SU123586A1

SU123586A1 - Film bolometer element for measuring the power of microwave oscillations

Info

Publication number: SU123586A1
Application number: SU627401A
Authority: SU
Inventors: В.А. Югов
Original assignee: В.А. Югов
Priority date: 1959-05-08
Filing date: 1959-05-08
Publication date: 1959-11-30

Description

В известных пленочных болометрах дл измерени мощности СВЧ примен ютс металлические слои, вл ющиес согласующими элементами , в которых происходит поглощение мощности СЕЧ, и одновременно термочувствительными элементами. Основным недостатком таких систем вл етс низка чувствительность.In the known film bolometers, metal layers are used to measure the microwave power, which are matching elements in which the power of the SEC is absorbed, and at the same time temperature-sensitive elements. The main disadvantage of such systems is low sensitivity.

У предлагаемого болометра чувствительность повышена. Болометр выполнен в виде пластины диэлектрика, с одной стороны которого нанесен слой металла, обладающий больщой стабильностью сопротивлени , а с другой стороны нанесен слой полупроводника с больщим ТКС.The proposed bolometer sensitivity increased. The bolometer is made in the form of a dielectric plate, on the one hand of which a metal layer is deposited, which has a high resistance stability, and on the other hand, a layer of a semiconductor with a large TCR is deposited.

На пластину диэлектрика / (см. чертеж) наноситс с одной стороны ТОНКИЙ металлический слой .2, а с другой стороны-полупроводниковый слой 3. На металлический слой нанос тс металлические контактные слои 4, а на полупроводниковый слой-металлические контактные полоски 5.A thin metal layer .2 is deposited on one side of the dielectric plate / (see drawing) and, on the other hand, semiconductor layer 3. Metal contact layers 4 are applied to the metal layer, and metal contact strips 5 are applied to the semiconductor layer.

Принцип действи болометра заключаетс в следующем: металлическа пленка, сопротивление которой согласовано с волноводом, поглощает энергию СВЧ и нагреваетс ; нагрев металлической пленки вызывает нагрев подложки и полупроводникового сло , что вызывает изменение сопротивлени полупроводникового сло ; это изменение сопротивлени измер етс , например, с помощью моста. Измерение мощности может производитьс методом замещени мощности СВЧ мощностью посто нного тока. Таким образом, болометр обладает высокой чувствительностью при сохранении хорощего согласовани с волноводным трактом на различных уровн х мощности.The principle of the bolometer is as follows: a metal film, the resistance of which is matched to the waveguide, absorbs microwave energy and is heated; heating the metal film causes the substrate and semiconductor layer to heat, which causes a change in the resistance of the semiconductor layer; this change in resistance is measured, for example, by a bridge. Power measurement can be performed by replacing the power with microwave DC power. Thus, the bolometer has high sensitivity while maintaining good alignment with the waveguide path at various power levels.

П IP е дм ет изобретени P IP e dm em inventions

Пленочный болометрический элемент дл измерени мощности сверхвысокочастотных колебаний, отличающийс тем, что, с целью повышени чувствительности, OF выполнен в виде диэлектрической пластины , одна из сторо« которой покрыта металлической пленкой, а друга -полупроводниковым слоем.A film bolometric element for measuring the power of microwave oscillations, characterized in that, in order to increase the sensitivity, OF is made in the form of a dielectric plate, one of the sides of which is covered with a metal film and the other with a semiconductor layer.