010A1 (en) 1986-10-15

Family

ID=21141514

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU843798684A SU1264010A1 (en) 1984-07-23 1984-07-23 Thermocouple and method for manufacturing same

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1264010A1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5464485A (en) * 1993-07-01 1995-11-07 Hoskins Manufacturing Co. Coaxial thermoelements and thermocouples made from coaxial thermoelements
US5772325A (en) * 1995-11-20 1998-06-30 Motorola, Inc. Apparatus for providing surface images and method for making the apparatus

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР 220563, кл. G 01 К 7/02, 1968. Самсонов Г.В. Высокотемпературшле неметаллические термопары и наконечники. Киев, Наукова думка, 1965, с. 162.. Геращенко О.А. и др. Тепловые и температурные измерени . Справочник. Киев, Наукова думка, 1984, с. 224. *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5464485A (en) * 1993-07-01 1995-11-07 Hoskins Manufacturing Co. Coaxial thermoelements and thermocouples made from coaxial thermoelements
US5772325A (en) * 1995-11-20 1998-06-30 Motorola, Inc. Apparatus for providing surface images and method for making the apparatus
US5975757A (en) * 1995-11-20 1999-11-02 Motorola, Inc. Method and apparatus for providing surface images

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5209182A (en) Chemical vapor deposition apparatus for forming thin film
KR960706572A (en) Gas diffuser plate assembly and RF electrode
KR890002995A (en) High temperature heating sputtering method
US4810526A (en) Method of coating a recrystallized silicon carbide body with a compact silicon carbide coating
JPH0710665A (en) Ceramic heater with electrostatic chuck
SU1264010A1 (en) Thermocouple and method for manufacturing same
US5225245A (en) Chemical vapor deposition method for forming thin film
CA2381115A1 (en) Heater member for mounting heating object and substrate processing apparatus using the same
JPH09115836A (en) Thin film vapor deposition apparatus
GB1263580A (en) Improvements in or relating to the production of a tubular body of a semiconductor material
JPS6327435Y2 (en)
EP0967189B1 (en) A highly resistive recrystallized silicon carbide, an anti-corrosive member, a method for producing the highly resistive recrystallized silicon carbide, and a method for producing the anti-corrosive member
JPS58156594A (en) Preparation of hard coating film
JPS58181865A (en) Plasma cvd apparatus
SU810086A3 (en) Device for making semiconducting material
US4308008A (en) Method for differential thermal analysis
KR20000021230A (en) Complex type thermoconductive device for detecting temperature of furnace, and apparatus for controlling temperature using thereof
JPH01150096A (en) Conduit having heat-insulating function
JPH0363538A (en) Pressure sensor
JPH02270325A (en) Nitridation of silicon
JPS6140770Y2 (en)
JPS60200895A (en) Ejection cell structure of molecular beam crystal growth device
SU1196668A1 (en) Arrangement for investigating convective heat exchange process
JPS63155717A (en) Plasma cvd apparatus
JPS6358226B2 (en)